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MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法
- 我們先來看看MOS關(guān)模型：
Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容 - 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 功耗計(jì)算 方法
MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用
- 鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量，可以取代諸如電動(dòng)工具、電...
- 關(guān)鍵字： MHP技術(shù) 鋰電池 電路保護(hù) MOSFET
理解MOSFET開關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)
- 本文詳細(xì)分析計(jì)算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
- 關(guān)鍵字： MOSFET 開關(guān)損耗 主導(dǎo)參數(shù)
開關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析
- 開關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn)，應(yīng)用已越來越普及。MOSFET由于開關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開關(guān)電源最常用的功率開關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開關(guān)電源工作的可靠性及性能
- 關(guān)鍵字： 介紹 分析 電路 驅(qū)動(dòng) MOSFET 開關(guān)電源
中國新一代汽車電子的兩大設(shè)計(jì)趨勢
- 如今的汽車市場正受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的沖擊，與此同時(shí)，提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢也驅(qū)動(dòng)著新一代汽車的發(fā)展，并...
- 關(guān)鍵字： 智能開關(guān) MOSFET DC-DC轉(zhuǎn)換器
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