vd-mosfet 文章進(jìn)入vd-mosfet技術(shù)社區(qū)

英飛凌推出30V車(chē)用 MOSFET

　　英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。　　基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

英飛凌推出一款30V功率MOSFET

　　英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。　　基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

IR 拓展具有低導(dǎo)通電阻的汽車(chē)用 MOSFET 系列

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天宣布拓展了針對(duì)低導(dǎo)通電阻(RDS(on))應(yīng)用的汽車(chē)用功率 MOSFET 專(zhuān)用系列，包括車(chē)載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。　　新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的電壓下可提供低達(dá) 2.6 mΩ 的導(dǎo)通電阻，可以承受 40V 至100V 的電壓，并涵蓋了此前推出的 75V 產(chǎn)品。當(dāng)中一些具有更高電壓的器件非常適用于 24V 卡車(chē)系統(tǒng)，采用 D2Pak-7P
關(guān)鍵字： IR MOSFET

Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。　　隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因?yàn)榘存I和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開(kāi)關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。　　新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過(guò)大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶(hù)的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價(jià)格。　　IR
關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET

2009年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)評(píng)選結(jié)果揭曉

　　2010年6月8日，由中國(guó)電子技術(shù)權(quán)威雜志《電子產(chǎn)品世界》舉辦的“2009年度電源產(chǎn)品評(píng)選”活動(dòng)在“第七屆綠色電源與電源管理技術(shù)研討會(huì)”舉行了頒獎(jiǎng)典禮。社長(zhǎng)陳秋娜女士宣布了最終的獲獎(jiǎng)結(jié)果，中國(guó)電源學(xué)會(huì)常務(wù)理事長(zhǎng)李龍文和陳秋娜女士分別為獲獎(jiǎng)廠商代表進(jìn)行頒獎(jiǎng)。本次活動(dòng)中共收到來(lái)自近20家國(guó)內(nèi)外電源廠商提交的五大類(lèi)別60多款產(chǎn)品，經(jīng)網(wǎng)上票選和專(zhuān)家測(cè)評(píng)最終的分別選出最佳創(chuàng)新獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)產(chǎn)品，另外還同時(shí)從所有參選產(chǎn)品中特別評(píng)選出了兩款綠色電源獎(jiǎng)產(chǎn)品獎(jiǎng)。
關(guān)鍵字：電源管理 MOSFET LED驅(qū)動(dòng)

Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。　　這三款器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應(yīng)用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

晶圓代工漲15% 模擬IC點(diǎn)頭

　　包括德儀、英飛凌、國(guó)家半導(dǎo)體(NS)、安森美(On Semi)等IDM廠，開(kāi)出高于業(yè)界水平價(jià)格，包下臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)等晶圓代工產(chǎn)能，成熟制程產(chǎn)能不足問(wèn)題，已對(duì)立锜、致新等臺(tái)灣模擬IC業(yè)者造成排擠效應(yīng)。為了避免下半年旺季時(shí)無(wú)貨可出，臺(tái)灣業(yè)者只能松口答應(yīng)調(diào)漲代工價(jià)10%至15%不等幅度，以便爭(zhēng)取到更多產(chǎn)能。　　下半年將進(jìn)入手機(jī)及計(jì)算機(jī)銷(xiāo)售旺季，不論市場(chǎng)是否對(duì)市場(chǎng)需求有所疑慮，但業(yè)界仍認(rèn)為旺季仍會(huì)有旺季應(yīng)有表現(xiàn)，至少第3季的手機(jī)、筆電、消費(fèi)性電子產(chǎn)品等出貨量，與去年同期相較仍有2成至3成的年
關(guān)鍵字：飛思卡爾 MOSFET 模擬IC

iSuppli：部分芯片產(chǎn)品交貨期拉長(zhǎng)至20周

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出，部分模擬、邏輯、內(nèi)存與電源管理IC 出現(xiàn)嚴(yán)重缺貨現(xiàn)象，導(dǎo)致價(jià)格上揚(yáng)與交貨期延長(zhǎng)至“令人擔(dān)憂的程度”。“當(dāng)交貨期來(lái)到20周左右的水平，意味著零組件供應(yīng)端與需求端出現(xiàn)了很大的差異;”追蹤半導(dǎo)體與零組件價(jià)格的iSuppli資深分析師Rick Pierson表示。　　當(dāng)零組件供應(yīng)端出現(xiàn)吃緊情況，對(duì)照目前正處于復(fù)蘇狀態(tài)的市場(chǎng)，或許并不令人驚訝;Pierson指出，特定的市場(chǎng)與價(jià)格也激化各種零組件領(lǐng)域出現(xiàn)不同程度的短缺。根據(jù)iSu
關(guān)鍵字：電源管理 MOSFET

Vishay Siliconix推出新款ThunderFET 功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用針對(duì)更高電壓器件優(yōu)化的新型低導(dǎo)通電阻技術(shù)的首款TrenchFET?功率MOSFET --- ThunderFET? SiR880DP。新器件是業(yè)界首款在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下就能導(dǎo)通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低導(dǎo)通電阻。在4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下，該器件的典型導(dǎo)通電
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET SiR880DP

IR 拓展了中壓功率 MOSFET 產(chǎn)品組合推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿(mǎn)足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶(hù)的特定應(yīng)用提供
關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET

IR拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng) IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。　　新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開(kāi)關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)等開(kāi)關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿(mǎn)足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg)，為客戶(hù)的特定應(yīng)用提供
關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET

英飛凌推出CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列

　　英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS™ C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現(xiàn)代超級(jí)結(jié)(SJ)器件的優(yōu)勢(shì)(如低導(dǎo)通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗)與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及體二極管高牢固性融合在一起?；谕瑯拥募夹g(shù)平臺(tái)，C6器件針對(duì)易用性進(jìn)行了優(yōu)化，而E6器件則旨在提供最高效率。　　CoolMOS™ C6/E6是來(lái)自英飛凌的第六代市場(chǎng)領(lǐng)先的高壓超級(jí)結(jié)功率MOSFET。全新的650V CoolMOS™ C6/E6器件具備快速、可控的開(kāi)關(guān)性能，
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolMOS MOSFET

自動(dòng)電平控制正弦波18MHz 穩(wěn)定振蕩器的設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字：振蕩器 MOSFET 正弦波

TI推出可在25A電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò)90%高效率的同步MOSFET半橋

　　德州儀器 (TI) 宣布推出一款可在 25 A 電流下實(shí)現(xiàn)超過(guò) 90% 高效率的同步 MOSFET 半橋，其占位面積僅為同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)功率 MOSFET 器件的 50%。TI 全新 CSD86350Q5D 功率模塊通過(guò)高級(jí)封裝將 2 個(gè)非對(duì)稱(chēng) NexFET 功率 MOSFET 進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺(tái)式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。更多詳情，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)：www.ti.com.cn/powerblock-prcn。　　NexF
關(guān)鍵字： TI MOSFET NexFET CSD86350Q5D