全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?! 澳侥岷谏虾k娮诱?不僅是亞洲領先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設備”為軸,為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設備”在內的5大解決方案展區(qū),囊括了業(yè)界領先的強大產品陣容。另外,為此
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ROHM SiC
慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商,則攜物聯(lián)網、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產品及方案亮相。 憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產品的展示,世強元件電商吸引了大批工程師
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SiC GaN
據麥姆斯咨詢報道,一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導體器件在關鍵行業(yè)的應用,化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網絡協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用,提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發(fā)展背后的關鍵器件都是由化合物半導體制造而成??其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告,還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。
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5G SiC
Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板,在200kHz開關頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設計旨在提高設計可靠性,同時減少創(chuàng)建額外原型的需求,為電源轉換和儲能客戶節(jié)省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
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ADI SiC
推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體?(ON?Semiconductor,美國納斯達克上市代號:ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產品,擴展了SiC二極管產品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術提供更高的開關性能、更低的功率損耗,并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)?! “采腊雽w最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
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安森美 SiC
納微 (Navitas)半導體宣布其現(xiàn)場應用及技術營銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國臺北舉辦的“2018前瞻電源設計與功率組件技術論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實現(xiàn)下一代電源適配器設計”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內首個及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項活動的銀級贊助商,該活動為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個交互論壇,以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識?! ↑S萬年
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納微 SiC
近年來,出于地球溫室化對策和減少空氣污染的考慮,對汽車的環(huán)保性能要求越來越高。世界各國均已制定了新能源汽車的開發(fā)和引進計劃,未來新能源汽車的普及將會進一步加速。其中,中國新能源汽車市場發(fā)展勢頭最為迅猛。隨著中國新能源汽車市場的迅速壯大和新能源汽車技術的快速發(fā)展,越來越多的中國新能源汽車品牌開始走出國門,投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場。 作為全球知名半導體制造商, ROHM一直以來都將汽車市場為主要目標領域,通過開發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創(chuàng)新型高
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ROHM SiC
隨著技術的不斷更新?lián)Q代,以及電動汽車市場的巨大助力,SiC產品有望迎來快速增長期。
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電動汽車 SiC
近日,863計劃先進制造技術領域“大尺寸SiC材料與器件的制造設備與工藝技術研究”課題通過了技術驗收。
通常,國際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體材料稱之為第三代半導體材料。其在禁帶寬度、擊穿場強、電子飽和漂移速度、熱導率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢,特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯,由于第三代半導體材料的制造裝備對設備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場分布、設備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質量和成品率的關鍵技術有很高的
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半導體 SiC
摘要 本文評測了主開關采用意法半導體新產品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉換器的電熱特性,并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測試結果證明,新SiC碳化硅開關管提升了開關性能標桿,讓系統(tǒng)具更高的能效,對市場上現(xiàn)有系統(tǒng)設計影響較大?! ∏把浴 ∈袌鰧﹂_關速度、功率、機械應力和熱應力耐受度的要求日益提高,而硅器件理論上正在接近性能上限?! 拵栋雽w器件因電、熱、機械等各項性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好,被認為是硅半導體器件的替代技術。在這些新材料中,兼容硅
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MOSFET SiC
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創(chuàng)新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網自不必說,而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。
圖1:整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
近年來,SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對產品小型化、輕量化的貢獻,在新能源汽車、城市基礎設施、環(huán)境/能源,以及工業(yè)設備領域的應用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產品相比,SiC產品憑借更低的開關損耗,可實現(xiàn)設備中冷卻機構的小型化。同時,通過更高頻率的開關動作,還可實現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化??梢?,SiC是可以同時實現(xiàn)設備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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ROHM SiC 汽車
在經過多年的疑慮和猶豫之后,SiC器件終于迎來了春天。
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SiC Cree
SiC在電源轉換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當然,要進行大批量生產,逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外,還必須具備適當?shù)目煽啃?,以及足夠的閾值電壓和以應用為導向的短路耐受能力等??膳cIGBT兼容的VGS=15V導通驅動電壓,以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
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電源轉換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
人體信息監(jiān)控是一個新興的領域,人們設想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網實現(xiàn)家庭監(jiān)護。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經有了.
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SiC 集成技術 生物電信號 采集方案
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