x-dram 文章進(jìn)入x-dram技術(shù)社區(qū)

DRAM一季營(yíng)收環(huán)比下降21.2%，連續(xù)三個(gè)季度衰退

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，今年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收約96.6億美元，環(huán)比下降21.2%，已續(xù)跌三個(gè)季度。出貨量方面僅美光有上升，其余均衰退；平均銷售單價(jià)三大原廠均下跌。目前因供過(guò)于求尚未改善，價(jià)格依舊續(xù)跌，然而在原廠陸續(xù)減產(chǎn)后，DRAM下半年價(jià)格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季，雖出貨量增加，但因價(jià)格跌幅仍深，預(yù)期營(yíng)收成長(zhǎng)幅度有限。營(yíng)收方面，三大原廠營(yíng)收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新機(jī)備貨訂單有限，出貨量與平均銷售單價(jià)（ASP）同步下跌，營(yíng)收約41.7億美元，環(huán)比下降24.7%。
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需求好轉(zhuǎn)？?jī)杉掖鎯?chǔ)廠商部分應(yīng)用領(lǐng)域出現(xiàn)急單

受消費(fèi)電子市場(chǎng)需求疲弱影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)2022年下半年以來(lái)持續(xù)“過(guò)冬”，加上今年一季度為市場(chǎng)淡季，供過(guò)于求關(guān)系下，產(chǎn)業(yè)庫(kù)存高企。第二季度存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)市況如何？未來(lái)是否將有所好轉(zhuǎn)？近期，南亞科、華邦電兩家存儲(chǔ)廠商對(duì)此進(jìn)行了回應(yīng)。南亞科：庫(kù)存逐步去化，部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單近期，媒體報(bào)道，DRAM廠商南亞科表示，今年一季度是產(chǎn)業(yè)庫(kù)存高點(diǎn)，在需求與供應(yīng)端改善下，庫(kù)存正逐步去化，預(yù)期本季DRAM市況有望落底，公司在部分應(yīng)用領(lǐng)域已出現(xiàn)急單。為滿足市場(chǎng)應(yīng)用需求趨勢(shì)，南亞科持續(xù)開(kāi)發(fā)高速與低功耗產(chǎn)品，在技術(shù)推進(jìn)上，20納米產(chǎn)品
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存儲(chǔ)進(jìn)入筑底階段？

伴隨存儲(chǔ)芯片價(jià)格筑底，關(guān)于半導(dǎo)體周期拐點(diǎn)將臨近的討論越來(lái)越熱。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)芯片 DRAM

積極塑造工業(yè)4.0數(shù)據(jù)空間：倍加福推出“Manufacturing-X”計(jì)劃

工業(yè)4.0的下一階段將是什么？通過(guò)“Manufacturing-X”計(jì)劃，工業(yè)4.0平臺(tái)正在創(chuàng)建一個(gè)跨越多個(gè)行業(yè)和公司的主權(quán)數(shù)據(jù)空間，旨在實(shí)現(xiàn)供應(yīng)鏈上的多邊合作，并將數(shù)字價(jià)值的創(chuàng)造過(guò)程提升到新的水平。倍加福（Pepperl+Fuchs）通過(guò)參與工業(yè)4.0參考架構(gòu)模型（RAMI）的討論，為明確對(duì)工業(yè)4.0的理解做出了貢獻(xiàn)。如今，倍加福及其子公司Neoception將于2023年4月17日至21日在德國(guó)漢諾威工業(yè)博覽會(huì)（HANNOVER MESSE）上，展示“Manufacturing-X”的下一
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碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

近期，一眾國(guó)內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購(gòu)了美國(guó)半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團(tuán)宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報(bào)道，日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國(guó)晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中，瑞薩電子將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來(lái)降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出，按照計(jì)劃，瑞薩電子擬在目
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三星電子宣布12納米級(jí) DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)

今日，三星電子宣布其采用12納米級(jí)工藝技術(shù)的16Gb DDR5 DRAM已開(kāi)始量產(chǎn)。三星本次應(yīng)用的前沿制造工藝，再次奠定了其在尖端DRAM技術(shù)方面的優(yōu)勢(shì)。"采用差異化的工藝技術(shù)，三星業(yè)內(nèi)先進(jìn)的12 納米級(jí)DDR5 DRAM具備出色的性能和能效，"三星電子內(nèi)存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示，"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開(kāi)拓DRAM市場(chǎng)的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計(jì)算市場(chǎng)對(duì)大規(guī)模數(shù)據(jù)處理的需求，提供高性能和高容量的產(chǎn)品，而且還將通過(guò)商業(yè)化的下一代
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功耗降低 23%、量產(chǎn)率提高 20%，三星開(kāi)始量產(chǎn) 12 納米 DDR5 DRAM

IT之家 5 月 18 日消息，三星在去年 12 月宣布開(kāi)發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后，于今天宣布已大規(guī)模量產(chǎn) 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲(chǔ)芯片行業(yè)當(dāng)前正處于低谷期，三星通過(guò)量產(chǎn) 12nm 的 DRAM，希望進(jìn)一步鞏固其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉，與上一代相比，新芯片的功耗降低了 23%，而晶圓生產(chǎn)率提高了 20%，這意味著芯片尺寸比上一代更小，單個(gè)晶圓可以多生產(chǎn) 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中
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三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

三星電子今日宣布，研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?（CXL?）2.0的128GB DRAM。同時(shí)，三星與英特爾密切合作，在英特爾?至強(qiáng)?平臺(tái)上取得了具有里程碑意義的進(jìn)展。繼2022年五月，三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM（內(nèi)存擴(kuò)展器）后，又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM，預(yù)計(jì)將加速下一代存儲(chǔ)解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0（x8通道），提供高達(dá)每秒35GB的帶寬?？蓴U(kuò)展內(nèi)存（Memory Expander）“作
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DRAM迎來(lái)3D時(shí)代？

3D DRAM 領(lǐng)域的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)升溫。
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DDR5 Server DRAM 價(jià)格跌幅將收斂

集邦咨詢預(yù)估第二季度 DDR5 Server DRAM（服務(wù)器內(nèi)存）價(jià)格跌幅將收斂，由原預(yù)估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
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先進(jìn)封裝推動(dòng) NAND 和 DRAM 技術(shù)進(jìn)步

先進(jìn)封裝在內(nèi)存業(yè)務(wù)中變得越來(lái)越重要。
關(guān)鍵字：封裝 NAND DRAM

SK海力士開(kāi)發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

2023年4月20日， SK海力士宣布，再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM（內(nèi)存）——HBM3*的技術(shù)界限，全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB（Gigabyte，千兆字節(jié)）**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品，并正在接受客戶公司的性能驗(yàn)證。SK海力士強(qiáng)調(diào)“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后，又成功開(kāi)發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品?！?“最近隨著人工智能聊天機(jī)器人（AI Chatbot）產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高端存儲(chǔ)器需求也隨之增長(zhǎng)，公司將從今年下半年起將其推向市場(chǎng)，以滿足
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利基型DRAM市場(chǎng)Q2回穩(wěn)

據(jù)媒體報(bào)道，盡管消費(fèi)性電子應(yīng)用需求復(fù)蘇緩慢，但華邦電總經(jīng)理陳沛銘指出，第二季與客戶洽談合約價(jià)格已看到止穩(wěn)跡象。華邦電是一家利基型存儲(chǔ)器IC設(shè)計(jì)、制造與銷售公司，其產(chǎn)品包括利基型存儲(chǔ)器（Specialty DRAM）、行動(dòng)存儲(chǔ)器（Mobile DRAM）以及編碼型閃存（Code Storage Flash Memory）。存儲(chǔ)器產(chǎn)品主要以DRAM、NAND Flash為主。從產(chǎn)品價(jià)格上看，在NAND Flash方面，此前據(jù)TrendForce集邦咨詢3月30日調(diào)查指出，即便原廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，然需求端如服
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2023年內(nèi)存芯片趨勢(shì)

2023 年，存儲(chǔ)芯片的跌勢(shì)仍在延續(xù)，何時(shí)止跌還是未知數(shù)。
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第二季DRAM均價(jià)跌幅收斂至10~15%，仍不見(jiàn)止跌訊號(hào)

TrendForce集邦咨詢表示，由于部分供應(yīng)商如美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）已經(jīng)啟動(dòng)DRAM減產(chǎn)，相較第一季DRAM均價(jià)跌幅近20%，預(yù)估第二季跌幅會(huì)收斂至10~15%。不過(guò)，由于2023下半年需求復(fù)蘇狀況仍不明確，DRAM均價(jià)下行周期尚不見(jiàn)終止，在目前原廠庫(kù)存水位仍高的情況下，除非有更大規(guī)模的減產(chǎn)發(fā)生，后續(xù)合約價(jià)才有可能反轉(zhuǎn)。PC DRAM方面，由于買方已連續(xù)三季大減采購(gòu)量，目前買方的PC DRAM庫(kù)存約9~13周，而PC DRAM原廠已進(jìn)行減產(chǎn)，TrendForce集
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