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微軟智能手環(huán) Microsoft Band 拆解
- 主角:Microsoft Band 拆解的第一步是除掉2個(gè)外殼上的梅花螺絲,拿下蓋子后就發(fā)現(xiàn)了第一塊鋰電池(Microsoft Band 有2塊鋰電池) 我們嘗試拆下頭邊的2殼螺絲,但是發(fā)現(xiàn)拆下來(lái)后,還是無(wú)法打開(kāi)整個(gè)蓋子,沒(méi)辦法,只能使用尖嘴鉗進(jìn)行暴力撕扯了 暴力撕扯后我們得到了回報(bào),見(jiàn)到了內(nèi)部零件: 你可以看到2塊鋰電池,讓我們繼續(xù)來(lái)拆解,拆除磁
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三星業(yè)內(nèi)首先量產(chǎn)3bit 3D V-NAND閃存
- 全球先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤(pán)的業(yè)內(nèi)首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。 三星電子存儲(chǔ)芯片營(yíng)銷(xiāo)部門(mén)負(fù)責(zé)人韓宰洙高級(jí)副總裁表示:“通過(guò)推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品線,我們相信3bit V-NAND將會(huì)加快數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備從傳統(tǒng)硬盤(pán)向固態(tài)硬盤(pán)的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品的多樣化,將加強(qiáng)三星產(chǎn)品的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤(pán)業(yè)務(wù)的發(fā)展?!? 3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品,每
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AMETEK Sorensen可編程電源的保護(hù)特性
- 可編程電源是電氣實(shí)驗(yàn)室工程師及技術(shù)人員必備的基本儀器,用以獲得測(cè)試所需的基本功率或可變功率。這些電源的成本通常較低,并只帶有基本的控制裝置:一個(gè)開(kāi)啟/關(guān)閉開(kāi)關(guān)及兩個(gè)用于調(diào)節(jié)電壓電流的旋鈕。在未來(lái),旋鈕調(diào)節(jié)將繼續(xù)會(huì)是首選方法,因?yàn)槠淇蓡为?dú)且靈活的改變電壓或電流,從而直觀的觀察其他測(cè)量?jī)x器或被測(cè)部件性能。 對(duì)低成本應(yīng)用中的大多數(shù)電源而言保護(hù)功能不是必須考慮的因素,但是在一些測(cè)試應(yīng)用中,會(huì)要求使用很小電壓范圍,如2.0%- 20%范圍,否則會(huì)很容易損壞設(shè)備,這就為使用者提出了新的要求。 AMET
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基于FPGA的高帶寬存儲(chǔ)接口設(shè)計(jì)
- 摘要:文中詳細(xì)地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲(chǔ)控制器底層架構(gòu)和外部接口,并在此基礎(chǔ)上對(duì)Controller和PHY進(jìn)行了功能仿真。仿真結(jié)果表明硬核存儲(chǔ)控制器和PHY配合工作時(shí)的功能與設(shè)計(jì)預(yù)期相符,性能優(yōu)良,適合于在當(dāng)前FPGA的外部存儲(chǔ)帶寬需求日益增長(zhǎng)的場(chǎng)合下應(yīng)用。 如今,越來(lái)越多的應(yīng)用場(chǎng)景都需要FPGA能夠和外部存儲(chǔ)器之間建立數(shù)據(jù)傳輸通道,如視頻、圖像處理等領(lǐng)域,并且對(duì)數(shù)據(jù)傳輸通道的帶寬也提出了較大的需求,這就導(dǎo)致了FPGA和外部Memory接口的實(shí)際有效帶寬
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Mouser 備貨 Freescale Kinetis KV1x 微控制器 面向數(shù)字電機(jī)控制市場(chǎng)
- 貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開(kāi)始供應(yīng)Freescale Semiconductor 的 Kinetis® KV1x 微控制器系列產(chǎn)品。Kinetis V 系列 KV1x MCU 產(chǎn)品是 Freescale 全新 Kinetis V 系列的入門(mén)級(jí)產(chǎn)品,此可擴(kuò)展的微控制器 (MCU) 系列產(chǎn)品的目標(biāo)應(yīng)用市場(chǎng)為數(shù)字電機(jī)控制。采用 75 MHz ARM® Cortex?M0+ 內(nèi)核的 Kinetis KV1x 系列產(chǎn)品具有整數(shù)除法和平方根協(xié)處理器,從而降低了因需要
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三星量產(chǎn)全球首款第二代32層三維V-NAND閃存
- 全球存儲(chǔ)領(lǐng)軍品牌三星電子今日宣布,已開(kāi)始正式量產(chǎn)全球首款第二代立體垂直結(jié)構(gòu)的“32層三維V-NAND閃存”。 三星電子此次推出的32層三維V-NAND,與之前推出的24層V-NAND相比,雖然堆疊存儲(chǔ)單元的設(shè)計(jì)難度更高,但是因?yàn)榭梢灾苯邮褂蒙a(chǎn)第一代V-NAND閃存的設(shè)備,所以具有更高的生產(chǎn)效率。 除此之外,三星電子推出了基于第二代V-NAND閃存的高端固態(tài)硬盤(pán)系列產(chǎn)品,并提供128GB、256GB、512GB、1TB等多種容量選擇。三星電子在去年面向數(shù)據(jù)中心推
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分組微波技術(shù)在LTE移動(dòng)回傳網(wǎng)中的應(yīng)用
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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MAX34451 PMBus 16通道V/I監(jiān)視器
- 概述MAX34451是一個(gè)電源系統(tǒng)管理員能夠監(jiān)控多達(dá)16種不同的電壓軌或電流,也能多達(dá)12個(gè)電源排序和裕。系統(tǒng)管 ...
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三星宣布量產(chǎn)全球首個(gè)3D垂直閃存V-NAND
- 三星電子在存儲(chǔ)技術(shù)上的領(lǐng)先的確無(wú)可匹敵,今天又宣布已經(jīng)批量投產(chǎn)全球第一個(gè)采用3D垂直設(shè)計(jì)的NAND閃存“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經(jīng)成了潮流,處理器、內(nèi)存什么的都要堆起來(lái)。 三星的V-NAND單顆芯片容量128Gb(16GB),內(nèi)部采用三星獨(dú)有的垂直單元結(jié)構(gòu),通過(guò)3D CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)、垂直互連工藝技術(shù)來(lái)連接3D單元陣列。 三星稱(chēng),這種新閃存的拓展能力是普通2xnm平面型閃存的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫(xiě)入性能也可達(dá)到1xnm N
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Mouser提供業(yè)界領(lǐng)先的Altera Cyclone V低功耗FPGA
- Mouser Electronics正在備貨Altera公司業(yè)界領(lǐng)先的28-nm Cyclone? V FPGA。 Cyclone V FPGA結(jié)合了高性能、業(yè)界最低的操作功耗以及系統(tǒng)成本,是工業(yè)、無(wú)線、有線、廣播和汽車(chē)應(yīng)用的理想選擇。
- 關(guān)鍵字: Mouser FPGA Altera Cyclone V
高速橋接芯片V-by-One HS 擴(kuò)大生產(chǎn)滿(mǎn)足超高清電視需求
- V-by-One HS 是THine Electronics公司開(kāi)發(fā)的下一代高速橋接芯片,為迎合電視市場(chǎng)客戶(hù)的要求,V-by-One? HS的新產(chǎn)品 THCV226已開(kāi)始量產(chǎn),并開(kāi)始進(jìn)行擴(kuò)大生產(chǎn)。
- 關(guān)鍵字: THine Electronics V-by-One 超高清電視
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