EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
sic-mosfet
sic-mosfet 文章 進(jìn)入sic-mosfet技術(shù)社區(qū)
Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過(guò)流保護(hù)器
- Maxim推出內(nèi)置28V MOSFET的雙向過(guò)流保護(hù)器MAX14544/MAX14545，有效避免主機(jī)因過(guò)載故障和/或輸出過(guò)壓而損壞。器件本身的集成功能，結(jié)合開關(guān)斷開狀態(tài)下輸出端較高的耐壓能力，使其成為外設(shè)供電端口保護(hù)的理想選擇。目標(biāo)應(yīng)用包括：蜂窩電話、MID (移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)、電子書及其它外掛配件的便攜設(shè)備。 MAX14544/MAX14545的正向限流值可在200mA和400mA的工廠預(yù)置門限之間選擇，反向限流值設(shè)置為150mA。器件采用2mm x 2mm、8引腳TDFN無(wú)鉛封裝，工作在-
- 關(guān)鍵字： Maxim MOSFET 過(guò)流保護(hù)器
NXP發(fā)布以LFPAK為封裝全系列汽車功率MOSFET
- 恩智浦半導(dǎo)體(NXP?Semiconductors)近日成為首個(gè)發(fā)布以LFPAK為封裝(一種緊湊型熱增強(qiáng)無(wú)損耗的封裝)全系列汽車功率MOSFET的供應(yīng)商。結(jié)合了恩智浦在封裝技術(shù)及TrenchMOS技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)和經(jīng)驗(yàn)，新的符合Q101標(biāo)準(zhǔn)的LFPAK封裝MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)被認(rèn)為是世界上高度可靠的功率SO-8封裝。LFPAK封裝針對(duì)高密度汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，其面積比DPAK封裝減小了46%而具有與DPAK封裝近似的熱性能。 隨著對(duì)電子應(yīng)用不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求，汽車
- 關(guān)鍵字： NXP MOSFET LFPAK
飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿足對(duì)同級(jí)最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對(duì)稱、單一n溝道MOSFET。 飛兆半
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 MOSFET DC-DC
飛兆半導(dǎo)體和英飛凌科技達(dá)成功率MOSFET兼容協(xié)議
- 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)和英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布，兩家公司就采用MLP 3x3 (Power33™)和Power Stage 3x3封裝的功率MOSFET達(dá)成封裝合作伙伴協(xié)議。 兼容協(xié)議旨在保證供貨穩(wěn)定性，同時(shí)滿足對(duì)同級(jí)最佳的DC-DC轉(zhuǎn)換效率和熱性能的需求。這項(xiàng)協(xié)議利用了兩家企業(yè)的專業(yè)技術(shù)，為3A至20A的DC-DC應(yīng)用提供非對(duì)稱、單一n溝道MOSFET。 飛兆半
- 關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET
今年二季度半導(dǎo)體元件價(jià)格漲幅將超10%
- 據(jù)來(lái)自IC分銷渠道的消息人士透露，目前包括電源管理芯片(PWM)、金氧半場(chǎng)效晶體管(MOSFET)和DRAM在內(nèi)的大部分半導(dǎo)體元件供應(yīng)比較緊張，但是由于代工廠已經(jīng)在滿負(fù)荷運(yùn)行，預(yù)計(jì)短期內(nèi)這種情況不會(huì)得到緩解。 據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，消息人士指出，預(yù)計(jì)在今年第二季度，半導(dǎo)體元件的價(jià)格漲幅將超過(guò)10%。在第一季度中，其價(jià)格已經(jīng)平均提高了5-10%。 另外，消息人士還表示，由于在第一季度NOR閃存芯片供應(yīng)不足，多芯片封裝(multi-chip package，MCP)價(jià)格漲幅最大，在今年余下幾個(gè)月中，
- 關(guān)鍵字： PWM MOSFET DRAM
設(shè)計(jì)更高能效、極低EMI準(zhǔn)諧振適配器
- 準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器，廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達(dá)到其最低值時(shí)導(dǎo)通，從而減小開關(guān)損耗及改善電磁干擾(EMI)信號(hào)。 準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器采用不連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)工作時(shí)，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級(jí)電感(Lp)與節(jié)點(diǎn)電容(Clump，即環(huán)繞MOSFET漏極節(jié)點(diǎn)的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構(gòu)成諧振網(wǎng)絡(luò)，Lp與C
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 電源適配器 EMI
PI 推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC
- 用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日宣布推出創(chuàng)新的雙端子CAPZero系列IC，該IC可對(duì)X電容自動(dòng)進(jìn)行放電，不僅能消除功率損耗，還可輕松滿足各項(xiàng)安全標(biāo)準(zhǔn)。 X電容通常位于電源的輸入端子之間，用于過(guò)濾EMI噪聲。由于它們可以在AC斷電后長(zhǎng)時(shí)間貯存高壓電能，因此會(huì)構(gòu)成安全威脅。電阻通常用于對(duì)這些電容進(jìn)行放電，以便滿足安全要求;但這些電阻會(huì)在AC接通后產(chǎn)生恒定的功率損耗，這是造成空載及待機(jī)輸入功耗的重要因素。 CAPZero與放電電容串聯(lián)
- 關(guān)鍵字： PI CAPZero MOSFET
IR 推出新型25V DirectFET 芯片組
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應(yīng)用 (包括服務(wù)器、臺(tái)式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術(shù)，還具有業(yè)界領(lǐng)先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關(guān)和熱特性，成為一個(gè)為高頻率 DC-DC 開
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET DirectFET 芯片組
安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET
- 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產(chǎn)品。 NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時(shí)分別擁有2 毫歐(m?)、3 m?及5 m?的最大導(dǎo)通阻抗(RDS(on))值，針對(duì)降壓轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中的同步端而優(yōu)化，達(dá)致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時(shí))規(guī)格分別為39.6納庫(kù)侖(nC)、25.6 nC及1
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 肖特基二極管
IR 推出具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列
- 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出首款汽車專用 MOSFET 系列，適用于需要低導(dǎo)通電阻的各種應(yīng)用，包括電動(dòng)助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動(dòng)發(fā)電機(jī) (ISA) 泵和電機(jī)控制、DC-DC 轉(zhuǎn)換、電池開關(guān)，以及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力汽車平臺(tái)的其它重載應(yīng)用。 新器件采用了 IR 經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的 Gen 10.2 技術(shù)，可提供低至 1.0 mΩ 的導(dǎo)通電阻 (最大) ，在各種表面貼裝器件 (SMD) 和通孔封裝上均可承受 24V 至
- 關(guān)鍵字： IR MOSFET
MOSFET與MOSFET驅(qū)動(dòng)電路原理及利用
- 下面是我對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料，非所有原創(chuàng)。包含 MOS管的推選 ，特征，驅(qū)動(dòng)以及運(yùn)用 電路?！?br /> 在運(yùn)用 MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)思慮 M
- 關(guān)鍵字： MOSFET 利用 原理 電路 驅(qū)動(dòng)
Vishay Siliconix 推出新款500V N溝道功率MOSFET
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關(guān)速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓?fù)?，具有低?3ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。 SiHF8N50L-E3改善了反向恢復(fù)特性，從而能夠更好地抵御EMI，實(shí)現(xiàn)更高的效率，同時(shí)避免出現(xiàn)導(dǎo)致MOSFET燒毀的內(nèi)部體二極管恢復(fù)故障。 Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級(jí)，在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電
- 關(guān)鍵字： Vishay MOSFET
GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)，2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)1.8億
- 美國(guó)iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將迅速增長(zhǎng)的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示，2010年的市場(chǎng)規(guī)模近乎為零，但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式，不斷擴(kuò)大市場(chǎng)規(guī)模。iSuppli預(yù)測(cè)，該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。 目前，GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測(cè)階段，或者剛開始商用化的階段。不過(guò)，GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比，具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn)，可提高電源電路的轉(zhuǎn)
- 關(guān)鍵字： GaN MOSFET
理解功率MOSFET的UIS及雪崩能量
- 在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表中，通常包括單脈沖雪崩能量EAS，雪崩電流IAR，重復(fù)脈沖雪崩能量EAR等參數(shù)，而許多電子工程師在設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)的過(guò)程中，很少考慮到這些參數(shù)與電源系統(tǒng)的應(yīng)用有什么樣的聯(lián)系，如何在實(shí)際的應(yīng)用中評(píng)定這些參數(shù)對(duì)其的影響，以及在哪些應(yīng)用條件下需要考慮這些參數(shù)。本文將論述這些問(wèn)題，同時(shí)探討功率MOSFET在非鉗位感性開關(guān)條件下的工作狀態(tài)。
- 關(guān)鍵字： 雪崩 能量 UIS MOSFET 功率 理解
飛兆半導(dǎo)體液晶電視解決方案簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并減少元件數(shù)目
- 飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的液晶電視功率解決方案相比現(xiàn)今使用的傳統(tǒng)解決方案，可為設(shè)計(jì)人員提供顯著優(yōu)勢(shì)，最近的創(chuàng)新技術(shù)能夠減少元件數(shù)目，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，并進(jìn)一步提高可靠性——所有這些可以大幅降低成本。 通過(guò)技術(shù)進(jìn)步，飛兆半導(dǎo)體的半橋解決方案Ultra FRFET系列進(jìn)一步優(yōu)化設(shè)計(jì)，具有35ns~65ns的同類最佳反向恢復(fù)時(shí)間(trr)和業(yè)界最小的反向恢復(fù)電流(1.8A ~ 3.1A)。目前的液晶電視設(shè)計(jì)使用MOSFET和半橋電路中的兩個(gè)快速恢
- 關(guān)鍵字： Fairchild 液晶電視 MOSFET
sic-mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)sic-mosfet的理解，并與今后在此搜索sic-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)sic-mosfet的理解，并與今后在此搜索sic-mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sic-mosfet電路
sic-mosfet相關(guān)帖子
sic-mosfet資料下載
sic-mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473