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瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件
- 全球領(lǐng)先的高級半導(dǎo)體和解決方案的供應(yīng)商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復(fù)合功率器件,它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產(chǎn)品在單一封裝中結(jié)合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管,組成電源轉(zhuǎn)換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調(diào))、PC服務(wù)器和太陽能發(fā)電系統(tǒng)等電力電子產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字: 瑞薩電子 功率器件 SiC
飛兆和英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。
- 關(guān)鍵字: 飛兆半導(dǎo)體 英飛凌科技 MOSFET
飛兆與英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)展功率MOSFET兼容協(xié)議
- 飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布,兩家公司進(jìn)一步擴(kuò)展封裝兼容合作伙伴關(guān)系,擴(kuò)展協(xié)議將包括5x6mm非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET封裝。 飛兆半導(dǎo)體PowerTrench非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導(dǎo)體全面廣泛的先進(jìn)MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分,為電源設(shè)計人員提供了適用于關(guān)鍵任務(wù)的高效信息處理設(shè)計的全面解決方案。 這一兼容協(xié)議是兩家公司在2010年達(dá)成的協(xié)議的擴(kuò)展,旨在為客戶保證供
- 關(guān)鍵字: 飛兆 MOSFET
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