sic-mosfet 文章進(jìn)入sic-mosfet技術(shù)社區(qū)

氮化鎵電源管理芯片市場(chǎng)將快速增長(zhǎng)

　　據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)和有線通訊領(lǐng)域的快速增長(zhǎng)，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場(chǎng)到2013年預(yù)計(jì)將達(dá)到1.836億美元，而2010年實(shí)際上還幾乎一片空白。　　GaN是面向電源管理芯片的一種新興工藝技術(shù)，最近已從大學(xué)實(shí)驗(yàn)階段進(jìn)入商業(yè)化階段。該技術(shù)對(duì)于供應(yīng)商來(lái)說(shuō)是一個(gè)有吸引力的市場(chǎng)機(jī)會(huì)，它可以向它們的客戶提供目前半導(dǎo)體工藝材料可能無(wú)法企及的性能。　　iSuppli公司認(rèn)為，在過(guò)去兩年里，有幾件事情使得GaN成為電源管理半導(dǎo)體領(lǐng)域中大有前途的新星。　　首先，硅在
關(guān)鍵字： iSuppli MOSFET 電源管理芯片

Vishay發(fā)布2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出2010年的“Super 12”高性能產(chǎn)品。這些系列器件具有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的標(biāo)準(zhǔn)，如容值電壓、電流等級(jí)和導(dǎo)通電阻。這些創(chuàng)新產(chǎn)品在http://www.vishay.com/landingpage/super12/2010/進(jìn)行展示，是很多關(guān)鍵應(yīng)用的理想選擇，也是Vishay廣泛的產(chǎn)品線組合的典型代表產(chǎn)品。　　2010年將要發(fā)布的Super 12產(chǎn)品是： 597D和T97多模鉭電容：對(duì)于+28V應(yīng)
關(guān)鍵字： Vishay 電容導(dǎo)通電阻 MOSFET

Intersil推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 ISL8088

　　全球高性能模擬半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)導(dǎo)廠商Intersil公司今天宣布，推出最新的雙通道同步降壓穩(wěn)壓器 --- ISL8088。該器件采用超小封裝，具有非常高的功率轉(zhuǎn)換效率和低靜態(tài)電流。　　ISL8088是每通道800mA的雙通道降壓穩(wěn)壓器，內(nèi)部集成了功率MOSFET。2.7V～5.5V的輸入電壓和35mA的靜態(tài)電流，使ISL8088成為電池供電和其他“綠色電源”應(yīng)用的理想之選。ISL8088可以選擇工作在強(qiáng)制的PWM模式和自動(dòng)的PWM/PFM模式，以延長(zhǎng)電池壽命。　　
關(guān)鍵字： Intersil 穩(wěn)壓器 ISL8088 MOSFET

Vishay發(fā)布新款microBUCK集成同步降壓穩(wěn)壓器

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出旗下microBUCK系列集成同步降壓穩(wěn)壓器中的新器件 --- SiC414。6A SiC414是DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案，具有先進(jìn)的控制器IC和柵極驅(qū)動(dòng)器、兩個(gè)針對(duì)PWM控制優(yōu)化的N溝道MOSFET(高邊和低邊)、在獨(dú)立降壓穩(wěn)壓器配置中的自啟動(dòng)開關(guān)，采用節(jié)省空間的MLPQ 4mm x 4mm的28引腳封裝。　　microBUCK系列的產(chǎn)品綜合了Vishay獨(dú)特的分立MOSFET設(shè)計(jì)、IC專長(zhǎng)和封裝工藝，為客戶提供了具有成本效
關(guān)鍵字： Vishay microBUCK MOSFET 封裝

半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)高端MOSFET驅(qū)動(dòng)方案選擇：變壓器還是硅芯片？

　　在節(jié)能環(huán)保意識(shí)的鞭策及世界各地最新能效規(guī)范的推動(dòng)下，提高能效已經(jīng)成為業(yè)界共識(shí)。與反激、正激、雙開關(guān)反激、雙開關(guān)正激和全橋等硬開關(guān)技術(shù)相比，雙電感加單電容(LLC)、有源鉗位反激、有源鉗位正激、非對(duì)稱半橋(AHB)及移相全橋等軟開關(guān)技術(shù)能提供更高的能效。因此，在注重高能效的應(yīng)用中，軟開關(guān)技術(shù)越來(lái)越受設(shè)計(jì)人員青睞。　　另一方面，半橋配置最適合提供高能效/高功率密度的中低功率應(yīng)用。半橋配置涉及兩種基本類型的MOSFET驅(qū)動(dòng)器，即高端(High-Side)驅(qū)動(dòng)器和低端(Low-Side)驅(qū)動(dòng)器。高端表示M
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 變壓器硅芯片

RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品

　　國(guó)際著名電子、電機(jī)和工業(yè)產(chǎn)品分銷商RS Components于今日宣布，通過(guò)其在線目錄RS Online(RS在線：http://www.rs-components.com)渠道推出三洋(SANYO)半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。　　此次推出的產(chǎn)品中，除了有采用三洋半導(dǎo)體獨(dú)自技術(shù)達(dá)成的用于電源電池管理的MOSFET系列(具有業(yè)界最高水準(zhǔn)的低導(dǎo)通電阻特性, 并實(shí)現(xiàn)了小型薄型大功率), 低壓驅(qū)動(dòng)閃光用IGBT產(chǎn)品以外，還包括低飽和電壓,射頻用各種雙極晶體管產(chǎn)品。通過(guò)驅(qū)使獨(dú)自的核心技術(shù), 三洋在多
關(guān)鍵字： RS MOSFET IGBT

IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型HEXFET® 功率MOSFET，其中包括能夠提供業(yè)界最低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 的IRFH6200TRPbF。　　這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET

PI新推出的TOPSwitch-JX系列電源轉(zhuǎn)換IC

　　PI公司今日宣布推出TOPSwitch-JX系列器件，新產(chǎn)品系列共由16款高度集成的功率轉(zhuǎn)換IC組成，其內(nèi)部均集成有一個(gè)725 V功率MOSFET，適用于設(shè)計(jì)反激式電源。新型TOPSwitch-JX器件采用多模式控制算法，可提高整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的功率效率。由于在滿功率下工作效率較高，因此可減少正常工作期間的功率消耗量，同時(shí)降低系統(tǒng)散熱管理的復(fù)雜性及費(fèi)用支出。在低輸入功率水平下，高效率還可使適配器的空載功耗降至最低，增大待機(jī)模式下對(duì)系統(tǒng)的供電量，這一點(diǎn)特別適用于受到能效標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范約束的產(chǎn)品應(yīng)用。　
關(guān)鍵字： PI 功率轉(zhuǎn)換IC TOPSwitch-JX MOSFET

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用

基于UCC27321高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)芯片的功能與應(yīng)用,1　引言

　　隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展，各種新型的驅(qū)動(dòng)芯片層出不窮，為驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)提供了更多的選擇和設(shè)計(jì)思路，外圍電路大大減少，使得MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路愈來(lái)愈簡(jiǎn)潔，.性能也獲得到了很大地提高。其中UCC27321
關(guān)鍵字：芯片功能應(yīng)用驅(qū)動(dòng) MOSFET UCC27321 高速基于

飛兆半導(dǎo)體微型以封裝高效產(chǎn)品應(yīng)對(duì)DC-DC設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)

　　飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色熱性能，并有助實(shí)現(xiàn)更薄、更輕和更緊湊的電源解決方案的MOSFET產(chǎn)品系列，可應(yīng)對(duì)工業(yè)、計(jì)算和電信系統(tǒng)對(duì)更高效率和功率密度的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。　　FDMC7570S是采用3mm x 3mm MLP 封裝、具有業(yè)界最低RDS(ON)的25V MOSFET器件，可提供無(wú)與倫比的效率和結(jié)溫性能。FDMC7570S在10VGS 下的RDS(ON) 為1.6mOhm，在4.5VGS下則為2.3mOhm;其傳導(dǎo)損耗更比其它外形尺寸相同
關(guān)鍵字： Fairchild MOSFET 電源

飛兆半導(dǎo)體在IIC China展會(huì)上展示功率技術(shù)和移動(dòng)技術(shù)

　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semicondcutor) 將在IIC China 2010展會(huì)上，展示其最新的功率技術(shù)和移動(dòng)技術(shù)。時(shí)間及地點(diǎn)分別是3月4至5日于深圳會(huì)展中心2號(hào)展館2K19展臺(tái)，以及3月15至16日于上海世貿(mào)商城四樓8H01展臺(tái)。　　智能移動(dòng)解決方案：　　飛兆半導(dǎo)體將展示其豐富的模擬技術(shù)產(chǎn)品系列，以及相關(guān)的定制解決方案和系統(tǒng)級(jí)專有技術(shù)，這些產(chǎn)品及方案在解決移動(dòng)領(lǐng)域之設(shè)計(jì)和應(yīng)用難題方面發(fā)揮不可或缺的重要作用。例如，飛兆半導(dǎo)體的業(yè)界最小的USB附件開關(guān)FSA800將所有主
關(guān)鍵字：飛兆功率智能移動(dòng) MOSFET

馬達(dá)設(shè)計(jì)中提升更高的效率

　　中心議題：　　馬達(dá)的結(jié)構(gòu) 　　提升馬達(dá)工作的效率　　解決方案：　　正弦脈沖調(diào)制控制方式　　智能功率模塊　　近些年來(lái)，家用電器對(duì)節(jié)能的要求變得越來(lái)越強(qiáng)烈。這是很顯然的，僅電冰箱所消耗的能量就超過(guò)家庭用電量的10%。由于電冰箱的馬達(dá)主要在低速運(yùn)轉(zhuǎn)，就有非常大的節(jié)能潛力，通過(guò)在低速驅(qū)動(dòng)器中簡(jiǎn)單改進(jìn)馬達(dá)的驅(qū)動(dòng)效率就能實(shí)現(xiàn)。　　同樣，據(jù)估計(jì)工業(yè)用電的65%被電驅(qū)動(dòng)馬達(dá)所消耗，毫無(wú)疑問(wèn)，商家正逐漸意識(shí)到節(jié)能將成為改善收益率和競(jìng)爭(zhēng)能力的關(guān)鍵。在電驅(qū)動(dòng)馬達(dá)中降低能量消耗有兩種主要的方式：改善
關(guān)鍵字：工業(yè)電子馬達(dá) MOSFET

英飛凌推出OptiMOS調(diào)壓MOSFET和DrMOS系列

　　英飛凌科技股份公司近日宣布，公司將在2010年應(yīng)用電力電子會(huì)議和產(chǎn)品展示會(huì)上，推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS 功率 MOSFET產(chǎn)品陣容。該系列器件經(jīng)過(guò)優(yōu)化，適合應(yīng)用于計(jì)算機(jī)服務(wù)器電源的電壓調(diào)節(jié)電路和電信/數(shù)據(jù)通信的開關(guān)。這種全新的MOSFET還被集成進(jìn)滿足英特爾DrMOS規(guī)范的TDA21220 DrMOS。　　通過(guò)大幅降低三個(gè)關(guān)鍵的能效優(yōu)值(FOM)，這種全新的器件無(wú)論在任何負(fù)載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%，同時(shí)達(dá)到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電
關(guān)鍵字：英飛凌 OptiMOS MOSFET DrMOS

開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)薈萃

功率MOSFET以其導(dǎo)通電阻低和負(fù)載電流大的突出優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)成為開關(guān)電源（switch-mode power supplies，SMPS）整流組件的最佳選擇，專用MOSFET驅(qū)動(dòng)器的出現(xiàn)又為優(yōu)化SMPS控制器帶來(lái)了契機(jī)。那些與SMPS控制器集成在一起的
關(guān)鍵字：技術(shù) 薈萃驅(qū)動(dòng) MOSFET 功率開關(guān)電源電源

CISSOID引入了新系列P通道高溫功率MOSFET晶體管

　　CISSOID，在高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，介紹了 VENUS，他們的新系列高溫　30V 的 P通道功率 MOSFET 晶體管保證操作在攝氐負(fù)55度到225度之間。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名為 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏電流額定分別為2A，4A及8A。它們補(bǔ)充了該公司在2009年11月介紹的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。　　VENUS 功率 MOSFETs 表現(xiàn)出色的高溫性能。在攝氏 225
關(guān)鍵字： CISSOID MOSFET 晶體管