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HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求
- 三星、SK海力士及美光等國際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進度來看，2024年HBM3e將是市場主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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需求轉(zhuǎn)弱 電視面板漲幅收斂
- TrendForce公布5月下旬報價，由于電視面板備貨需求降溫，32吋、43吋等中小電視面板報價持平，65吋以上的大尺寸電視面板小漲2美元。面板廠沖刺監(jiān)視器面板獲利，5月價格續(xù)漲，全尺寸漲幅約0.5～0.6美元，筆電面板需求復(fù)蘇不如預(yù)期，僅TN面板價格小漲0.1美元。TrendForce研究副總范博毓表示，5月觀察到電視面板備貨動能開始出現(xiàn)些許減弱跡象，其中又以50吋以下的中小尺寸電視面板需求減弱較為明顯，一方面反映出華南代理商與白牌市場需求松動的影響，另一方面也反映近期品牌客戶仍多著墨在大尺寸產(chǎn)品需求上
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第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢原先預(yù)估，第二季DRAM合約價季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時從合約價先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價格就可看出，現(xiàn)貨價已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機
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2025年HBM價格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機會逾三成。2024年HBM
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2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達91.7億美元
- TrendForce集邦咨詢最新《2024全球SiC Power Device市場分析報告》顯示，盡管純電動汽車（BEV）銷量增速的明顯放緩已經(jīng)開始影響到SiC供應(yīng)鏈，但作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向，SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢，未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢，預(yù)估2028年全球SiC Power Device市場規(guī)模有望達到91.7億美金。Tesla和比亞迪是兩個備受矚目的BEV品牌，近期均報告了令人失望的銷售數(shù)據(jù)，其中Tesla在1
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存儲大廠技術(shù)之爭愈演愈烈
- AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲數(shù)據(jù)需求，也對存儲技術(shù)提出了更高要求，這一背景下，存儲大廠技術(shù)競爭愈演愈烈。閃存方面，大廠聚焦層數(shù)突破。近期，韓媒報道，三星電子預(yù)計將于本月晚些時候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存，該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存，即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu)，層數(shù)將達到290層。另據(jù)業(yè)界預(yù)測，三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達到430層，屆時三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠的未來，三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計劃2030年
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SSD價格一漲再漲
- 繼內(nèi)存HBM產(chǎn)能緊缺之后，存儲市場又出現(xiàn)短缺現(xiàn)象。2021年存儲芯片市場步入低迷，SSD價格已持續(xù)下跌約兩年，為應(yīng)對市場變化，存儲器廠商減產(chǎn)NAND Flash，隨著市場減產(chǎn)策略有效實施，部分需求提升，SSD開始供應(yīng)緊縮。近期，市場傳NAND Flash產(chǎn)品企業(yè)級固態(tài)硬盤 (SSD) 陷入短缺。對此業(yè)界認為，主要是由于AI熱潮加上全球科技巨頭大舉建設(shè)數(shù)據(jù)中心，帶動存儲設(shè)備需求大幅增長，導(dǎo)致SSD供不應(yīng)求。在此之下，存儲大廠開始有所動作。SSD供不應(yīng)求供應(yīng)商漲勢猛烈1三星調(diào)漲企業(yè)級SSD售價過去兩周，業(yè)界傳
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TrendForce集邦咨詢：震后晶圓代工、內(nèi)存產(chǎn)能最新情況追蹤
- TrendForce集邦咨詢針對403震后各半導(dǎo)體廠動態(tài)更新，由于本次地震大多晶圓代工廠都位屬在震度四級的區(qū)域，加上臺灣地區(qū)的半導(dǎo)體工廠多以高規(guī)格興建，內(nèi)部的減震措施都是世界頂尖水平，多半可以減震1至2級。以本次的震度來看，幾乎都是停機檢查后，迅速復(fù)工進行，縱使有因為緊急停機或地震損壞爐管，導(dǎo)致在線晶圓破片或是毀損報廢，但由于目前成熟制程廠區(qū)產(chǎn)能利用率平均皆在50~80%，故損失大多可以在復(fù)工后迅速將產(chǎn)能補齊，產(chǎn)能損耗算是影響輕微。DRAM方面，以位于新北的南亞科（Nanya）Fab3A，以及美光（Mic
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第二季NAND Flash合約價季漲13~18%，Enterprise SSD漲幅最高
- TrendForce集邦咨詢表示，除了鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)（WDC）自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率外，其它供應(yīng)商大致維持低投產(chǎn)策略。盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍持續(xù)受供應(yīng)商庫存降低，以及減產(chǎn)效應(yīng)影響，預(yù)估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%。eMMC方面，中國智能手機品牌為此波eMMC最大需求來源，由于部分供應(yīng)商已降低供應(yīng)此類別產(chǎn)品，中國模組廠出貨大幅提升。買方為了滿足生產(chǎn)需求開始擴大采用模組廠方案，助益中國模組廠技術(shù)進一步升級及
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2023年第四季全球智能手機產(chǎn)量同比增長約12.1%
- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，全球智能手機產(chǎn)量在2023年第三季終結(jié)連續(xù)8個季度的年衰退，至第四季品牌進行年末沖刺以鞏固市占率，帶動去年第四季智能手機產(chǎn)量同比增長12.1%，約3.37億支，而2023全年產(chǎn)量約11.66億支，年減2.1%。展望2024年，與2023年相較雖不復(fù)見渠道庫存的壓力，但由于市場復(fù)蘇情況仍待觀察，產(chǎn)業(yè)發(fā)展則聚焦AI應(yīng)用，透過處理器大廠及品牌端的合作將加速AI賦能的智能手機逐步普及。因應(yīng)年末消費旺季及鞏固市占率，品牌均加大生產(chǎn)目標(biāo)受惠于新機iPhone 15系列發(fā)表，蘋果
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AI PC下半年出貨 戰(zhàn)況白熱化
- Edge AI應(yīng)用將在今年推動AI PC及AI服務(wù)器產(chǎn)業(yè)動能的大勢已定，研調(diào)機構(gòu)預(yù)期，隨著微軟Copilot進入商轉(zhuǎn)，三大芯片廠Qualcomm（高通）及Intel（英特爾）、AMD（超威）競逐AI PC將白熱化，下半年各品牌廠的新品陸續(xù)出貨后，要到2025年才可望見證更快速的增長。另一方面，全球含括訓(xùn)練型以及推論型（AI Training及AI Inference）的AI服務(wù)器，今年度也將以年增40％的力道、成長至達160萬臺以上，后續(xù)隨著CSP（云端服務(wù)供貨商）的更加積極投入，亦將持續(xù)推動AI服務(wù)器的
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2024年Copilot進入商用，將同步帶動AI Server及終端AI PC發(fā)展
- AI話題熱議，2024年將拓展至更多邊緣AI應(yīng)用，或延續(xù)AI server基礎(chǔ)，推至AI PC等終端裝置。TrendForce集邦咨詢預(yù)期，2024年全球AI服務(wù)器（包含AI Training及AI Inference）將超過160萬臺，年成長率達40%，而后續(xù)預(yù)期CSP也將會更積極投入。由于嚴謹?shù)腅dge AI應(yīng)用，將回歸至終端的AI PC，借以落實分散AI服務(wù)器的工作量能，并且擴大AI使用規(guī)模的可能性。據(jù)此，TrendForce集邦咨詢定義AI PC需達Microsoft要求的40
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存儲器廠憂DRAM漲勢受阻
- 韓國存儲器大廠SK海力士透露，因市況好轉(zhuǎn)，考慮在第一季增產(chǎn)部分特殊DRAM，市場擔(dān)心稼動率回升，破壞以往存儲器大廠減產(chǎn)提價共識，恐不利后續(xù)DRAM漲勢。觀察16日存儲器族群股價，包括鈺創(chuàng)、華邦電、南亞科、點序、十銓、品安、晶豪科等，股價跌幅逾2％，表現(xiàn)較大盤弱勢。惟業(yè)界人士認為，包括三星、SK海力士及美光等三大原廠產(chǎn)能，多往1-alpha／beta先進制程升級，以滿足獲利較佳DDR5及高帶寬存儲器（HBM）需求，預(yù)期利基型DRAM后市仍呈正向趨勢。SK海力士執(zhí)行長郭魯正先前在2024年拉斯韋加斯消費性電子
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2023年中國芯片：進口額下滑15.4%，進口量下降10.8%
- 根據(jù)中國海關(guān)總署最新公布數(shù)據(jù)，2023年中國集成電路(IC)進出口數(shù)量和金額均出現(xiàn)下降。值得注意的是，我國正在不斷提高本地芯片產(chǎn)量以應(yīng)對未來長期發(fā)展。進口數(shù)據(jù)上，2023年中國累計進口集成電路4795億顆，較2022年下降10.8%；進口金額3494億美元，下降15.4%。此外，2023年中國二極管和類似半導(dǎo)體組件（普通商品芯片的代表）的進口量也下降了23.8%。圖片來源：海關(guān)總署在出口數(shù)據(jù)方面，2023年中國累計出口集成電路2678億顆，較2022年下降1.8%；出口金額13.60萬美元，下降10.1%
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大廠有意擴產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存
- 內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計劃階段性擴產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對內(nèi)存大廠有意擴產(chǎn)，國內(nèi)存儲器廠商則認為，海力士擴廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因為臺灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報價。TrendForc
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