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NexperiaP溝道MOSFET，采用省空間堅固LFPAK56封裝
- 半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標準，適合汽車應用，可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品，在保證性能的基礎上，將封裝占位面積減少了50%以上。 新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇，導通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結構，由Nexperia率先應用，已在汽車等要求
- 關鍵字： Nexperia P溝道 MOSFET LFPAK56封裝
Nexperia推出超微型MOSFET具備低導通電阻RDS(on)
- Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%，且具備低導通電阻RDS(on)半導體基礎元器件生產(chǎn)領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品，采用超小型DFN0606封裝，適用于移動和便攜式產(chǎn)品應用，包括可穿戴設備。這些器件還提供低導通電阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm間距，從而簡化了PCB組裝過程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝，占位面積僅為0.62 x 0.62 mm，與前一代DFN1006器件相比，節(jié)省了超過36%的空間。由于采
- 關鍵字： ?Nexperia MOSFET
科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領先效率，助力新一代電動汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽能應用創(chuàng)新
- 作為碳化硅技術全球領先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應用，提供業(yè)界領先的功率效率。
- 關鍵字： 科銳 650V MOSFET 電動汽車
碳化硅發(fā)展勢頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET
- 王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅 （SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導體材料之一，碳化硅 具備哪些優(yōu)勢，現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何？不久前，碳化硅的先驅英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機會，電子產(chǎn)品世 界訪問了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關電源應用高級市 場經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關系 碳化硅MOSFET是一種新器 件，使一些以前硅材料很難被應用 的電源轉換結構，例如電流連續(xù)模 式
- 關鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET
ROHM的SiC功率元器件被應用于UAES的電動汽車車載充電器
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應用于中國汽車行業(yè)一級綜合性供應商——聯(lián)合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國上海市，以下簡稱“UAES公司”）的電動汽車車載充電器（On Board Charger，以下簡稱“OBC”）。UAES公司預計將于2020年10月起向汽車制造商供應該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
- 關鍵字： OBC SiC MOSFET
工業(yè)電機用功率半導體的動向
- Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質量。安森美以領先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉變帶來的商機。 關鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
- 關鍵字： 202003 電機 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應用帶來最佳可靠性和性能水平
- 近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務器、電信和工業(yè)SMPS、太陽能系統(tǒng)、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內(nèi)的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場事業(yè)部高壓轉換業(yè)務高級總監(jiān)St
- 關鍵字： SiC MOSFET
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
- 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉換拓撲中的功率密度和效率而設計。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級別中的最低輸出電容(Coss)。
- 關鍵字： 儒卓力 威世N-Channel MOSFET 封裝
安世半導體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品
- 奈梅亨，2020年2月19日：安世半導體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認的低壓、低RDS(on)的領先器件，它樹立了25 V、0.57 m?的新標準。該市場領先的性能利用安世半導體獨特的NextPowerS3技術實現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
- 關鍵字： 安世半導體 MOSFET RDS(on)
NVIDIA預告新旗艦顯卡：專為《賽博朋克2077》定制
- 僅僅是靠“PPT”,《賽博朋克2077(Cyberpunk 2077)》就沖入了Steam去年的暢銷游戲榜,相信今年9月17日發(fā)售后,游戲的熱度將會空前高漲。上周末,NVIDIA GeForce和Cyberpunk 2077官方賬號在社交平臺互動,內(nèi)容是關于打造一款賽博朋克限量版顯卡。NV隨后公布了一張模糊的顯卡圖,長度至少是RTX 2080 Super級別,同樣配備雙渦輪風扇。外界猜測,會不會可能是RTX 2080 Ti Super或者7nm Ampere(安培)?上方為限量卡,下方為RTX 2080
- 關鍵字： 英偉達 賽博朋克 2077RTX 2080 TiRTX 2080 Ti Super
Super AMOLED是什么？
- Super AMOLED超炫屏，全稱：Super Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，由三星推出，相比傳統(tǒng)AMOLED炫屏而言，摒棄了之前觸控感應層+顯示層的架構設計，操控更為靈敏。此外還帶來了更佳的陽光下顯示效果。
- 關鍵字： Super AMOLED 三星
Nexperia 推出行業(yè)領先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)
- 近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管(GaN)市場。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點是低導通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開關切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場，包括電動汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設備、工業(yè)自動化和高端電源。Nexperi
- 關鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件
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