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福祿克網(wǎng)絡與NBASE-T聯(lián)盟聯(lián)合發(fā)布電纜布線基礎設施白皮書
- NBASE-T聯(lián)盟近日宣布其成員公司福祿克網(wǎng)絡(Fluke Networks)、CME Consulting、康普(CommScope) 和泛達(Panduit)聯(lián)合發(fā)布了一份白皮書，介紹如何在現(xiàn)有的超5類、6類及超6類類銅纜布線基礎設施上部署NBASE-T。該聯(lián)盟之前已經(jīng)發(fā)布了物理層技術規(guī)范，在規(guī)范中明確了使用超5類和電纜布線基礎設施實現(xiàn)長達100米距離內(nèi)的2.5和5Gb/s傳輸速率;該白皮書介紹了認證已有布線的性能測量規(guī)范，以及最大程度提高性能的策略。該聯(lián)盟還計劃在2016年9月14日召開的美國圣
- 關鍵字： 福祿克 NBASE-T
AT&T：隨著SDN/NFV重要性日益突出 數(shù)據(jù)中心是關鍵
- 數(shù)據(jù)中心是AT&T云服務戰(zhàn)略的重要組成部分，該運營商目前沒有出售其流動資產(chǎn)的計劃。事實上該公司高管在接受FierceTelecom的采訪時表示，其在數(shù)據(jù)中心的投資，特別是在新技術如網(wǎng)絡功能虛擬化(NFV)和軟件定義網(wǎng)絡(SDN)上面的投入巨大。 近期，投資者日報(Investor'sBusinessDaily)刊載了一篇文章，文中表示AT&T、CenturyLink、Verizon這樣的提供商在云計算服務的腳步逐漸落后于人。而作為回應，AT&T云計算和云網(wǎng)絡副總裁Andy
- 關鍵字： AT&T SDN
基于FPGA的TS流的UDP封裝實現(xiàn)
- 為實現(xiàn)數(shù)字廣播接收機輸出的傳輸(TS)流方便地接入嵌入式平臺，實現(xiàn)綜合業(yè)務接收，本文基于現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)，實現(xiàn)了將集成DVB-T(Digital Video Broadcasting-Terrestrial)高頻頭輸出的TS流轉(zhuǎn)化為UDP協(xié)議的IP流，進一步通過以太網(wǎng)接口進入嵌入式平臺，支持綜合業(yè)務接收。該接口轉(zhuǎn)化模塊借助FPGA，將緩存的TS流進行有效封裝，設置以太網(wǎng)接口，輸出UDP格式的IP流。實測表明，該接口轉(zhuǎn)換模塊可實現(xiàn)TS流到IP流的轉(zhuǎn)換，支持嵌入式平臺視頻播放與綜合業(yè)務接收。
- 關鍵字： FPGA DVB-T TS流轉(zhuǎn)IP流 201608
基于ARM Cortex-A8處理器的工業(yè)機器人示教器設計
- 本文提出了一種工業(yè)機器人示教器設計和實現(xiàn)方案。該示教器以TI的ARM Cortex-A8處理器AM3359為核心，擴展了2GB DDR3 SDRAM、4GB NAND Flash、8.4英寸LCD屏和觸摸屏、1000Mbps以太網(wǎng)通信接口、USB接口、搖桿、按鍵等外圍電路，并基于嵌入式Linux系統(tǒng)和Qt開發(fā)框架，對示教器軟件進行了模塊化設計。該示教器已經(jīng)成功應用于6軸機器人本體。
- 關鍵字： FPGA DVB-T TS流轉(zhuǎn)IP流 201608
專利糾紛不斷！華為在美對T-Mobile提起專利訴訟
- 據(jù)美國媒體報道，周二華為在美國德克薩斯州東區(qū)法庭提起專利訴訟，指控美國無線運營商T-Mobile拒絕與其達成專利許可協(xié)議，并繼續(xù)侵犯自己的專利權。華為曾提出按照公平、合理和非歧視條款許可T-Mobile使用其4G專利，但T-Mobile拒絕此要求。 此次糾紛要追溯到2014年，當時華為想與位于內(nèi)布拉斯加州貝爾維尤的T-Mobile進行專利許可談判，但T-Mobile不愿意簽署非披露協(xié)議，導致談判終止。今年早些時候，華為提交了數(shù)起專利侵權訴訟。目前華為還未提出賠償金額要求。相反，該公司要求法庭發(fā)布
- 關鍵字： 華為 T-Mobile
三星3D V-NAND 32層對48層 僅僅是垂直層面的擴展？
- 三星公司已經(jīng)開始量產(chǎn)其48層(即單NAND內(nèi)48層單元，屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產(chǎn)品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現(xiàn)彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
- 關鍵字： 三星 V-NAND
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