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ultra c sic 文章 進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區(qū)
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開(kāi)關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)
- 奈梅亨,2023年11月30日:基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET,并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件,RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品,隨后Nexperia將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容,推出多款具有不同RDS(on)的器件,并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高,可滿足電動(dòng)
- 關(guān)鍵字: Nexperia SiC MOSFET 工業(yè)電源開(kāi)關(guān)
三菱電機(jī)將與安世攜手開(kāi)發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
- 11月,日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體(Nexperia)宣布,將聯(lián)合開(kāi)發(fā)高效的碳化硅(SiC)MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開(kāi)發(fā),將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度,同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn),預(yù)計(jì)最早將于2023年內(nèi)開(kāi)始供應(yīng)。公開(kāi)消息顯示,安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭,目前是中國(guó)聞泰科技的子公司。11月初,安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購(gòu)的英國(guó)NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司,三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點(diǎn)不同,前者以“多個(gè)離散元件組合
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理想自研芯片進(jìn)展曝光:在新加坡設(shè)立辦公室,團(tuán)隊(duì)規(guī)模已超160人
- 11 月 21 日消息,據(jù)晚點(diǎn) LatePost 報(bào)道,在芯片自研方面,理想同時(shí)在研發(fā)用于智能駕駛場(chǎng)景的 AI 推理芯片,和用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制器的 SiC 功率芯片。報(bào)道稱,理想目前正在新加坡組建團(tuán)隊(duì),從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場(chǎng)應(yīng)用 LinkedIn 上,已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個(gè)新加坡招聘崗位,包括:總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設(shè)計(jì)專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設(shè)計(jì)專家。報(bào)道還稱,用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
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Nexperia與三菱電機(jī)就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機(jī)公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開(kāi)發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機(jī)都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),雙方聯(lián)手開(kāi)發(fā),將促進(jìn)SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度,同時(shí)滿足對(duì)高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長(zhǎng)的需求。三菱電機(jī)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機(jī)等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠,在業(yè)界享有盛譽(yù)。日本備受贊譽(yù)的高速新干線列車采用了這些模塊,并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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三菱電機(jī)和Nexperia合作開(kāi)發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
- 三菱電機(jī)將與Nexperia(安世)合力開(kāi)發(fā)SiC芯片,通過(guò)SiC功率模塊來(lái)積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。東京--(美國(guó)商業(yè)資訊)--三菱電機(jī)株式會(huì)社(Mitsubishi Electric Corporation,TOKYO: 6503)今天宣布,將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同開(kāi)發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開(kāi)發(fā)并提供SiC MOSFET芯片,Nexperia將使用這些芯片開(kāi)發(fā)SiC分離器件。電動(dòng)汽車市場(chǎng)正在全球范圍內(nèi)擴(kuò)大,并有助于推動(dòng)Si
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電裝5億美元入股這家SiC公司
- 11月6日,株式會(huì)社電裝(Denso)宣布對(duì)Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元,入股后,電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長(zhǎng)期穩(wěn)定采購(gòu)。關(guān)于本次投資,市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報(bào)道稱,電裝、三菱電機(jī)等多家企業(yè)對(duì)投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣,并且已經(jīng)就收購(gòu)Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數(shù)股權(quán)進(jìn)行過(guò)討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機(jī)會(huì),同時(shí)也是對(duì)SiC發(fā)展前景的看好,Coher
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蘋果 M3 Max 芯片跑分曝光,單核成績(jī)比 M2 Ultra 高 9%
- 11 月 2 日消息,蘋果公司在近日召開(kāi)的“來(lái)勢(shì)迅猛”主題活動(dòng)中,正式發(fā)布了 M3、M3 Pro、M3 Max 芯片。在 M3 芯片現(xiàn)身 GeekBench 跑分庫(kù)之后,M3 Max 芯片也出現(xiàn)在該跑分平臺(tái)上。在 GeekBench 跑分庫(kù)上,搭載 M3 Max 芯片的設(shè)備標(biāo)識(shí)符為 Mac15,9,目前共有 4 條信息,其中一條單核成績(jī)跑分為 2943 分,多核為 21084 分。相比較而言,搭載 M2 Ultra 的 Mac Studio 單核得分為 2692 分,多核得分為 21231 分。以上述多核
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應(yīng)對(duì)汽車檢測(cè)認(rèn)證機(jī)構(gòu)測(cè)試需求,泰克提供SiC性能評(píng)估整體測(cè)試解決方案
- _____近年來(lái),在國(guó)家“雙碳”戰(zhàn)略指引下,汽車行業(yè)油電切換提速,截至2022年新能源汽車滲透率已經(jīng)超過(guò)25%。汽車電動(dòng)化浪潮中,半導(dǎo)體增量主要來(lái)自于功率半導(dǎo)體,根據(jù) Strategy Analytics,功率半導(dǎo)體在汽車半導(dǎo)體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動(dòng)車的55%,躍升為占比最大的半導(dǎo)體器件。同其他車用電子零部件一樣,車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體也須通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項(xiàng)測(cè)試要求。對(duì)于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體器件,業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測(cè)試評(píng)估流程。而對(duì)于近兩年被普遍應(yīng)用于開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字: 汽車檢測(cè)認(rèn)證 泰克 SiC
通過(guò)碳化硅(SiC)增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)
- 電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案,可作為硅MOSFET 或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案,改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種,分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)。此外,鋰離子電池技術(shù)成熟,因
- 關(guān)鍵字: 202310 碳化硅 SiC 電池儲(chǔ)能系統(tǒng)
良率超 50%,全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC
- IT之家 10 月 27 日消息,全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股(GlobalWafers)董事長(zhǎng)徐秀蘭表示,公司克服了量產(chǎn)碳化硅(SiC)晶圓的重重技術(shù)難關(guān),已經(jīng)將 SiC 晶圓推進(jìn)至 8 英寸,和國(guó)際大廠保持同步。徐秀蘭預(yù)估將會(huì)在 2024 年第 4 季度開(kāi)始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品,2025 年大幅增長(zhǎng),到 2026 年占比超過(guò) 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率,已經(jīng)超過(guò) 50%,而且有進(jìn)一步改善的空間,明年上半年開(kāi)始交付相關(guān)樣品。IT之家從報(bào)道中
- 關(guān)鍵字: 晶圓廠 SiC
2024年全球超過(guò)一半的SiC晶圓可能來(lái)自中國(guó)
- 2023年,中國(guó)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)歷史性突破。 在碳化硅(SiC)晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域,尤其得到國(guó)際IDM廠商的認(rèn)可,中國(guó)廠商產(chǎn)能大幅提升。 此前,來(lái)自中國(guó)的SiC材料僅占全球市場(chǎng)的5%。 然而,到2024年,預(yù)計(jì)將搶占可觀的市場(chǎng)份額。該領(lǐng)域的主要中國(guó)公司,包括SICC、TankeBlue和三安,幾乎都將產(chǎn)能擴(kuò)大了千倍。我國(guó)大約有四到五家從事SiC晶體生長(zhǎng)的龍頭企業(yè),為測(cè)算我國(guó)SiC晶體生長(zhǎng)產(chǎn)能提供了依據(jù)。 目前,他們的月產(chǎn)能合計(jì)約為60,000單位。 隨著各公司積極增產(chǎn),預(yù)計(jì)到2024年月產(chǎn)能將達(dá)到12萬(wàn)單位
- 關(guān)鍵字: SiC 碳化硅
SiC主驅(qū)逆變器讓電動(dòng)汽車延長(zhǎng)5%里程的秘訣
- 不斷增長(zhǎng)的消費(fèi)需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識(shí)/環(huán)境法規(guī)約束,以及越來(lái)越豐富的可選方案,都在推動(dòng)著人們選用電動(dòng)汽車 (EV),令電動(dòng)汽車日益普及。高盛近期的一項(xiàng)研究顯示,到 2023 年,電動(dòng)汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%;到 2030 年,預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至 30%;到 2035 年,電動(dòng)汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而,“里程焦慮”,也就是擔(dān)心充一次電后行駛里程不夠長(zhǎng),則是影響電動(dòng)汽車普及的主要障礙之一??朔@一問(wèn)題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長(zhǎng)車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
- 關(guān)鍵字: 電動(dòng)汽車 逆變器 SiC MOSFET
25 年資深專家?guī)ш?duì),三星已布局推進(jìn)碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
- IT之家 10 月 19 日消息,根據(jù)韓媒 ETNews 報(bào)道,三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體團(tuán)隊(duì),已經(jīng)任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫?。⊿tephen Hong)擔(dān)任副總裁,負(fù)責(zé)監(jiān)管相關(guān)業(yè)務(wù)。洪錫俊是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家,在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗(yàn),加入三星后,他負(fù)責(zé)領(lǐng)導(dǎo)這項(xiàng)工作。洪錫俊負(fù)責(zé)組建和帶領(lǐng)這支 SiC 商業(yè)化團(tuán)隊(duì),同時(shí)積極與韓國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)合作進(jìn)行市場(chǎng)和商業(yè)可行性研究。值得注意的是,三星在正式進(jìn)軍 GaN(氮化鎵)業(yè)
- 關(guān)鍵字: 三星 SiC
SiC MOSFET 器件特性知多少?
- 對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)超過(guò) 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事,即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用,但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢,因此僅限用于較低的工作頻率。因此,硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作,而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件,能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
- 關(guān)鍵字: SiC MOSFET IGBT WBG
SiC和GaN的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)
- 1? ?SiC和GaN應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)我們對(duì)汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場(chǎng)中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵(GaN)應(yīng)用感興趣。一些具體的例子包括:●? ?電動(dòng)汽車(EV):SiC和GaN 可用于電動(dòng)汽車,以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如,SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電,以減少功率損耗并提高效率。●? ?數(shù)據(jù)中心:SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源,以提高效率并降低運(yùn)營(yíng)成本?!? ?可再生能
- 關(guān)鍵字: 202310 SiC GaN 安世半導(dǎo)體
ultra c sic介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條ultra c sic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)ultra c sic的理解,并與今后在此搜索ultra c sic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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