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          羅姆在“功率元器件”的發(fā)展與“電源IC技術(shù)”的變革

          • 為了防止地球溫室化,減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量,節(jié)電與提高電壓的轉(zhuǎn)換效率是當(dāng)務(wù)之急。在這種背景下,羅姆通過用于LED照明的技術(shù)貢獻于節(jié)電,通過功率元器件提升轉(zhuǎn)換效率。
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  變壓器  SiC  

          Vishay發(fā)布新型光隔離式MOSFET驅(qū)動器

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用小尺寸SOP-4表面貼裝封裝的新型光隔離式MOSFET驅(qū)動器--- VOM1271。新器件集成了關(guān)斷電路,因此不需要外部的關(guān)斷元件和副邊供電電源。新的MOSFET驅(qū)動器極大降低了配置成本和PCB空間,并提高了整體的系統(tǒng)可靠性和性能。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  驅(qū)動器  

          Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

          • b觸點型“PhotoMOS”的開發(fā)隨著PhotoMOSMOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢被廣泛了解,人們將其用于信息通信...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  光電耦合器  

          實現(xiàn)汽車器件0ppm目標(biāo)的舉措

          • 汽車可靠性和AEC資格認(rèn)證汽車可能是我們每個人擁有的最可靠的設(shè)備之一。這可能聽起來有失偏頗,并且如果您的...
          • 關(guān)鍵字: 汽車電子  IR  MOSFET  

          雙柵極SET與MOSFET的混合特性

          • 雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性  由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET ...
          • 關(guān)鍵字: 雙柵極  SET  MOSFET  

          MOSFET柵漏電流噪聲分析

          • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢,導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  柵漏電流  噪聲分析  

          瑞薩電子推出工業(yè)用首個微控制器

          • 高級半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)軍廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩”),于日前發(fā)布了最新的用于個人計算機CPU、服務(wù)器和儲存系統(tǒng)的供電穩(wěn)壓器 (VR) 芯片集誕生。它包括行業(yè)首個集成微控制器(MCU)數(shù)字接口的VR控制器R2A30521NP和帶集成電流檢測電路的智能脈寬調(diào)制(PWM)- Driver - MOSFET功率器件DrMOS)R2J20759NP。
          • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MCU  MOSFET  

          安森美推出采用極緊湊、低厚度封裝的最小MOSFET

          • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ONNN)擴充公司寬廣的接口及電源管理產(chǎn)品陣容,推出一對優(yōu)化的超小超薄小信號MOSFET,用于空間受限的便攜消費電子產(chǎn)品,如平板電腦、智能手機、GPS系統(tǒng)、數(shù)字媒體播放器及便攜式游戲機。
          • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  

          Vishay的17款新器件擴充600V N溝道功率MOSFET系列

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列600V功率MOSFET新增采用8種封裝的17款新器件,將該系列MOSFET在10V下的導(dǎo)通電阻擴展到39m?~600m?,將最高電流等級擴展至7A~73A。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          Intersil擴展業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的“HIP”橋式驅(qū)動器產(chǎn)品系列

          • 全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,推出面向電源和電機驅(qū)動應(yīng)用的業(yè)內(nèi)領(lǐng)先“HIP”系列MOSFET橋式驅(qū)動器新品---HIP212x系列。該100V、2A高頻半橋驅(qū)動器產(chǎn)品家族提供最短的上升/下降時間,可調(diào)節(jié)死區(qū)時間控制和靈活的控制輸出。
          • 關(guān)鍵字: Intersil  MOSFET  驅(qū)動器  

          功率MOSFET管驅(qū)動變壓器設(shè)計

          • 摘要: 對具有驅(qū)動變壓器的功率MOSFET管驅(qū)動電路的動態(tài)過程進行了分析,推導(dǎo)了驅(qū)動變壓器設(shè)計參數(shù)(繞組電流有效值,變壓器功率)的計算方法,定量分析了變壓器漏感和電路雜散電感對開通過程的影響,并通過仿真和試
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動  變壓器設(shè)計    

          Vishay推出新款單路12V器件--SiA447DJ

          • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款采用熱增強型2mm x 2mm PowerPAK? SC-70封裝的單路12V器件--- SiA447DJ,以及采用3mm x 1.8mm PowerPAK ChipFET封裝、高度0.8mm的單片30V器件---Si5429DU,擴充其TrenchFET? Gen III系列P溝道功率MOSFET。
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

          Intersil推出業(yè)內(nèi)最堅固ORing控制器

          • 全球高性能模擬混合信號半導(dǎo)體設(shè)計和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司(納斯達克全球交易代碼:ISIL)日前宣布,<0}推出以最小功率耗散提供電源冗余和保護的堅固、緊湊型ORing FET控制器。
          • 關(guān)鍵字: Intersil  MOSFET  ISL6146  

          同步降壓MOSFET電阻比的選擇

          • 在這篇《電源設(shè)計小貼士》中,我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進行折中處理,而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常,作為設(shè)計過程的一個組
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  同步降壓  電阻比    

          恩智浦提供汽車認(rèn)證雙通道Power-SO8 MOSFET

          • 恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼:NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET,專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應(yīng)用而設(shè)計。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),具有一流的性能和可靠性;同時,與通常需要使用兩個器件的DPAK解決方案相比,節(jié)省了77%的占位面積。
          • 關(guān)鍵字: 恩智浦  LFPAK56D  MOSFET  
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