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在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
- DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，DRAM產(chǎn)業(yè)結構越趨復雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer DRAM外，又新增HBM品類。吳雅婷指出，三大DRAM原廠中，SK hynix（SK海力士）因HBM產(chǎn)品
- 關鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢
北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出
- 近日，北京君正在接受機構調(diào)研時就DRAM的新工藝情況表示，21nm和20nm都有在研，預計21nm的今年年底會推出，20nm預計將于明年中前后推出，后續(xù)還會繼續(xù)進行更新工藝的產(chǎn)品研發(fā)。關于存儲中各類市場的收入占比情況，北京君正表示，汽車市場占比大概40%以上，工業(yè)和醫(yī)療今年市場景氣度差一些，去年占比超過30%，今年大概不到30%，剩下大約20%多的是通信和消費等其他領域。存儲產(chǎn)品價格方面，北京君正的存儲產(chǎn)品主要面向行業(yè)市場，這個市場的價格變動特點和消費類市場不同，這幾年行業(yè)市場存儲價格高點是2022年，2
- 關鍵字： 北京君正 21nm DRAM
【電動車和能效亮點】Verbund X Ventures投資Easelink的創(chuàng)新充電技術
- Source:?Getty Images/Atiwat Studio奧地利能源企業(yè)Verbund的企業(yè)風投部門Verbund X Ventures日前已向總部位于格拉茨，專門從事電動汽車無線充電技術研發(fā)的高科技企業(yè)Easelink投資150萬歐元。這筆投資旨在幫助Easelink擴大其國際客戶數(shù)量，特別是加強與汽車制造商的合作，并推動其矩陣充電技術成為全球行業(yè)標準。矩陣充電技術能夠?qū)崿F(xiàn)全自動傳導式充電，無需手動連接線纜，傳輸效率達99%以上。Verbund X Ventures這一投資舉措標志著
- 關鍵字： Verbund X Ventures Easelink 充電技術
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因
- 11 月 6 日消息，天風證券分析師郭明錤昨日（11 月 5 日）在 Medium 上發(fā)布博文，深入分析了英特爾 Lunar Lake 失敗的前因后果。IT之家此前報道，是英特爾近期宣布在 Lunar Lake (LNL) 之后，將不再把 DRAM 整合進 CPU 封裝。雖此事近來成為焦點，但業(yè)界早在至少半年前就知道，在英特爾的 roadmap 上，后續(xù)的 Arrow Lake、Nova Lake、Raptor Lake 更新、Twin Lake、Panther Lake 與 Wildcat La
- 關鍵字： 郭明錤 英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果
- 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國舊金山舉行的IEEE國際電子器件大會（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來計算和存儲系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術：氧化物半導體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開發(fā)，通過改進制造工藝，開發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領域具有廣闊的應用前景。高容量交叉點MRAM（磁阻隨機存取存儲器
- 關鍵字： 鎧俠 存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊
HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升
- TrendForce指出，隨著AI服務器持續(xù)布建，高帶寬內(nèi)存（HBM）市場處高成長階段，平均售價約是DRAM產(chǎn)品的三至五倍，待下一代HBM3e量產(chǎn)，加上產(chǎn)能擴張，營收貢獻將逐季上揚。TrendForce指出，HBM市場仍處于高成長階段，由于各大云端廠商持續(xù)布建AI服務器，在GPU算力與內(nèi)存容量都將升級下，HBM成為其中不可或缺的一環(huán)，帶動HBM規(guī)格容量上升。如NVIDIA Blackwell平臺將采用192GB HBM3e內(nèi)存、AMD的MI325更是提升到288GB以上。由于HBM生產(chǎn)難度高、良率仍有顯著
- 關鍵字： HBM DRAM TrendForce
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算
- 三星電子今日宣布，已成功開發(fā)出其首款24Gb GDDR7[1]?DRAM（第七代圖形雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲器）。GDDR7具備非常高的容量和極快的速率，這使得它成為眾多下一代應用程序的理想選擇之一。三星半導體24Gb GDDR7 DRAM憑借高容量和卓越性能，24Gb GDDR7將廣泛應用于需要高性能存儲解決方案的各個領域，例如數(shù)據(jù)中心和人工智能工作站，這將進一步擴展圖形 DRAM 在顯卡、游戲機和自動駕駛等傳統(tǒng)應用領域之外的應用范圍。三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執(zhí)行副總裁裴永哲（Bae YongCh
- 關鍵字： 三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計算
X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現(xiàn)有為光學傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應增強型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
- 關鍵字： X-FAB 光電二極管 傳感靈敏度
瑞薩三合一驅(qū)動單元方案，助力電動車輕盈啟航
- 如今，電動汽車驅(qū)動器正在從傳統(tǒng)的分布式系統(tǒng)過渡到集中式架構。在傳統(tǒng)的電動汽車設計中，逆變器、車載充電器、DC/DC轉換器等關鍵部件往往采用分布式布局，各自獨立工作，通過復雜的線束相互連接。這種設計方式不僅繁雜笨重，且維護起來也異常復雜。在這種情況下，X-in-1技術應用而生。X-in-1技術是一種動力傳動系統(tǒng)的集成技術，?旨在將多個動力傳動組件集成到單一的系統(tǒng)中，?以提高整體性能、?減少體積和重量。?基于X-in-1技術，瑞薩推出三合一電動汽車單元解決方案，該方案將多個分布式系統(tǒng)集成到一個實體中，包括車載
- 關鍵字： 驅(qū)動器 電動汽車 X-in-1
Qualcomm Snapdragon X 芯片快照揭示巨大緩存大量 CPU 內(nèi)核
- 一個名叫 Piglin 的人在中國百度平臺上發(fā)布了一張據(jù)稱是高通驍龍 X 處理器的帶注釋的模具。該圖像顯示了大量的 CPU 內(nèi)核、中等大小的 GPU 和巨大的緩存。不幸的是，芯片沒有透露 45 TOPS 神經(jīng)處理單元 （NPU），高通認為該部件是該片上系統(tǒng)的主要賣點。芯片拍攝的泄密者表明，12 核 Snapdragon X Elite 的芯片尺寸為 169.6 mm^2。這比 Apple 的 10 核 M4 大一點，后者為 165.9 毫米^2。然而，應該注意的是，高通的驍龍 X Elite 是采用臺積電
- 關鍵字： Qualcomm Snapdragon X 芯片快照 CPU 內(nèi)核
TrendForce：內(nèi)存下半年價格恐摔
- 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查，消費型電子需求未如預期回溫，中國大陸地區(qū)的智能型手機，出現(xiàn)整機庫存過高的情形，筆電也因為消費者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購買，市場持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象，導致以消費型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價走弱，第二季價格較第一季下跌超過30％。盡管現(xiàn)貨價至8月份仍與合約價脫鉤，但也暗示合約價可能的未來走向。TrendForce表示，2024年第二季模塊廠在消費類NAND Flash零售通路的出貨量，已大幅年減40％，反映出全球消費性內(nèi)存市場正遭遇嚴峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響，但202
- 關鍵字： TrendForce 內(nèi)存 DRAM
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術。SK海力士強調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術力為基礎，提高了設計完成度，率先突破了技術極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開始供應產(chǎn)品，引領半導體存儲器市場發(fā)展?！惫疽?b DRAM
- 關鍵字： SK海力士 第六代 10納米級 DDR5 DRAM
ST更新軟件包, X-CUBE-MATTER支持 Matter 1.3
- ST 高興地宣布X-CUBE-MATTER現(xiàn)已支持 Matter 1.3。幾個月前，我們發(fā)布了這個軟件包的公開版，確保更多開發(fā)者能夠使用這個軟件包。隨著今天新版本的發(fā)布，我們成為現(xiàn)在首批支持該標準最新版本的芯片廠商之一。在Matter 1.3新增的眾多功能中，值得一提的是能耗報告。顧名思義，這個功能可以讓設備更容易報告電能消耗情況，從而幫助用戶實時監(jiān)測能耗。另一個主要功能是間歇性連接設備，簡稱ICD。簡而言之，ICD功能可以讓 Matter 設備在特定間隔自動打開網(wǎng)絡連接，與其他設備通信，當客戶端設備不可
- 關鍵字： 軟件包 X-CUBE-MATTER
第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增24.8%，預期第三季合約價將上調(diào)
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查，受惠主流產(chǎn)品出貨量擴張帶動多數(shù)業(yè)者營收成長，2024年第二季整體DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收達229億美元，季增24.8%。價格方面，合約價于第二季維持上漲，第三季因國際形勢等因素，預估Conventional DRAM（一般型內(nèi)存）合約價漲幅將高于先前預期。觀察Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）和Micron（美光科技）第二季出貨表現(xiàn)，均較前一季有所增加，平均銷售單價方面，三大廠延續(xù)第一季合約價上漲情勢，加上臺灣地區(qū)四月初地震影響，以及HBM
- 關鍵字： DRAM TrendForce 集邦咨詢
imec采用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構
- 比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數(shù)值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數(shù)值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發(fā)表了曝光后的圖形化組件結構。在單次曝光后，9納米和5納米（間距19納米）的隨機邏輯結構、中心間距為30納米的隨機通孔、間距為22納米的二維特征，以及間距為32納米的動態(tài)隨機存取內(nèi)存（DRAM）專用布局全部成功成形，采用的是由imec與其先進圖形化研究計劃伙伴所優(yōu)化的材料和基線制程。透過這些研究成果，imec證實該微影技術的生態(tài)系
- 關鍵字： imec High-NA EUV DRAM
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