super junction mosfet 文章 進(jìn)入super junction mosfet技術(shù)社區(qū)
宜特FSM化學(xué)鍍服務(wù)本月上線，無縫接軌BGBM晶圓減薄工藝
- 隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應(yīng)求，為填補(bǔ)供應(yīng)鏈中此一環(huán)節(jié)的不足，在半導(dǎo)體驗(yàn)證分析領(lǐng)域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務(wù)」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數(shù)家客戶穩(wěn)定投片進(jìn)行量產(chǎn)，在線生產(chǎn)良率連續(xù)兩月高于99.5%?！ ⊥瑫r(shí)為了協(xié)助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
- 關(guān)鍵字： 宜特 MOSFET
應(yīng)用角：汽車 - 電動(dòng)汽車電池?cái)嚅_系統(tǒng)
- 在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分?jǐn)嚅_連接。專門設(shè)計(jì)的大電流繼電器(接觸器)歷來一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設(shè)計(jì)必須支持在負(fù)載下斷開連接，而不受損壞。這是通過使用帶有真空封裝觸點(diǎn)的繼電器來實(shí)現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點(diǎn)以消除空氣。通常，在高壓電池系統(tǒng)中，需要三個(gè)接觸器：一個(gè)用于兩個(gè)主要電池導(dǎo)體，另一個(gè)更小的版本用于預(yù)充電功能。傳統(tǒng)的電池?cái)嚅_電路圖如圖1所示。 電動(dòng)汽車制造商長期以來一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池?cái)嚅_問題。功率半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： MOSFET，混合動(dòng)力
開關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)使用BJT而非MOSFET？
- MOSFET已經(jīng)是是開關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
- 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源 BJT MOSFET
教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表
- 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱
- 關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù) 電感器 連續(xù)電流
功率MOSFET在集成驅(qū)動(dòng)電路中的設(shè)計(jì)應(yīng)用簡析
- 功率MOSFET目前在一些大中型開關(guān)電源的驅(qū)動(dòng)電路中得到了廣泛的應(yīng)用，此前我們?cè)?jīng)為大家總結(jié)了幾種MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的常見應(yīng)用方式，在今天的文章中
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 電源
干貨!一種簡易的MOSFET自舉驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)分享
- 功率開關(guān)器件MOSFET在驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用頻率在最近幾年直線上升，在一些中小功率的開關(guān)電源產(chǎn)品中，利用MOSFET完成驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)不僅省時(shí)省力，還具有
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 設(shè)計(jì)
MOSFET開關(guān)損耗分析
- 摘要：為了有效解決金屬一氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開關(guān)損耗失效問題，通過對(duì)MOSFET柵極電荷、極間
- 關(guān)鍵字： MOSFET 帶電插拔 緩啟動(dòng) 開關(guān)損耗
6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門
- 由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng)
大國器重 功率半導(dǎo)體小行業(yè)大機(jī)會(huì)
- 在傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體分立器件引領(lǐng)工業(yè)發(fā)展方式向節(jié)能型轉(zhuǎn)變，實(shí)現(xiàn)家電工業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)，優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)。而隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、新能源、節(jié)能環(huán)保等新興產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，新興領(lǐng)域成為支撐功率半導(dǎo)體分立器件保持較好發(fā)展勢頭的重要市場。
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 MOSFET
功率MOSFET關(guān)斷損耗計(jì)算攻略
- 本文介紹了MOSFET管關(guān)斷損耗的計(jì)算方式，供大家參考。
- 關(guān)鍵字： MOSFET 關(guān)斷損耗
super junction mosfet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條super junction mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)super junction mosfet的理解，并與今后在此搜索super junction mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)super junction mosfet的理解，并與今后在此搜索super junction mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
super junction mosfet電路
super junction mosfet相關(guān)帖子
super junction mosfet資料下載
super junction mosfet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473