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我國(guó)科學(xué)家技術(shù)突破存儲(chǔ)芯片無(wú)限次擦寫(xiě)引圍觀：TLC、QLC買(mǎi)誰(shuí) 恐不再糾結(jié)

7月1日消息，據(jù)國(guó)內(nèi)媒體報(bào)道稱(chēng)，四川科學(xué)家借力AI 開(kāi)發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，讓存儲(chǔ)芯片無(wú)限次擦寫(xiě)。報(bào)道中提到，電子科技大學(xué)光電科學(xué)與工程學(xué)院劉富才教授團(tuán)隊(duì)聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)、中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所在國(guó)際知名學(xué)術(shù)期刊《Science》上發(fā)表最新研究成果，開(kāi)發(fā)出"耐疲勞鐵電材料"，在全球范圍內(nèi)率先攻克困擾領(lǐng)域內(nèi)70多年的鐵電材料疲勞問(wèn)題。鐵電材料在經(jīng)歷反復(fù)極化切換后，極化只能實(shí)現(xiàn)部分翻轉(zhuǎn)，導(dǎo)致鐵電材料失效，即鐵電疲勞。這一問(wèn)題早在1953年就已被研究者發(fā)現(xiàn)報(bào)道，
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SK海力士全球首發(fā)128層消費(fèi)級(jí)TLC SSD：最大1TB、壽命保密

距離年初在CES上首次展示過(guò)去了半年多，SK海力士今天終于正式發(fā)布了新款SSD Gold P31，這是全球首款面向消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)的128層堆疊NAND閃存產(chǎn)品，也是SK海力士的第一款消費(fèi)級(jí)PCIe SSD。Gold P31基于SK海力士的所謂4D NAND，本質(zhì)上還是3D堆疊，依然基于3D CTF(電荷捕獲閃存)，只不過(guò)在存儲(chǔ)單元陣列之下增加了一個(gè)電路層。它在一年前就開(kāi)始量產(chǎn)了，128層堆疊，號(hào)稱(chēng)堆疊密度、容量密度都是最高，單顆芯片容量1Tb(128GB)，集成超過(guò)3600億個(gè)閃存單元。不過(guò)這一次，
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Microchip推出全新8通道Flashtec PCIe 第四代企業(yè)級(jí)NVMe?固態(tài)硬盤(pán)控制器

隨著數(shù)據(jù)中心支持的人工智能（AI）和機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）工作負(fù)載越來(lái)越多，市場(chǎng)需要具備更寬存儲(chǔ)帶寬和更高單機(jī)架存儲(chǔ)密度的云級(jí)別基礎(chǔ)設(shè)施。因此，市場(chǎng)的趨勢(shì)是按照如M.2和全球網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ)工業(yè)協(xié)會(huì)（SINA）新推出的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心固態(tài)硬盤(pán)外形尺寸（EDSFF） E1.S等行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，采用體積更小、且支持第四代PCIeò的非易失性存儲(chǔ)器高速（NVMe?）固態(tài)硬盤(pán)。這些固態(tài)硬盤(pán)要求控制器具備體積小和低功耗的特點(diǎn)，能驅(qū)動(dòng)NAND閃存發(fā)揮最大潛力，同時(shí)保持這種企業(yè)級(jí)NVMe固態(tài)硬盤(pán)所需的豐富功能集和可靠性。Microchip
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紫光P5160 M.2高性能SSD上架：原廠原片顆粒

紫光已經(jīng)推出了多款自己的SSD固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品，消費(fèi)級(jí)有SATA S100、M.2 P100等，企業(yè)級(jí)則有PCIe/U.2 P8260。今天，紫光悄然在京東商城上架了一款新的高性能M.2 SSD，型號(hào)為“P5160”，號(hào)稱(chēng)采用了原廠原片顆粒，容量256GB、512GB，但是主控未知，或許繼續(xù)與群聯(lián)合作。這款SSD是標(biāo)準(zhǔn)的M.2 2280形態(tài)，單面設(shè)計(jì)，無(wú)需散熱片，采用PCIe 3.0 x4接口并支持NVMe 1.3。性能方面，256GB的持續(xù)讀寫(xiě)3.2GB/s、1.25GB/s，隨機(jī)讀寫(xiě)200K IOPS、3
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層3D閃存月產(chǎn)能有望在年底達(dá)到6萬(wàn)片：或明年上馬128層

在被美日韓掌控的存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上，終于有中國(guó)公司可以殺進(jìn)去跟國(guó)際大廠正面競(jìng)爭(zhēng)了。紫光旗下的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）于今年三季度官方宣布，開(kāi)始量產(chǎn)64層堆棧3D閃存，容量256Gb，TLC芯片。外界預(yù)計(jì)，初期的月產(chǎn)能在5000片左右。來(lái)自業(yè)內(nèi)分析人士最新爆料稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的64層3D閃存芯片將在2020年底前把月產(chǎn)能提高到6萬(wàn)片。不過(guò)，接受采訪時(shí)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級(jí)副總裁程衛(wèi)華未對(duì)產(chǎn)能數(shù)據(jù)予以確認(rèn)，表示暫不能透露詳情，包括下一代更先進(jìn)產(chǎn)品的研發(fā)計(jì)劃。有報(bào)道猜測(cè)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)可能會(huì)跳過(guò)96層堆棧，預(yù)
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帶串行控制的10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器TLC1549在8051系統(tǒng)中的應(yīng)用

TLC1549是美國(guó)德州儀器公司生產(chǎn)的10位模數(shù)轉(zhuǎn)換器。它采用CMOS工藝，具有內(nèi)在的采樣和保持，采用差分基準(zhǔn)電壓高阻輸入，抗干擾，可按比例量程校準(zhǔn)轉(zhuǎn)換范
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一文解析SLC、MLC和TLC三者的區(qū)別

SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網(wǎng)訊：X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)
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第一款純國(guó)產(chǎn)SSD，紫光TLC性能有點(diǎn)小爆表

整個(gè)紫光TLC的表現(xiàn)還是相當(dāng)不錯(cuò)的，我們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在穩(wěn)步的前進(jìn)。起碼我么們現(xiàn)在的已經(jīng)是從無(wú)到有，可以期待未來(lái)從有到強(qiáng)。
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東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社宣布推出96層3D閃存

　　存儲(chǔ)器解決方案全球領(lǐng)導(dǎo)者東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社今日宣布，公司已開(kāi)發(fā)出采用堆疊式結(jié)構(gòu)[1]的96層BiCS FLASH?三維(3D)閃存的原型樣品，該產(chǎn)品采用三位元(三階存儲(chǔ)單元，TLC)技術(shù)。該96層新產(chǎn)品為256千兆比特(32GB)設(shè)備，其樣品預(yù)計(jì)將于2017年下半年發(fā)布，批量生產(chǎn)計(jì)劃于2018年啟動(dòng)。該新產(chǎn)品滿(mǎn)足企業(yè)級(jí)和消費(fèi)級(jí)SSD、智能手機(jī)、平板電腦和存儲(chǔ)卡等應(yīng)用的市場(chǎng)需求和性能規(guī)范。　　未來(lái)，東芝存儲(chǔ)器株式會(huì)社將在不久的將來(lái)在其512千兆比特(64GB)等較大容量產(chǎn)品中應(yīng)用其新的96層工
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具有高阻抗并行接口和內(nèi)部基準(zhǔn)電阻的TLC5510解析方案

1 TLC5510簡(jiǎn)介T(mén)LC5510是美國(guó)德州儀器(TI)公司的8位半閃速架構(gòu)A/D轉(zhuǎn)換器，采用CMOS工藝，大大減少比較器數(shù)。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采樣率，可廣泛應(yīng)用于高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換、數(shù)字TV、醫(yī)學(xué)圖像、視頻會(huì)議以及QAM解調(diào)器等
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SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
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MLC、TLC閃存價(jià)格下跌筆記本HDD硬盤(pán)死期不遠(yuǎn)了

SSD干掉HDD硬盤(pán)已經(jīng)不是可能不可能的問(wèn)題，只是時(shí)間長(zhǎng)短的問(wèn)題。
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2016年TLC儲(chǔ)存成本或與SAS硬盤(pán)死亡交*

　　資料儲(chǔ)存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動(dòng)，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(ConvergedInfrastructure)、DevOps(DevelopmentandOperations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。　　此外值得注意的是，TLC架構(gòu)的Flash存儲(chǔ)器借由需求性提升及單位成本快速下降，預(yù)期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低，并讓AllFlash資料中心的將進(jìn)入主流儲(chǔ)存領(lǐng)域。
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TrendForce：經(jīng)濟(jì)前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(zhǎng)有限

　　全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明，各項(xiàng)NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對(duì)保守，TrendForce旗下存儲(chǔ)事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求增長(zhǎng)，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(zhǎng)44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會(huì)加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(zhǎng)率將大幅增長(zhǎng)50%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?016年NAND Fl
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慧榮科技受邀參加金泰克新產(chǎn)品發(fā)表會(huì)，攜手發(fā)表最新TLC系列固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品

　　在設(shè)計(jì)和推廣固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備專(zhuān)用NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)憑借其優(yōu)異性能及高可靠度的產(chǎn)品設(shè)計(jì)，一直受到眾多儲(chǔ)存廠商的親睞。近日，該公司受?chē)?guó)內(nèi)知名SSD內(nèi)存品牌金泰克(Tigo)之邀，出席了其近日于深圳舉辦的TLC系列的固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品發(fā)布會(huì)。　　這款命名為T(mén)-One的固態(tài)硬盤(pán)采用了慧榮科技SM2256控制芯片，并搭配海力士最新16mn 128 Gb的TLC NAND閃存，展現(xiàn)出非凡的性能表現(xiàn)：該產(chǎn)品
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