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聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術開發(fā)MRAM及相關28納米產(chǎn)品
- 聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領導者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內(nèi)存的磁阻式隨機存取內(nèi)存(MRAM)。同時聯(lián)華電子也將透過Avalanche的授權提供技術給其他公司?！ ÷?lián)華電子根據(jù)此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內(nèi)存模塊整合至應用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車用電子市場的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(So
- 關鍵字： 聯(lián)華電子 MRAM 28納米
嵌入式存儲器的過去與現(xiàn)在
- 近期臺積電技術長孫元成在其自家技術論壇中，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取存儲)和eRRAM(嵌入式電阻式存儲器)將分別訂于明后年
- 關鍵字： 嵌入式存儲器 MRAM eRRAM 物聯(lián)網(wǎng)
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
- 半導體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術的新紀元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機存儲器 (MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進展?！ 貌牧瞎緸閷崿F(xiàn) STT MRAM 的制造提供了多項重要創(chuàng)新，包括基于Endura? 平臺上的PVD創(chuàng)新以及特別的蝕刻技術。利用這些新技術并借助梅丹技術中心的設施來加工并測試器件陣列，我們驗證了 STT MRAM 的性能和可擴展性?！ ∪缃?，除了邏
- 關鍵字： STT MRAM
新式儲存結(jié)構(gòu)能加速MRAM市場起飛嗎？
- MRAM新創(chuàng)公司STT開發(fā)出一種存儲器專有技術，據(jù)稱可在增加數(shù)據(jù)保持的同時降低功耗，使得MRAM的自旋力矩效率提高加40%-70%。這種新式的“歲差自旋電流”(PSC)儲存結(jié)構(gòu)將在MRAM市場扮演什么角色?它能成為加速MRAM市場起飛的重要推手嗎? 磁阻式隨機存取存儲器(Magnetic RAM;MRAM)新創(chuàng)公司Spin Transfer Technologies (STT)最近開發(fā)出MRAM專用技術，據(jù)稱能以同步提高數(shù)據(jù)保持(retention)與降低電流
- 關鍵字： MRAM SRAM
如何給汽車系統(tǒng)選擇合適的非易失性存儲器
- 汽車系統(tǒng)的設計變得越來越復雜，因為要不斷的加入新的功能，如高級駕駛輔助，圖形儀表，車身控制和車輛信息娛樂系統(tǒng)。為了確?？煽?、安全的操作，每個子系統(tǒng)均需要使用特定的非易失性存儲器，以便在復位操作和電源切換期間存儲信息。非易失性存儲器用于存儲可執(zhí)行代碼或常量數(shù)據(jù)、校準數(shù)據(jù)、安全性能和防護安全相關信息等重要數(shù)據(jù)，以作將來檢索用途?！ ∧壳笆袌錾现饕@幾種不同類型的非易失性存儲器，如NOR 閃存、NAND 閃存、EEPROM(可擦除的可編程只讀存儲器)、FRAM(鐵電存儲器)，MRAM
- 關鍵字： MRAM FRAM
基于magnum II測試系統(tǒng)的MRAM VDMR8M32測試技術研究
- 摘要: VDMR8M32是珠海歐比特公司自主研發(fā)的一種高速、大容量的TTL同步靜態(tài)存儲器(MRAM)，可利用其對大容量數(shù)據(jù)進行高速存取。本文首先介紹了該芯片的結(jié)構(gòu)和原理，其次詳細闡述了基于magnum II測試系統(tǒng)的測試技術研究，提出了采用magnum II測試系統(tǒng)的APG及其他模塊實現(xiàn)對MRAM VDMR8M32進行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測試，全空間讀寫數(shù)據(jù)1，以棋盤格方式進行全空間讀寫測試。另外，針對MRAM的關鍵時序參數(shù)，如T
- 關鍵字： VDMR8M32 MRAM
DIGITIMES：MRAM的進展與研發(fā)方向
- MRAM是新興的存儲器，為晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。先講結(jié)論，MRAM的最近發(fā)展令人興奮。它雖然是新興的存儲器，卻成為傳統(tǒng)上以邏輯線路為主的晶圓制造代工業(yè)競爭主軸之一。 MRAM研發(fā)的挑戰(zhàn)一直都是良率和微縮。良率的提升除了晶圓廠各自在制程上的努力之外，機器設備廠商也出力甚多，這是幾家大機器設備廠商先后投入這即將興起設備市場良性競爭的結(jié)果。MRAM相關制程主要有磁性材料的蝕刻(etcher)與濺鍍(sputter)兩種設備，最近新機型的濺鍍設備表現(xiàn)令人驚艷，這將有助于晶圓廠MRAM制造良率的提升
- 關鍵字： DIGITIMES MRAM
臺積電重返內(nèi)存市場 瞄準MRAM和RRAM
- 晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴及內(nèi)存市場。臺積電這次重返內(nèi)存市場，瞄準是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關注。 臺積電技術長孫元成日前在臺積電技術論壇，首次揭露臺積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機存取內(nèi)存)和eRRAM(嵌入式電阻式內(nèi)存)分別訂明后年進行風險性試產(chǎn)，主要采用22奈米制程，這將是臺積電因應物聯(lián)網(wǎng)、行動裝置、高速運算計算機和智能汽車等四領域所提供效能更快速和耗電更低的新內(nèi)存。
- 關鍵字： 臺積電 MRAM
MRAM大勢將至 產(chǎn)學界吁應盡速計劃推動
- 臺灣磁性技術協(xié)會邀請產(chǎn)學人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術概況。產(chǎn)業(yè)界與學術界人士交流該項技術的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，并認為臺灣產(chǎn)官學研有迫切攜手推動的必要性。 在市場發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發(fā)性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內(nèi)，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及
- 關鍵字： MRAM
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