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sic-mosfet 文章進入sic-mosfet技術社區(qū)

提供低損耗大功率的MOSFET

硅功率二極管的PN結通常有大約1.2V的壓降。這個壓降使得功率二極管上消耗了相當?shù)哪芰?，從而造成電源效?..
關鍵字：低損耗大功率 MOSFET

根據(jù)應用恰當選擇MOSFET的技巧

鑒于MOSFET技術的成熟，為設計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的...
關鍵字： MOSFET 導通阻抗開關電源

MOSFET應用案例解析

1.開關電源應用從定義上而言，這種應用需要MOSFET定期導通和關斷。同時，有數(shù)十種拓撲可用于開關電源，這...
關鍵字： MOSFET 應用案例

MOSFET的選型基礎

MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中，和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于：首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSF...
關鍵字： MOSFET 選型應用概覽

求解每個熱源功率損耗的新方法

一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)?？梢詼y量出這些特征參數(shù)，...
關鍵字：熱源功率損耗 MOSFET

功率器件更加智能，高能效功率電子技術新進展

工藝與材料的創(chuàng)新隨著時間的推移，功率晶體管技術得到了持續(xù)的改善。器件的體積不斷縮小，功率密度越...
關鍵字：功率器件工藝材料 MOSFET

SiC寬帶功率放大器模塊設計分析

引言　　隨著現(xiàn)代技術的發(fā)展，功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術已成為現(xiàn)代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
關鍵字：設計分析模塊功率放大器寬帶 SiC

大功率開關電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術

功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源（switch-modepowersupplies，SMPS...
關鍵字：大功率開關電源功率 MOSFET 驅(qū)動

大功率MOSFET驅(qū)動技術詳解

功率MOSFET具有導通電阻低、負載電流大的優(yōu)點，因而非常適合用作開關電源（switch-modepowersupplies，SMPS）的整...
關鍵字：功率 MOSFET 變換器柵極驅(qū)動

汽車電子功率MOSFET解決方案

過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐...
關鍵字：電子系統(tǒng) MOSFET 瞬態(tài)高壓

用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效

我們發(fā)現(xiàn)日益改進的靜電學及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機功耗。要做到這一點，新型晶體管結構和材料拓展了性能?功耗設計空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過構成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關鍵作用。
關鍵字： CMOS 器件功效功率提高 MOSFET 方案非傳統(tǒng)

瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導體器件

高級半導體解決方案領導廠商瑞薩電子公司（TSE：6723，以下簡稱“瑞薩電子”）宣布開發(fā)面向消費類產(chǎn)品（如無線電動工具和電動自行車）中電機驅(qū)動的100A大電流功率MOSFET，以便加強公司的整個功率半導體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍，其中3款新產(chǎn)品（包括N0413N）具有40V的電壓容差，而另外3款新產(chǎn)品（包括N0601N）具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平，是延長電池壽命的理性之選。
關鍵字：瑞薩 MOSFET N0413N

SiC寬帶功率放大器模塊設計

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
關鍵字： SiC 寬帶功率放大器模塊設計放大電路

高能效功率電子技術領域的新進展

從1957年第一只晶閘管的誕生開始，功率電子技術以相當迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進展，產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到，到2030年，受益于采用半導體技術而獲得的更高能效，可以使美國的經(jīng)濟規(guī)模擴大70%以上，與此同時，使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術領域的領先廠商，安森美半導體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新，而且取得了長足的進展
關鍵字：安森美半導體 MOSFET

IR推出微電子繼電器設計師手冊以簡化選型和電路設計

　　全球功率半導體和管理方案領導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設計師手冊，內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應用手冊、數(shù)據(jù)資料和設計技巧等。　　IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎的器件是理想的固態(tài)繼電器，能把AC 和 DC 負載和感測信號從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦，廣泛應用于工業(yè)控制、測試設備、外圍電信設備、電腦外設
關鍵字： IR 微電子繼電器 MOSFET

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