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美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議，美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 完成收購恒憶后美光成為同時擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營收約5.50億美元，自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
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三星出貨全球首款多芯片封裝相變存儲顆粒
- 相變存儲技術(shù)看來終于要走出實(shí)驗(yàn)室，走向市場了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲顆粒產(chǎn)品。 相變存儲屬于非易失性存儲技術(shù)，可以像閃存那樣在關(guān)機(jī)后繼續(xù)保持?jǐn)?shù)據(jù)。三星就表示，這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級NOR閃存顆粒完全兼容，方便客戶廠商在產(chǎn)品中加入該存儲顆粒。由于相變存儲技術(shù)的高寫入速度特性，采用PRAM可有效提升數(shù)碼設(shè)備的存儲速度。 三星表示，多芯片封裝PRA
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TMS320F2812的SPI接口設(shè)計
- 摘要：為了使控制系統(tǒng)的參數(shù)能夠在掉電之前保存下來，提出一種SPI模塊與25LC040芯片的接口設(shè)計方法，介紹了DSP芯片TMS320F2812 SPI模塊的特點(diǎn)，以及25LC040芯片的功能特點(diǎn)、操作規(guī)范和讀寫時序，給出了硬件接口電路，
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抓緊景氣回升 IM Flash新加坡廠提前運(yùn)作
- 英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導(dǎo)體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運(yùn)。 2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術(shù)，由IM Flash專門為這2家公司生產(chǎn)NAND Flash。但在半導(dǎo)體景氣循環(huán)來到低點(diǎn)，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴(yán)重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費(fèi)35億美元打造，本應(yīng)于2
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嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用
- 嵌入式系統(tǒng)中Nand-Flash的原理及應(yīng)用,當(dāng)前各類嵌入式系統(tǒng)開發(fā)設(shè)計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機(jī)讀取速度快，因此在嵌入式系統(tǒng)中，常應(yīng)用在程
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TMS320C6713B DSP的外部FLASH引導(dǎo)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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富士通開發(fā)NOR型閃存新技術(shù)
- 富士通微電子公司日前宣布，已經(jīng)成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術(shù)，可提高閃存讀取速度，并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機(jī)存儲)中的電路元素，從而實(shí)現(xiàn)了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達(dá)，訪問時間僅10ns，同時工作電流降低三分之二達(dá)到9µA。通過在嵌入式設(shè)備中應(yīng)用這項技術(shù)，便攜音視頻設(shè)備將有望改進(jìn)性能，同時延長電池續(xù)航時間。 富士通表示，將以這項N
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