<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>

<label id="pryje"></label>

結(jié)合超寬帶測距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

我要投稿 | 手機(jī)版

首頁　資訊　商機(jī) 　下載　拆解　高校　招聘　雜志　會(huì)展　 EETV　百科　問答　電路圖　工程師手冊　 Datasheet　 100例　活動(dòng)中心　 E周刊閱讀　樣片申請

EEPW首頁 >> 主題列表 >> vd-mosfet

vd-mosfet 文章進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區(qū)

飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi)，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET LED

安森美推出兩款新的MOSFET器件

安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用，作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計(jì)人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時(shí)間延至最長。
關(guān)鍵字：安森美 MOSFET 鋰離子電池

Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴(kuò)大為6A～105A。
關(guān)鍵字： Vishay E系列 MOSFET

功率MOSFET基礎(chǔ)知識

什么是功率MOSFET？我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信...
關(guān)鍵字：功率 MOSFET 基礎(chǔ)知識

用IGBT代替MOSFET的可行性分析

一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展，功率器件則要求高速、...
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET

AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品

日前，集設(shè)計(jì)，研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬國半導(dǎo)體(AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品，為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
關(guān)鍵字： AOS AON6250 MOSFET

飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率

高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問題。同樣，熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器，也會(huì)降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。調(diào)節(jié)熱波動(dòng)的典型散熱解決方案會(huì)增加元件數(shù)量，占用電路板空間，讓這些設(shè)計(jì)變得更復(fù)雜。
關(guān)鍵字：飛兆 FDMQ86530L MOSFET

淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時(shí)的區(qū)別

我們在做電路設(shè)計(jì)中三極管和MOS管做開關(guān)用時(shí)候有什么區(qū)別。工作性質(zhì)：1.三極管用電流控制，MOS管...
關(guān)鍵字： MOSFET 三極管

MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)投影儀RGB LED的應(yīng)用

本應(yīng)用筆記提供了一個(gè)低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動(dòng)器的參考設(shè)計(jì)?；趩涡酒琈AX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動(dòng)器，能夠?yàn)?..
關(guān)鍵字： MOSFET 降壓轉(zhuǎn)換器 RGB LED

Vishay Siliconix 擴(kuò)展ThunderFET?的電壓范圍

日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。
關(guān)鍵字： Vishay DC/DC MOSFET SiR872ADP

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器

針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動(dòng)器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言，可再生能源電子細(xì)分市場是一個(gè)復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點(diǎn)應(yīng)用中，開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式，功率水平相當(dāng)?shù)?200 W)，并且常常會(huì)把電
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器

繼2012年表現(xiàn)黯淡之后中國功率MOSFET市場將恢復(fù)生機(jī)

　　在綠色能源和節(jié)能計(jì)劃的帶動(dòng)下，加之出口回升，預(yù)計(jì)今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟(jì)體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。　　據(jù)IHS公司的中國研究專題報(bào)告，今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計(jì)為22.5億美元，比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。　　明年增長將更加強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)營業(yè)收入上升11%，隨后每年將保持穩(wěn)定增長，至少保持到2017年。到2017年，預(yù)
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 MOSFET

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹

常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實(shí)現(xiàn)開關(guān)，但是，我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作，而不能逐漸控制信號流。此外，二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個(gè)
關(guān)鍵字： MOSFET 功率器件

基于MOSFET設(shè)計(jì)優(yōu)化的功率驅(qū)動(dòng)電路

摘要：在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上，討論驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)，從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動(dòng)性能，提高設(shè)計(jì)的可靠性。
關(guān)鍵詞：MOSFET；急聚點(diǎn)；損耗

功率MOSFET具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通電阻小等優(yōu)點(diǎn)，因此在開關(guān)
關(guān)鍵字： MOSFET 急聚點(diǎn) 損耗

關(guān)于MOSFET驅(qū)動(dòng)電阻的選擇

L為PCB走線電感，根據(jù)他人經(jīng)驗(yàn)其值為直走線1nH/mm，考慮其他走線因素，取L=Length+10（nH），其中Length單位取mm。Rg...
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)電阻

共1259條 47/84 |‹ « 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 » ›|

vd-mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條vd-mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對vd-mosfet的理解，并與今后在此搜索vd-mosfet的朋友們分享。創(chuàng)建詞條

vd-mosfet電路

12W場效應(yīng)管音頻放大器電路圖
基于FET的100W音頻放大器電路圖
圖騰柱無橋PFC電路的工作原理及仿真分析
一文詳解同步與非同步Buck電源

vd-mosfet相關(guān)帖子

從原理的視角，一文徹底區(qū)分MOSMOSFETNMOSPMOSCMOS
MOSFET耗盡型和增強(qiáng)型兩種類型原理介紹
MOSFET廠商匯總
深入理解MOSFET規(guī)格書datasheet
WAYON維安工程師筆記MOSFET驅(qū)動(dòng)振蕩那些事
MOSFET應(yīng)用解析：柵極驅(qū)動(dòng)振蕩，如何解決？
開關(guān)電源中MOSFET失效案例分析
[模擬電子技術(shù)]―MOSFET總結(jié)（1）

vd-mosfet資料下載

WAYON維安工程師筆記 MOSFET 驅(qū)動(dòng)振蕩那些事
MOSFET 應(yīng)用解析：柵極驅(qū)動(dòng)振蕩，如何解決？
MOSFET管芯溫度估算
Toshiba東芝N溝道MOSFET SSM6N44FE產(chǎn)品規(guī)格書datasheet
什么是MOSFET？MOSFET的應(yīng)用電路
【IRLH5030TRPBF-VB】N溝道DFN8(5X6)封裝MOS管Datasheet
【STP14NF10FP-VB】N溝道TO220F封裝MOS管Datasheet
【IRF7907TRPBF-VB】2個(gè)N溝道SOP8封裝MOS管Datasheet

vd-mosfet專欄文章

熱門主題

VD-MOSFET 樹莓派 linux

關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社版權(quán)所有北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473

看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();