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技術(shù)革新日新月異：3D NAND及PCIe NVMe SSD晉升巿場主流
- 慧榮科技全新主控解決方案為新生代SSD產(chǎn)品開發(fā)設計保駕護航 以相同的成本，卻能達到倍增的容量，各家內(nèi)存大廠對3D NAND創(chuàng)新技術(shù)的強力投入，預告了2017年將成為3D NAND固態(tài)硬盤(SSD)爆發(fā)成長的起點。加上Intel制定的Non-Volatile Memory Express(NVMe;非揮發(fā)性內(nèi)存高速規(guī)格)超高傳輸接口的普及登場。容量更大、價格更低、壽命更長、速度更快，新世代SSD產(chǎn)品的卓越價格性能比，預期將大幅拉近與傳統(tǒng)硬盤市場的規(guī)模差距，兩種儲存裝置已逐漸接近黃金交叉點，高速大容
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機、SSD市場需求強烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機遇。在中國發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導，預計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負責建設，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預
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兆易創(chuàng)新擴大供應商布局 買下憶正武漢SSD廠
- 業(yè)界領(lǐng)先的存儲器和控制器供應商兆易創(chuàng)新 (Gigadevice)上市剛滿一月便閃電停牌籌劃重組。業(yè)內(nèi)傳出消息，兆易創(chuàng)新日前買下固態(tài)硬盤(SSD)供應商憶正科技位于武漢的廠房，開啟并購之路。而憶正科技出售武漢廠房后，將專心朝特殊型SSD和智能手機內(nèi)置eMMC技術(shù)做研發(fā)。據(jù)了解，兆易創(chuàng)新為了擴大供應商布局，目前除了與中芯國際合作外，也在與華力微電子和武漢新芯合作。 當前世界中，有三家供應商憑借SPI NOR Flash在消費應用領(lǐng)域中取得了成功，兆易位列其一，另外兩家是臺灣的旺宏和華邦，這三家公司合
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詳解如何選擇合適的SSD驅(qū)動器
- 隨著信息的爆發(fā)式增長，相關(guān)部門在部署信息存儲應用時，越來越多地考慮固態(tài)硬盤(SSD)技術(shù)，這是因為這種技術(shù)具有特別快速的性能。然而，他們可能
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中國NAND閃存市場占全球1/3
- 相對于舊式 HDD 硬盤的式微，NAND 閃存及 SSD 固態(tài)硬盤的發(fā)展就成了儲存市場的潮流風向。不論是在移動設備、個人電腦、或是數(shù)據(jù)中心等市場上都在快速成長。而目前因為中國已經(jīng)成為 NAND 閃存的最大市場，而 SSD 固態(tài)硬盤也是成長最快的市場。因此，也吸引了各家中國本土廠商的競相投入。 在NAND 閃存的市場部分，根據(jù) TrendForce 旗下的 DRAMeXchange 的最新研究報告顯示，中國市場消耗的 NAND 閃存越來越多，2017 年將占到全球市占率的 30% ，而到了 202
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3D NAND SSD價格戰(zhàn)開打 英特爾拼了
- 英特爾(Intel)近期一口氣發(fā)布多款新固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品，將其3D NAND晶片進一步推向消費型與企業(yè)級固態(tài)硬碟市場。值得注意的是，這些新款SSD一律采用PCIe Gen3介面并支援NVMe協(xié)定，讀寫效能遠優(yōu)于采用SATA介面的現(xiàn)有產(chǎn)品，同時也打破了NVMe以往僅見于企業(yè)或高階消費市場產(chǎn)品的局面。 英特爾表示，這些新款SSD采用3D TLC NAND存儲器，針對消費型市場的600p系列最低價格從69美元起跳(128GB版本)，1TB儲存容量的版本則為359美元。至于鎖定企業(yè)市場的Pro 6
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儲存技術(shù)不斷演進 NAND Flash僅是開端
- 在進展緩慢的儲存技術(shù)世界里，NAND Flash的普及速度算是極快，幾乎每種儲存產(chǎn)品都有其足跡，最主要原因就是速度。據(jù)TechTarget報導，NAND Flash剛推出時是市場上最昂貴的儲存裝置，后來供應商發(fā)現(xiàn)只要加入相對小量的快閃存儲器，便可以大幅提升效能以快閃存儲器技術(shù)為基礎的儲存裝置也開始大受歡迎。 由美光(Micro)和英特爾(Intel)合作開發(fā)的3D XPoint技術(shù)，以及IBM根據(jù)相變化存儲器(Phase Change Memory)修正后開發(fā)的新型態(tài)儲存裝置，在速度、耐用性和重
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