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ultra c sic 文章 進(jìn)入ultra c sic技術(shù)社區(qū)
SiC邁入8英寸時(shí)代,國(guó)際大廠量產(chǎn)前夕國(guó)內(nèi)廠商風(fēng)口狂追
- 近日,包括Wolfspeed、韓國(guó)釜山政府、科友等在第三代半導(dǎo)體SiC/GaN上出現(xiàn)新進(jìn)展。從國(guó)內(nèi)外第三代化合物進(jìn)展看,目前在碳化硅領(lǐng)域,國(guó)際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕,國(guó)產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力,產(chǎn)業(yè)鏈條進(jìn)一步完善成熟,下文將進(jìn)一步說(shuō)明最新情況。SiC/GaN 3個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)公布Wolfspeed德國(guó)8英寸SiC工廠或?qū)⒀舆t至明年建設(shè)近日,據(jù)外媒消息,Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設(shè)的德國(guó)8英寸SiC晶圓廠建設(shè)計(jì)劃或被推遲,最早將于2025年開(kāi)始。據(jù)悉,該工廠由Wolfsp
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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂
- 3月28日消息,當(dāng)?shù)貢r(shí)間3月26日,Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解,該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣,總投資50億美元(約合人民幣356億元),占地面積445英畝,主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前,該工廠已有一些長(zhǎng)晶爐設(shè)備進(jìn)場(chǎng),預(yù)計(jì)2024年底將完成一期工程建設(shè),2025年上半年開(kāi)始生產(chǎn),預(yù)計(jì)竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期,Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議,查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持,同
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近年來(lái)對(duì)碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來(lái)對(duì)碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,市場(chǎng)研究公司TrendForce表示,對(duì)于SiC的成本降低呼聲越來(lái)越高,因?yàn)樽罱K產(chǎn)品價(jià)格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個(gè)成本結(jié)構(gòu)的比例最高,約占50%。因此,襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢(shì),大尺寸襯底逐漸開(kāi)始被采用,市場(chǎng)對(duì)其寄予了很高的期望。中國(guó)SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計(jì)算,從4英寸升級(jí)到6英寸可以使單位成本降低50%,從6英寸升級(jí)到8英寸可以再次降低35%。與此同時(shí),8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片,從而減少邊緣浪
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如何通過(guò)SiC增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)?
- 電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí),就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案,可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案,改善BESS的性能。圖1:BESS 實(shí)施概覽BESS 的優(yōu)勢(shì)最常用的儲(chǔ)能方法有四種,分別是電化學(xué)儲(chǔ)能、化學(xué)儲(chǔ)能、熱儲(chǔ)能和機(jī)械儲(chǔ)能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲(chǔ)能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點(diǎn)
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SiC是如何「拯救」降價(jià)車企的?
- 進(jìn)入 2024 年,10 多家車企紛紛宣布降價(jià)。車企給供應(yīng)商的降價(jià)壓力更大,普遍要求降價(jià) 20%,過(guò)去一般是每年降 3%-5%。有觀點(diǎn)認(rèn)為,車市降價(jià)是由于新技術(shù)帶來(lái)的成本下降,但從大背景來(lái)看,2 月銷量下滑,或是更多企業(yè)加入價(jià)格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個(gè)角度來(lái)看,成本的下降確實(shí)會(huì)緩解降價(jià)的壓力,SiC(碳化硅)會(huì)不會(huì)是出路呢?降價(jià)風(fēng)波始末2 月 19 日,可以說(shuō)是一切的開(kāi)始。降價(jià)潮是由比亞迪掀起的,從 2 月 19 日到 3 月 6 日,在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里,比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
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納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
- 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展,邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造,象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC: NCA1462-Q1
- 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級(jí)CAN SIC(信號(hào)改善功能,Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。相比當(dāng)前主流的CAN FD車載通信方案,NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標(biāo)準(zhǔn)的前提下,進(jìn)一步兼容CiA 601-4標(biāo)準(zhǔn),可實(shí)現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能,即使在星型網(wǎng)絡(luò)多節(jié)點(diǎn)連接的情況下,NCA1462-Q1仍具有良好的信號(hào)質(zhì)量;此外,超高的EMC表現(xiàn),更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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相當(dāng)于4塊 M2 Ultra,蘋果汽車項(xiàng)目所用芯片細(xì)節(jié)曝光:已接近完成
- 3 月 12 日消息,彭博社的馬克?古爾曼(Mark Gurman)在周一的 Q&A 活動(dòng)中,披露了蘋果公司目前已經(jīng)擱置的“泰坦”汽車項(xiàng)目更多細(xì)節(jié),表示 Apple Silicon 團(tuán)隊(duì)深入?yún)⑴c,其定制芯片性能相當(dāng)于 4 塊 M2 Ultra 芯片拼接。IT之家簡(jiǎn)要回顧下蘋果 M2 Ultra 芯片的細(xì)節(jié):每個(gè) M2 Ultra 芯片配有 1340 億個(gè)晶體管,共有 24 核 CPU、最高 76 核的 GPU 和一個(gè)專用的 32 核神經(jīng)引擎(NPU)。蘋果在新一代 Mac Studio 和
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基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計(jì)為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用鋪平了道路
- 先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用(如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等)需要相匹配的逆變器支持,但業(yè)界一直為其開(kāi)發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導(dǎo)體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅(SiC)功率器件的完整逆變器參考設(shè)計(jì)很好地解決了這一問(wèn)題。該參考設(shè)計(jì)整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動(dòng)器,Silicon Mobility公司的控制板和軟件,超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器,直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用提供了一個(gè)已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開(kāi)發(fā)平
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Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
- 中國(guó) 北京,2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅(SiC)模塊,其中兩款為半橋配置,兩款為全橋配置,導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動(dòng)汽車充電站、儲(chǔ)能、工業(yè)電源和太陽(yáng)能等應(yīng)用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個(gè)分立式 SiC FET,從而簡(jiǎn)化
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小米14 Ultra發(fā)布:全面Ultra,見(jiàn)證新層次
- 近日,小米召開(kāi)主題為“新層次”的新品發(fā)布會(huì),正式推出了小米14 Ultra手機(jī)。新機(jī)搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái),集小米領(lǐng)先技術(shù)于一身,帶來(lái)全方位跨越的新一代專業(yè)影像旗艦,讓真實(shí)有層次。智能體驗(yàn)新層次小米14 Ultra搭載了第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái),該平臺(tái)集終端側(cè)AI、強(qiáng)悍性能和能效于一體。相較上一代平臺(tái),第三代驍龍8的Hexagon NPU AI性能提升高達(dá)98%,能效提升高達(dá)40%;全新的Kryo CPU最高主頻高達(dá)3.3GHz,性能提升30%,能效提升20%;Adreno GPU的圖形渲染速度也有25%的
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第三代驍龍8助力Xiaomi 14 Ultra定義移動(dòng)影像新層次
- 2月22日,小米召開(kāi)Xiaomi 14 Ultra暨“人車家全生態(tài)”新品發(fā)布會(huì),正式發(fā)布全新Xiaomi 14 Ultra。搭載第三代驍龍8移動(dòng)平臺(tái)的龍年開(kāi)年旗艦Xiaomi 14 Ultra,全面定義了未來(lái)移動(dòng)影像新層次,并在性能、連接、音頻等方面帶來(lái)出色體驗(yàn)。 Xiaomi 14 Ultra搭載第三代驍龍8,帶來(lái)巔峰性能和卓越能效表現(xiàn)。第三代驍龍8采用4nm制程工藝,其全新的Kryo CPU和Adreno GPU在性能和能效方面均實(shí)現(xiàn)了大幅提升,賦能極致流暢的日常使用體驗(yàn)。第三代
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC,助推工廠智能化
- 本文的關(guān)鍵要點(diǎn)各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度,在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來(lái)越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力,需要輔助設(shè)備用的高效率電源,而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今,從汽車、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠,既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì),還需要推進(jìn)無(wú)碳生產(chǎn)(降低功耗和減少溫室氣體排放)。在以往的制造業(yè)中,提高工廠的生產(chǎn)效率和
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安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向
- 回首2023年,盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn),但我們看到了不少閃光點(diǎn),比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆,以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天,安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)?lái)了他對(duì)過(guò)去一年的經(jīng)驗(yàn)總結(jié)和對(duì)新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過(guò)去一年中,汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場(chǎng)需求的變化,可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題,汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購(gòu)策略以應(yīng)對(duì)潛在的風(fēng)險(xiǎn)和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢(shì)力進(jìn)入新能源汽車市場(chǎng),競(jìng)爭(zhēng)壓力加大,汽車制造商需要不斷提
- 關(guān)鍵字: 智能電源 智能感知 汽車領(lǐng)域 SiC
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)ultra c sic的理解,并與今后在此搜索ultra c sic的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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