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          中國全面布局基于5G的自主車車通信技術(shù)

          •   從車載信息服務(wù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用聯(lián)盟獲悉,我國已啟動車用77-81GHz毫米波雷達無線技術(shù)和頻率劃分研究試驗工作。同時,工業(yè)和信息化部日前發(fā)文委托車載信息服務(wù)產(chǎn)業(yè)應(yīng)用聯(lián)盟(TIAA)和中國信息通信研究院開展基于自主知識產(chǎn)權(quán)、用于智能交通車車通信的LTE-V無線技術(shù)和頻率劃分研究試驗工作。   此次,啟動LTE-V無線技術(shù)和頻率劃分研究試驗工作表明,中國已經(jīng)開始全面布局基于5G的自主車車通信技術(shù),并以此支持具有我國先進通信技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化和商用化,提升中國智能汽車、車聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的核心競爭能力,支撐中國自主技術(shù)成為20
          • 關(guān)鍵字: 5G  LTE-V  

          基于OP97A的V/I轉(zhuǎn)換電路

          • OP97運放輸出量程為±3.3V的電壓,需加一級V/I轉(zhuǎn)換電路。V/I轉(zhuǎn)換電路如圖所示。通過設(shè)置固定的5個碼值:FFFF,BFFF,8000,4000,0,用安捷倫高精度6位半萬用表的Agilent34401,上電后經(jīng)過8個小時測試,其分辨率和精度均能達到15...
          • 關(guān)鍵字: OP97A  V  I轉(zhuǎn)換電路  

          由V-F F-V變換器組成的高精度數(shù)字型停延表電路圖

          基于Altera cyclone V SOC的JPEG編碼分析

          • H.264等視頻壓縮算法在視頻會議中是核心的視頻處理算法,它要求在規(guī)定的短時間內(nèi),編解碼大量的視頻數(shù)據(jù),目前主要都是在DSP上運行。未來在添加4k*2k、H.265編解碼等功能,并要求控制一定成本的情況下,面臨DSP性能瓶
          • 關(guān)鍵字: altera  Cyclone V SoC  FPGA  DSP  

          基于Hyper-V虛擬化技術(shù)實現(xiàn)故障轉(zhuǎn)移

          • 航空氣象要素對飛行安全的影響越來越大,氣象探測設(shè)備的重要性也越來越高。成陽國際機場配備了風(fēng)廓線雷達,能夠為航空飛行提供機場上空的風(fēng)速風(fēng)向和溫度?;诒U巷L(fēng)廓線雷達正常運行的目的,通過Hyper-V虛擬化技術(shù)和故障轉(zhuǎn)移集群的方法,結(jié)合人為干預(yù)設(shè)備的試驗,實現(xiàn)了風(fēng)廓線雷達系統(tǒng)的故障轉(zhuǎn)移功能,平均故障修復(fù)時間提高了95%。
          • 關(guān)鍵字: 故障轉(zhuǎn)移集群  Hyper-V  風(fēng)廓線雷達  平均故障修復(fù)時間  

          讓汽車看懂紅綠燈 奧迪新技術(shù)展示

          • 如果說無人駕駛離消費者還很遙遠,那么傳統(tǒng)車廠在汽車上植入的新功能對駕駛員來說已經(jīng)在逐步解放駕駛員了。據(jù)外媒報道,奧迪將在其2017款的Q7和A4
          • 關(guān)鍵字: 奧迪  V-to-V  V-to-I   

          三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

          • 韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動器已經(jīng)開始進行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比,具有包
          • 關(guān)鍵字: 3D垂直閃存  V-NAND  固態(tài)硬盤   

          三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進化

          • 三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升,節(jié)省電力消耗,并提高了急需
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  3D  固態(tài)盤   

          三星48層3D V-NAND快閃存儲器揭密

          •   備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃記憶體已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了,TechInsights的拆解團隊總算等到了大好機會先睹為快。   三星(Samsung)早在2015年8月就發(fā)布其256Gb的3位元多級單元(MLC) 3D V-NAND快閃記憶體K9AFGY8S0M,并強調(diào)將用于各種固態(tài)硬碟(SSD),也預(yù)計會在2016年初正式上市。這些承諾如今真的實現(xiàn)了,我們得以在其2TB容量的T3系列mSATA可攜式SSD中發(fā)現(xiàn)其蹤影(如圖1)。        圖1:三星T3 2TB S
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展?

          •   三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元,屬于第三代升級技術(shù))3D V-NAND芯片,預(yù)計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設(shè)備當(dāng)中,將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術(shù)實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元,意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
          • 關(guān)鍵字: 三星  V-NAND  

          Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

          •   比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。   目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道,并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向,3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝,而不必遵循微縮規(guī)則。   此外,Imec最近發(fā)現(xiàn),透過使用通道中的III-V材
          • 關(guān)鍵字: Imec  III-V  

          電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路(V/I、V/F電路)

          •   1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路   電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換,是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號,轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個輸出可調(diào)的恒流源,其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會隨負載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。        由圖1可見,電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成,V0為偏置電壓,Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓,R為負載電阻。其中運算放大器起比較器作用,將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進行比較,經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
          • 關(guān)鍵字: V/I  V/F  

          傳初代微軟Band停產(chǎn) 為第二代手環(huán)讓路

          •   微軟不久前證實新一代Band手環(huán)的開發(fā)工作已經(jīng)開始。據(jù)Ubergizmo援引其他媒體報道稱,微軟將停止生產(chǎn)第一代Band手環(huán),專注于后續(xù)產(chǎn)品的開發(fā)和發(fā)布。相信許多讀者還記得,Band是微軟一款暢銷的可穿戴設(shè)備,發(fā)售后不久就銷售一空。        報道稱,微軟將停止生產(chǎn)第一代Band手環(huán),微軟現(xiàn)有庫存即將清空,一旦連官方產(chǎn)品也銷售完后,將不會再直接向消費者或通過零售商銷售全新Band。   由于微軟尚未對此報道發(fā)表評論,因此讀者對其真實性應(yīng)當(dāng)有所保留。   微軟首席運營官凱文&
          • 關(guān)鍵字: 微軟  Band  

          三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

          •   2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%,為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上,預(yù)料到了2016年,占比將進一步提升至40%,三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。   據(jù)韓媒Money Today報導(dǎo),逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD,發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后,目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。   據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料,如果以數(shù)量而言,2015年企業(yè)用SSD
          • 關(guān)鍵字: 三星   V-NAND  

          2016年3D V-NAND市場擴大10倍 三星拉大與后起業(yè)者差距

          •   在存儲器芯片市場上,垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴大,全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。   據(jù)韓國MT News報導(dǎo),2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預(yù)估將擴大10倍,而除目前獨占市場的三星電子(Samsung Electronics)外,也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨大V-NAND市場,為拉大與后起業(yè)者的差距,生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu),增加到48層。   外電引用市調(diào)機構(gòu)IHS iSuppli資料指出,以NAND Flash的技術(shù)分類,V-N
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