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SiC功率半導體器件需求年增29%，X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產能
- 隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術，現(xiàn)已變得更具性價比。此外，隨著市場的增長，由于規(guī)模經濟的關系，SiC或GaN晶體管和二極管在經濟上也越來越具有吸引力?！ 」β拾雽w(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實現(xiàn)短得多的反向恢復時間，從而實現(xiàn)更快的開關。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。就其本身
- 關鍵字： X-FAB SiC
安森美半導體推動電動汽車充電樁市場創(chuàng)新發(fā)展
- 電動汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動力，用電機驅動車輪行駛，符合道路交通、安全法規(guī)各項要求的車輛由于對環(huán)境影響相對傳統(tǒng)汽車較小，它的前景被廣泛看好近年來在國家環(huán)保政策的激勵下，在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下，電動汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場，中國新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據Goldman Sachs報道，2016年中國電動汽車占全世界電動汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據中國的“一車一樁”計劃，電動汽車充電樁總數在2020年將達480萬個，與現(xiàn)
- 關鍵字： 安森美 IGBT SiC
安森美半導體獲UAES頒發(fā)“年度杰出合作供應商獎”
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)，宣布獲聯(lián)合汽車電子系統(tǒng)有限公司(United Automotive Electronic Systems，簡稱UAES)頒發(fā)“2017年度杰出合作供應商獎”。安森美半導體是UAES最近的供應商大會上3家獲獎的半導體供應商之一?！ ≡摢務J同安森美半導體寬廣的產品陣容的價值，這些產品用于UAES領先行業(yè)的先進汽車系統(tǒng)方案。安森美半導體能提供大量關鍵器件用于從動力總成到汽車功能電子化、從傳統(tǒng)模塊如發(fā)動機控制單元(ECU)和點火系統(tǒng)到最新的牽引
- 關鍵字： 安森美 SiC
寬禁帶技術-下一代功率器件
- 行業(yè)標準的收緊和政府法規(guī)的改變是使產品能效更高的關鍵推動因素。例如，數據中心正在成倍增長以滿足需求。它們使用的電力約占世界總電力供應(400千瓦時)的3%，占溫室氣體排放總量的2%。航空業(yè)的碳排放量也一樣。隨著對能源的巨大需求，各國政府正在采取更嚴格的標準和新的監(jiān)管措施，以確保所有依賴能源的產品都需具有最高能效。 同時，我們看到對更高功率密度和更小空間的要求。電動汽車正盡量減輕重量和提高能效，從而支持每次充電能續(xù)航更遠的里程。車載充電器(OBC)和牽引逆變器現(xiàn)在正使用寬禁帶(WBG)產品來實現(xiàn)這一目
- 關鍵字： SiC GaN
低功耗SiC二極管實現(xiàn)最高功率密度
- 相較于硅，碳化硅(SiC)肖特基二極管采用全新的技術，提供更出色的開關性能和更高的可靠性。SiC無反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開關特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體?！ “采腊雽w擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。工程師在設計用于太陽能光伏逆變器、電動車/混和動力電動車(EV / HEV)充電器、電信電源和數據中心電源等各類應用的PFC和升壓轉換器時，往往面對在更小尺寸實現(xiàn)更高能效的挑戰(zhàn)。這些全新的二極管能為工程師解決這些挑
- 關鍵字： 肖特基二極，SiC
工業(yè)設備輔助電源驅動用的SiC電源解決方案
- 前言 包括光伏逆變器、電氣驅動裝置、UPS及HVDC在內的功率轉換系統(tǒng)，需要柵極驅動器、微控制器、顯示器、傳感器及風扇來使系統(tǒng)正常運行。這類產品需要能夠提供12V或24V低電壓電源的輔助電源。輔助電源則需要輸入通常工業(yè)設備所使用的三相400/480V AC電源、或太陽能光伏逆變器所使用的高電壓DC電源才能工作。本文將介紹融入了ROHM的SiC技術優(yōu)勢且設計簡單、性價比高的電源解決方案?！ ⌒⌒洼o助電源用SiC MOSFET 圖1是輔助電源所用的普通電路。在某些輸入電壓條件下，MOSFET的最高耐壓
- 關鍵字： SiC，MOSFET
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現(xiàn)新突破
- 6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了。” SiC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
- 關鍵字： SiC
我國半導體SiC單晶粉料和設備生產實現(xiàn)新突破
- 6月5日，在中國電子科技集團公司第二研究所(簡稱中國電科二所)生產大樓內，100臺碳化硅(SiC)單晶生長設備正在高速運行，SiC單晶就在這100臺設備里“奮力”生長。 中國電科二所第一事業(yè)部主任李斌說：“這100臺SiC單晶生長設備和粉料都是我們自主研發(fā)和生產的。我們很自豪，正好咱們自己能生產了?！薄 iC單晶是第三代半導體材料，以其特有的大禁帶寬度、高臨界擊穿場強、高電子遷移率、高熱導率等特性， 成為制作高溫、高頻、大功率、抗輻照、短波發(fā)光及光電集成器件的理想材料，是新一代雷達、衛(wèi)星通訊、高壓
- 關鍵字： SiC
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