- 對于消費市場來說，成本永遠都是令購買者最在意的一件事。日漸普及的SSD，當然也必須面對這樣的市場聲浪。TCL NAND目前已經是SSD降低成本的重要關鍵，當然，如何能讓TLC架構在維持低成本的同時，還能兼具效能與穩(wěn)定性，也成為了相關廠商正積極競逐的目標。
美光科技(Micron)儲存事業(yè)部行銷總監(jiān)Kevin Kilbuck指出，因應消費市場的需求，美光也針對高性能、高可靠性，且極注重成本的消費性應用，提供了量身訂制的解決方案。全新的快閃記憶體產品，是采用16nm制程技術的TLC NAND，能讓U
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美光 TLC
- 傳統(tǒng)的HDD機械式硬碟，由于機械式結構的復雜結構造成整體的不穩(wěn)定性，加上讀寫速度始終存在著瓶頸，這些原因使得SSD逐漸有機會加速淘汰傳統(tǒng)HDD硬碟，在更多領域發(fā)揮快速讀寫、穩(wěn)定存取的優(yōu)勢。
Marvell的DRAMless架構，讓SSD可以達到更小巧的體積。圖中正是128GB的SSD。
Marvell SSD事業(yè)群副總裁David Chen指出，比起SSD，傳統(tǒng)硬碟唯一的優(yōu)勢，只在于容量。然而一旦針對穩(wěn)定性與速度的話，傳統(tǒng)硬碟一點勝算都沒有。而目前隨著新一代的T
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Marvell TLC
- 現(xiàn)在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術發(fā)展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息。昨天5月14日，Intel & Richmax舉辦了一場技術講解會3D Nand Technical Workshop，Intel的技術人員在會議上具體揭示了Intel 3D NAND的計劃以及一些技術上的細節(jié)。
這場會議在深圳JW萬豪酒店舉行，參與會議的有相當多的業(yè)內朋友。來自Intel美國的產品工程經理Todd Myers，NAND產品交易開發(fā)工程師Tod
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SSD TLC
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產品的主流應用開始從記憶卡與隨身碟產品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲存裝置移動，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲存解決方案，預估今年TLC產出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產出的一半。
DRAMeXchange 研究協(xié)理楊文得表示，由于成本較具優(yōu)勢，過去TLC廣泛應用在記憶卡與隨身碟等外插式產品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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TLC NAND
- 三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術突破，加上控制晶片與錯誤修正韌體效能大幅精進，使得三層式儲存(TLC)NAND記憶體性價比較過去大幅提高，因而激勵消費性固態(tài)硬碟制造商擴大采用比例。
三層式儲存(TLC) NAND快閃記憶體市場滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進而持續(xù)下滑，各種終端應用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長。
在單層式儲存(SLC)、多層式儲存(MLC)及TLC三種形式的NAND
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三星 TLC NAND
- 三級單元(triple-level cell;TLC)快閃記憶體在進入客戶端市場兩年后，預計將進一步在資料中心獲得動能。但長期來看，由于 3D NAND 逐漸取代，傳統(tǒng)的 NAND 記憶體成長開始趨緩。
截至目前為止，TLC主要用于 USB 驅動器、快閃記憶卡、低成本智慧型手機與客戶端固態(tài)固碟(SSD);不過，市調公司Forward Insights首席分析師Gregory Wong指出，市場上目前已經看到 iPhone 6 開始采用了，預計它將在2015-2016年進一步滲透到高階智慧型手機與
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TLC 存儲器 Gartner
- 由于閃存技術的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領域。雖然其速度較以往的機械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個計算架構，閃存仍舊是計算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產線已經達到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術。
日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
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NAND MLC TLC
- 固態(tài)硬碟(SSD)價格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術逐漸擴散，帶動儲存容量擴大，并加速SSD大眾化時代的來臨。
據(jù)ET News報導，SSD將形成半導體新市場，價格跌幅相當明顯。外電引用市調機構IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價格在2014年第3季時為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。
南韓業(yè)界認為，目前價格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價格將降低至50美元以下。
南韓Woor
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3D NAND SSD TLC
- 11月9日，隨著關于iPhone6+功能缺陷的爭論高漲，蘋果已決定停止使用TLC NAND閃存技術。 據(jù)業(yè)內人士11月6日透露，蘋果已經決定停用TLC NAND閃存技術。蘋果認為，困擾64GB iPhone6和128GB iPhone6+的功能缺陷緣于TLC NAND閃存控制芯片中的一個問題。這種控制芯片據(jù)稱是由SSD制造商Anobit制造的，該公司在2011年被蘋果收購。
TLC NAND閃存是固態(tài)NAND快閃存儲器的一種。它的數(shù)據(jù)存儲量是SLC存儲器的三倍，是MLC存儲器的1.5倍。最重要的
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蘋果 iPhone 6 TLC
- 三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產品。關于這種閃存的原理、架構技術，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。
遺憾的是，沒有任何廠商公開談論過TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。
不過還是有個變通方法
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三星 閃存 TLC NAND
- 1 概述TLC5510是美國TI公司生產的新型模數(shù)轉換器件(ADC)，它是一種采用CMOS工藝制造的8位高阻抗并行A/D芯片，能提供的最小采樣率為20MSPS。由于TLC5510采用了半閃速結構及CMOS工藝，因而大大減少了器件中比較器的數(shù)
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CMOS 5510 TLC 工藝
- 1 TLC5510簡介TLC5510是美國德州儀器(TI)公司的8位半閃速架構A/D轉換器，采用CMOS工藝，大大減少比較器數(shù)。TLC5510最大可提供20 Ms/s的采樣率，可廣泛應用于高速數(shù)據(jù)轉換、數(shù)字TV、醫(yī)學圖像、視頻會議以及QAM解調器等
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5510 TLC 高阻抗 并行接口
- 英特爾今天宣布和鎂光一起發(fā)布25nm TLC閃存的第一款樣品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1個內存儲存單元可存放3位元。TLC速度慢，壽命短，但成本低，價格也較便宜，有2000-5000次擦寫壽命，非常適合U盤、SD卡和消費電子產品。新發(fā)布的芯片擁有8GB容量，芯片面積131平方毫米，比25納米制程MLC還小20%，以下是圖像：
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英特爾 25nm TLC
- TLC1549是美國德州儀器公司生產的10位模數(shù)轉換器。它采用CMOS工藝，具有內在的采樣和保持，采用差分基準電壓高阻輸入，抗干擾，可按比例量程校準轉換范圍，總不可調整誤差達到±1LSB Max（4.8mV）等特點。
- 關鍵字：
1549 8051 TLC 串行控制
- 介紹了Σ-Δ型ADC和DAC的特點及構成，并詳細論述了Σ-Δ型立體聲ADA電路TLC320AD75C的模擬與數(shù)字音頻數(shù)據(jù)接口技術、DAC的串行控制接口技術及該類器件的使用注意事項。
- 關鍵字：
ADA 320 75C TLC
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