v-nand閃存 文章 進(jìn)入v-nand閃存技術(shù)社區(qū)
新思科技重磅發(fā)布全新RISC-V處理器系列，進(jìn)一步擴(kuò)大ARC處理器IP組合
- 面向汽車嵌入式軟件、存儲和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的新一代ARC-V處理器摘要：新思科技全新32位和64位ARC-V處理器IP建立在其數(shù)十年的處理器開發(fā)經(jīng)驗之上，為開發(fā)者提供更廣泛的RISC-V IP選擇空間；經(jīng)驗證且成熟的新思科技MetaWare軟件開發(fā)工具鏈能夠幫助軟件工程師基于新思科技ARC-V處理器IP高效開發(fā)高度優(yōu)化的軟件代碼；Synopsys.ai全棧式AI驅(qū)動型EDA解決方案和Fusion快速入門設(shè)計實(shí)現(xiàn)套件（QIK）提升基于新思科技ARC-V處理器IP設(shè)計的生產(chǎn)率和結(jié)果質(zhì)量（QoR）；包括硬件輔助驗證和
- 關(guān)鍵字： 新思科技 汽車電子 RISC-V 物聯(lián)網(wǎng) ARC-V處理器
全球首款可通話的 RISC-V 平板：深度數(shù)智 DC-ROMA 亮相，內(nèi)置 AI 助手
- IT之家 11 月 10 日消息，為期三天的 RISC-V 北美峰會 2023 落幕，在本次 RISC-V 峰會中，主辦方 RISC-V 基金會首次設(shè)立了 "LaunchPad" 環(huán)節(jié)，邀請各公司展示他們最新的產(chǎn)品或解決方案。國內(nèi)的深度數(shù)智向與會者展示了最新成果 —— 全球第一款可通話的 RISC-V Pad。在展示現(xiàn)場，深度數(shù)智顧問梁宇寧通過該平板給主持人 Tiffany 撥通了第一通電話。據(jù)介紹，這款名為 DC-ROMA 的 RISC-V Pad 搭載了 64b
- 關(guān)鍵字： RISC-V 無線通信 深度數(shù)智
Semidynamics和Arteris合作 加速 AI RISC-V 片上系統(tǒng)開發(fā)
- 亮點(diǎn)摘要:- Arteris和Semidynamics合作，增強(qiáng)了RISC-V處理器IP對于系統(tǒng)IP的靈活性和高度可配置的互操作性。- 集成并優(yōu)化的解決方案將專注于加速人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)和高性能計算應(yīng)用。- 2024年將形成一個演示平臺。 加利福尼亞州 坎貝爾 - 2023 年 11 月 2 日 - Arteris, Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：AIP）是
- 關(guān)鍵字： Semidynamics Arteris AI RISC-V
Ventana 攜手 Imagination，合作開發(fā)基于 RISC-V 的 CPU-GPU 平臺
- IT之家 11 月 8 日消息，根據(jù) Jon Peddie Research 報道，Ventana Micro Systems 和 Imagination Technologies 兩家公司宣布合作，攜手構(gòu)建基于 RISC-V 的 CPU-GPU 平臺。IT之家注：Ventana Micro System 于去年 12 月推出了基于 RISC-V 的數(shù)據(jù)中心級 Veyron V1 CPU IP，最高具有 8 位寬執(zhí)行能力和 3.60 GHz 的頻率。該 CPU IP 設(shè)計為每個集群打包 16 個
- 關(guān)鍵字： RISC-V CPU GPU
Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨，2023年11月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進(jìn)電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計的高頻電源應(yīng)用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進(jìn)一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關(guān)系。 制造商對下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
- 關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 功率應(yīng)用 650 V 碳化硅 整流二極管
入局SSD主控芯片，平頭哥RISC-V鎮(zhèn)岳510賦能云計算
- 存儲是電子系統(tǒng)必不可少的功能單元，特別是伴隨著數(shù)據(jù)價值的不斷提升，高性能大容量存儲的價值逐漸與計算能力并駕齊驅(qū)。特別是隨著數(shù)據(jù)安全變得越來越重要，存儲單元的數(shù)據(jù)安全成為眾多云服務(wù)廠商無法回避的話題，存儲單元的主控芯片就是提升存儲安全性最關(guān)鍵的半導(dǎo)體器件。 在半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域中，存儲單元主控芯片是國產(chǎn)化率相比比較高的產(chǎn)品類別，從USB Flash存儲到傳統(tǒng)的磁盤主控，甚至最新的SSD主控，國內(nèi)廠商逐漸成為市場應(yīng)用的主流，并且成功迫使曾經(jīng)的存儲主控芯片巨頭Marvel從中國市場倉皇而逃。隨著大規(guī)模云計算和人工智
- 關(guān)鍵字： SSD 主控芯片 平頭哥 RISC-V 鎮(zhèn)岳510
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&北京中科昊芯科技有限公司
- 北京中科吳芯是一家基于RISC-V指令集架構(gòu)，對標(biāo)國外芯片的數(shù)字信號處理器專業(yè)供應(yīng)商。作為中國科學(xué)院科技成果轉(zhuǎn)化企業(yè)，成立于2019年，經(jīng)歷4年多的時間已經(jīng)擁有10個系列，30多款芯片產(chǎn)品。產(chǎn)品具有廣闊的市場前景，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制及電機(jī)驅(qū)動、數(shù)字電源、光伏、儲能、新能源汽車、消費(fèi)電子、白色家電等領(lǐng)域。中科昊芯副總經(jīng)理兼創(chuàng)始人表示：“慕尼黑電子展對于中科昊芯來說是比較重要的展會，這次也是帶來了兩款重磅產(chǎn)品——HXS320F280039C和HXS320F28379D?！盧ISC-V指令集架構(gòu)作為一種開源指
- 關(guān)鍵字： 中科昊芯 數(shù)字信號處理器 RISC-V DSP
Codasip 700系列正式問世,賦能定制計算!
- 如今，利用新的方法來創(chuàng)造差異化的產(chǎn)品是當(dāng)今技術(shù)創(chuàng)新者們所追求的目標(biāo)。當(dāng)半導(dǎo)體擴(kuò)展規(guī)律已經(jīng)顯示出極限時，我們該如何滿足對更高計算性能的需求？辦法只有一個：為特定需求定制計算。具體來說滿足定制計算需要具備架構(gòu)優(yōu)化、應(yīng)用剖析、硬件/軟件協(xié)同優(yōu)化，以及建立在強(qiáng)大設(shè)計基礎(chǔ)上的領(lǐng)域?qū)Ｓ眉铀俚纫亍＿@些要素加上盡可能簡潔的設(shè)計流程以提高效率，并縮短上市時間，同時可以讓客戶掌握自主權(quán)并保持靈活性。用于定制計算的下一代RISC-V處理器 - Codasip全新700系列Codasip的全新700系列是一個可配置且可定制的R
- 關(guān)鍵字： Codasip 定制計算 RISC-V
RISC-V 領(lǐng)軍企業(yè) SiFive 大裁員：20% 員工被裁，大部分是工程師
- IT之家 10 月 25 日消息，RISC-V 生態(tài)系統(tǒng)中的關(guān)鍵公司之一 SiFive，正在經(jīng)歷一場重大的重組，這場重組主要是大規(guī)模裁員和業(yè)務(wù)重心轉(zhuǎn)移，這一舉動給 SiFive 的未來以及其對 RISC-V 的貢獻(xiàn)帶來了不確定性。IT之家注意到，RISC-V 已經(jīng)成為制造微型低成本核心的熱門選擇，但也有一些公司研發(fā)高性能的基于 RISC-V 的產(chǎn)品，SiFive 就是這樣一家公司，該公司提供現(xiàn)成的設(shè)計，也根據(jù)客戶的需求制作定制核心。但今天 SiFive 發(fā)布聲明稱，正在裁減約 20% 的員工（約
- 關(guān)鍵字： RISC-V SiFive
三星計劃明年初量產(chǎn)超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，號稱層數(shù)業(yè)內(nèi)最多
- IT之家 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 閃存供應(yīng)商，對其 V-NAND（即三星稱之為的 3D NAND）的發(fā)展有著宏大的計劃，本周三星分享了一些相關(guān)信息。該公司證實(shí)，其正在按計劃生產(chǎn)擁有超過 300 層的第九代 V-NAND 閃存，并表示這將是業(yè)內(nèi)層數(shù)最多的 3D NAND?！暗诰糯?V-NAND 基于雙層結(jié)構(gòu)，層數(shù)達(dá)到業(yè)界最高水平，明年初將開始量產(chǎn)?！比请娮涌偛眉娲鎯ζ魇聵I(yè)部負(fù)責(zé)人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中寫道。IT之家注意到，8 月份就有消息稱，三
- 關(guān)鍵字： 三星 存儲 NAND閃存
傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據(jù)媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復(fù)蘇階段，大廠們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當(dāng)前進(jìn)度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達(dá)到280層）。據(jù)悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達(dá)到430層）
- 關(guān)鍵字： 三星 第九代 V-NAND 閃存
兆易創(chuàng)新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出基于RISC-V內(nèi)核的GD32VW553系列雙模無線微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無線連接，以先進(jìn)的射頻集成、強(qiáng)化的安全機(jī)制、大容量存儲資源以及豐富的通用接口，結(jié)合成熟的工藝平臺及優(yōu)化的成本控制，為需要高效無線傳輸?shù)氖袌鰬?yīng)用持續(xù)提供解決方案。全新產(chǎn)品組合提供了8個型號、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項，現(xiàn)已開放樣片和開發(fā)板卡申請，并將于12
- 關(guān)鍵字： 兆易創(chuàng)新 RISC-V GD32VW553 雙模 無線 微控制器
SiFive宣布推出針對生成式AI/ML應(yīng)用的差異化解決方案,引領(lǐng)RISC-V進(jìn)入高性能創(chuàng)新時代
- RISC-V 運(yùn)算的先驅(qū)和領(lǐng)導(dǎo)廠商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產(chǎn)品，旨在滿足高性能運(yùn)算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準(zhǔn)的低功耗、運(yùn)算密度和矢量運(yùn)算能力，三者結(jié)合起來將為日益增長的資料密集型運(yùn)算提供必要的性能提升。這些新產(chǎn)品共同創(chuàng)建了標(biāo)量和矢量運(yùn)算的強(qiáng)大組合，可滿足現(xiàn)今數(shù)據(jù)流和運(yùn)算密集型人工智能應(yīng)用于消費(fèi)性、車用和基礎(chǔ)設(shè)施市場的需求。在圣克拉拉舉行的現(xiàn)場新聞和分析師活動上，SiFive 同時也宣布
- 關(guān)鍵字： SiFive 生成式AI RISC-V
中國移動發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 通信模組 ML305M
- IT之家 10 月 12 日消息，近日，業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國移動全球合作伙伴大會上首次亮相。據(jù)介紹，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開發(fā)。CM8610 是國內(nèi)首顆基于 64 位 RISC-V 內(nèi)核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工藝，具有高集成度以及外圍極簡 BOM 設(shè)計，edrx 待機(jī)電流達(dá)到 0.74mA，最小接收靈敏度達(dá)到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示，M
- 關(guān)鍵字： RISC-V 中國移動 LTE
v-nand閃存介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條v-nand閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對v-nand閃存的理解，并與今后在此搜索v-nand閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對v-nand閃存的理解，并與今后在此搜索v-nand閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
v-nand閃存電路
v-nand閃存相關(guān)帖子
v-nand閃存資料下載
v-nand閃存專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473