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結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用 11.14珠海｜與泰克共探半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈來(lái)這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>> 來(lái)學(xué)習(xí)NXP基于i.MX處理器的工業(yè)解決方案吧！

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vd-mosfet 文章進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區(qū)

Microchip推出基于模擬的電源管理控制器

全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號(hào)、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布，推出全球第一款數(shù)字增強(qiáng)型電源模擬控制器MCP19111，它擴(kuò)展了Microchip多元化的智能DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。此外，Microchip還宣布推出全新MCP87018、MCP87030、MCP87090和MCP87130，擴(kuò)展其高速M(fèi)OSFET系列。
關(guān)鍵字： Microchip 控制器 MOSFET

IR推出全新300V功率MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 近日推出配備IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可為各種高效工業(yè)應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，這些工業(yè)應(yīng)用包括110V-120V交流電壓線性調(diào)節(jié)器和110V-120V交流電壓電源，以及直流-交流逆變器，如太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源 (UPS)等。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

IR 推出具有基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻的全新300V功率MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商–國(guó)際整流器公司(InternationalRectifier，簡(jiǎn)稱IR)近日推出配備IR最新...
關(guān)鍵字：基準(zhǔn)導(dǎo)通 300V功率 MOSFET

基于SG3525A的太陽(yáng)能逆變電源設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

引言本文涉及的是光明工程中一個(gè)課題的具體技術(shù)問(wèn)題。該課題的基本原理是逆變器由直流蓄電池供電，...
關(guān)鍵字： SG3525A 逆變電源 MOSFET-90N10

汽車應(yīng)用MOSFET的技術(shù)趨勢(shì)

汽車應(yīng)用MOSFET半導(dǎo)體制造商在金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）技術(shù)領(lǐng)域取得了重大進(jìn)步，并繼續(xù)積極發(fā)展。先進(jìn)的功率MOS...
關(guān)鍵字：汽車應(yīng)用 MOSFET 電機(jī)控制

用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)器通用芯片

1　引言
　　scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開(kāi)通與關(guān)斷門級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 驅(qū)動(dòng)器芯片

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

11、請(qǐng)問(wèn)：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V，這是對(duì)通過(guò)一個(gè)比較 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
關(guān)鍵字： IGBT Power MOSFET 功率器件

MAX5048C高電流MOSFET驅(qū)動(dòng)器-高頻開(kāi)關(guān)電源的理想選擇

MAX5048C是一個(gè)高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器，能夠吸收/7A/3A峰值電流。該器件采用邏輯輸入信號(hào)，驅(qū)動(dòng)外部MOSFET。該器件具...
關(guān)鍵字： MAX5048C 高電流 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

功率器件，如IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效...
關(guān)鍵字：門極驅(qū)動(dòng)光耦隔離驅(qū)動(dòng)IGBT Power MOSFET

飛兆提供業(yè)界領(lǐng)先的高可靠性體二極管性能

服務(wù)器、電信、計(jì)算等高端的AC-DC開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)應(yīng)用以及工業(yè)電源應(yīng)用需要較高的功率密度，因此要獲得成功，設(shè)計(jì)人員需要采用占據(jù)更小電路板空間并能提高穩(wěn)定性的高性價(jià)比解決方案。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SuperFET

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法

如何提升數(shù)字控制電源性能？MOSFET驅(qū)動(dòng)器有辦法,UCD9110或UCD9501等新上市的數(shù)字電源控制器需要具備新型的智能型集成MOSFET驅(qū)動(dòng)器的支持。電源設(shè)計(jì)人員仍然對(duì)數(shù)字電源控制技術(shù)心存疑慮。他們經(jīng)常將PC的藍(lán)屏現(xiàn)象歸咎于軟件沖突。當(dāng)然，這種爭(zhēng)議會(huì)阻礙數(shù)字控制電源以
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器辦法性能電源提升數(shù)字控制如何

電源設(shè)計(jì)小貼士46：正確地同步降壓FET時(shí)序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間，存在兩個(gè)過(guò)渡階段：低...
關(guān)鍵字： FET MOSFET 電源設(shè)計(jì)小貼士德州儀器

電源設(shè)計(jì)小貼士：同步降壓 MOSFET電阻比的正確選擇

在這篇《電源設(shè)計(jì)小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級(jí)中如何對(duì)傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和F...
關(guān)鍵字：同步降壓 MOSFET 電阻比

飛兆40V PowerTrenchMOSFET功率控制更強(qiáng)、效率更高

汽車動(dòng)力轉(zhuǎn)向系統(tǒng)的設(shè)計(jì)工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)的40V N溝道PowerTrench? MOSFET可幫助設(shè)計(jì)人員應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET FDB9403

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