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          三星大舉清庫存 臺(tái)DRAM廠頓感晴天霹靂

          •   據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,近期傳出三星電子(SamsungElectronics)拋出降價(jià)營(yíng)銷策略,幾乎打出半買半送的口號(hào),要在今年底前出清繪圖存儲(chǔ)器庫存。對(duì)于臺(tái)灣DRAM廠來說,無異晴天霹靂,三星此舉將可能導(dǎo)致臺(tái)廠的繪圖存儲(chǔ)器滯銷,令臺(tái)系DRAM廠毫無招架之力。   幾個(gè)月來,一些DRAM廠都在賠錢走貨,狀況低迷,原賴以生存的繪圖存儲(chǔ)器市場(chǎng)被三星的半買半送策略一攪,近期遭受如此重創(chuàng),也算來了個(gè)措手不及。過去繪圖存儲(chǔ)器仍是高于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的毛利率,但現(xiàn)在恐怕又將出現(xiàn)虧損擴(kuò)大的現(xiàn)象了。   臺(tái)DRAM廠表示
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  三星  DRAM  晶圓  MCU和嵌入式微處理器  

          Gartner:2007年全球半導(dǎo)體收入將增長(zhǎng)3%

          •   市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner日前發(fā)布了2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入預(yù)測(cè)報(bào)告。報(bào)告顯示,2007年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)收入同比去年增長(zhǎng)2.9%,達(dá)到2730億美元。而且銷售收入排名前十位的廠商當(dāng)中,兩家公司的收入增長(zhǎng)保持兩位數(shù)增長(zhǎng),而另有兩家公司收入出現(xiàn)下滑。   Gartner負(fù)責(zé)市場(chǎng)調(diào)查業(yè)務(wù)的資深副總裁Andrew Norwood稱,“半導(dǎo)體廠商目前的經(jīng)營(yíng)狀況,與終端客戶的聯(lián)系更加緊密起來,因?yàn)楫?dāng)前半導(dǎo)體業(yè)界與消費(fèi)者的支出模式有直接關(guān)系?!?   英特爾2007年的芯片銷售收入增長(zhǎng)幅度超過了半導(dǎo)體市場(chǎng)平均
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導(dǎo)體  芯片  DRAM  

          中芯國(guó)際今年仍盈利無望 赴內(nèi)地上市存障礙

          •   中芯國(guó)際連年虧損,今年也不例外;該公司行政總裁張汝京表示,今年仍然可能無法實(shí)現(xiàn)盈利目標(biāo),但對(duì)集團(tuán)整體展望仍是正面。   中芯第三季業(yè)績(jī)因DRAM價(jià)格走弱而虧損2,555萬美元,外電引述張汝京的話表示,若集團(tuán)的DRAM業(yè)務(wù)能夠達(dá)到收支平衡,全年才有望獲得盈利。   集團(tuán)早前預(yù)期今年DRAM業(yè)務(wù)將難有明顯改善。此外,張汝京表示,中芯仍計(jì)劃于內(nèi)地上市,但目前仍存有許多障礙。   集團(tuán)于上海的12英寸芯片生產(chǎn)線,昨日正式投產(chǎn),初期投資4.5億美元,未來投資總額將增加至20億美元。張汝京表示,上海的生產(chǎn)線
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  中芯國(guó)際  DRAM  芯片  消費(fèi)電子  

          分割DRAM虧損部門 矽統(tǒng)裁員不裁錢

          •   據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,芯片大廠矽統(tǒng)也將步威盛步伐,進(jìn)行重整計(jì)劃,上月爆出消息,矽統(tǒng)將虧損關(guān)鍵DRAM模塊部門分割獨(dú)立為子公司昱聯(lián)科技外,近期傳出,矽統(tǒng)將大舉進(jìn)行裁員。矽統(tǒng)表示,由于DRAM跌價(jià)重創(chuàng),前三季都大虧,為改善這一局面,矽統(tǒng)將進(jìn)行規(guī)模重整,調(diào)整營(yíng)運(yùn)步伐,進(jìn)行有效裁員,期望至明年上半年慢慢回升績(jī)效,至明年下半年,可望營(yíng)收回升,整體回暖。   威盛和矽統(tǒng)都曾是英特爾的勁敵,帶給英特爾極大的威脅,但由于一些技術(shù)上以及專利方面的原因,以及全球大氣候的影響,慢慢被強(qiáng)勁的對(duì)手比拼,聲勢(shì)日漸低落,即使全力一搏,
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  芯片  矽統(tǒng)  模擬IC  電源  

          DRAM市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化 預(yù)計(jì)08年資本開支下滑超過30%

          •   Friedman Billings Ramsey & Co. Inc.(FBR)分析師Mehdi Hosseini日前表示,“根據(jù)三星日前的報(bào)告,我們分析2008年上半年DRAM內(nèi)存市場(chǎng)基礎(chǔ)繼續(xù)惡化,大多數(shù)DRAM供應(yīng)商,尤其韓國(guó)之外的廠商2008年資本開支出現(xiàn)大幅削減?!?   預(yù)計(jì)2008年,DRAM領(lǐng)域的資本開支將下滑超過30%,原來預(yù)計(jì)下降20%。這將導(dǎo)致總體內(nèi)存資本開支減少10-12%。   在DRAM市場(chǎng)經(jīng)歷了漫長(zhǎng)的低迷之后,該市場(chǎng)仍然存在嚴(yán)重的供過于求情況?!斑@主要由于按容量計(jì)
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  三星  NAND  EDA  IC設(shè)計(jì)  

          第三季度NAND閃存銷售額增長(zhǎng)37%,達(dá)42億美元

          •   市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli日前在聲明中表示,第三季度NAND閃存半導(dǎo)體全球銷售額增長(zhǎng)37%,達(dá)到42億美元。但iSuppli指出,在包括蘋果iPod在內(nèi)的消費(fèi)電子產(chǎn)品需求刺激下的連續(xù)增長(zhǎng)勢(shì)頭,本季度可能結(jié)束。由于產(chǎn)量增長(zhǎng)速度快于需求,本季度NAND的平均銷售價(jià)格將下降18%。   韓國(guó)海力士半導(dǎo)體第三季度增長(zhǎng)最快,其NAND銷售額比第二季度大增79%,達(dá)到8.06億美元。它的市場(chǎng)份額是19%,在當(dāng)季全球排名第三。最大的NAND閃存供應(yīng)商三星電子,市場(chǎng)份額從第二季度的45%降至40%,它出貨的閃存數(shù)量
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  DRAM  存儲(chǔ)器  

          NEC電子開發(fā)出40納米DRAM混載系統(tǒng)LSI 混載工藝技術(shù)

          •   NEC電子近日完成了兩種線寬40納米的DRAM混載系統(tǒng)LSI工藝技術(shù)的開發(fā),使用該工藝可以生產(chǎn)最大可集成256MbitDRAM的系統(tǒng)LSI。40nm工藝技術(shù)比新一代45nm半導(dǎo)體配線工藝更加微細(xì),被稱為45nm的下一代產(chǎn)品。此次,NEC電子推出的工藝中,一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝,它可使邏輯部分的處理速度最快達(dá)到800MHz,同時(shí)保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝,它的功耗約為內(nèi)嵌同等容量SRAM的1/3左右。   UX8GD和 UX8LD 是在線寬從55nm縮小至40nm的
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  NEC  DRAM  LSI  

          供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進(jìn)一步惡化

          •   美國(guó)iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示,由于供應(yīng)過剩與價(jià)格暴跌,DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進(jìn)一步惡化。   NAND閃存方面,預(yù)計(jì)512M產(chǎn)品全球平均單價(jià)(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價(jià)在第二季度、第三季度均比上季度有所提高,分別為6%與8.4%。但是在第四季度,隨著價(jià)格下跌,行情出現(xiàn)惡化,短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示,此次價(jià)格下跌的主要原因韓國(guó)內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存,從而導(dǎo)
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          2007年上半年DRAM模塊市場(chǎng)晴雨表 金士頓仍是霸主

          •   據(jù)iSuppli公司,2007年上半年金士頓鞏固了自己在全球品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的領(lǐng)先地位,但同期增長(zhǎng)最快的則是規(guī)模較小的創(chuàng)見與記憶科技。   2007年上半年,臺(tái)灣創(chuàng)見DRAM模塊銷售收入比2006年同期大增77.3%,在所有的供應(yīng)商中增長(zhǎng)率最高。其銷售收入從2006年上半年的1.41億美元增長(zhǎng)到2.5億美元。創(chuàng)見在品牌第三方DRAM模塊市場(chǎng)中的排名從2006年上半年時(shí)的第10升至第六。   iSuppli公司的存儲(chǔ)IC和存儲(chǔ)系統(tǒng)總監(jiān)兼首席分析師Nam Hyung Kim表示:“由于創(chuàng)見
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  金士頓  臺(tái)灣  MCU和嵌入式微處理器  

          08年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡 產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)

          •   2008年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)前景黯淡,資本開支預(yù)計(jì)下滑超過3%。Hosseini預(yù)測(cè),前端設(shè)備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年,而后端設(shè)備預(yù)計(jì)也充滿變數(shù)。   他在報(bào)告中指出,“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化,由于芯片單元增長(zhǎng)率出現(xiàn)拐點(diǎn),2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風(fēng)險(xiǎn)。我們預(yù)計(jì)前端設(shè)備訂單繼續(xù)下滑,下滑情況可能會(huì)持續(xù)到2008年第3季度?!彼瑫r(shí)表示,“從2007年第3季度到2008年第3季度,預(yù)計(jì)后端訂單勢(shì)頭平緩至下滑,之后有望重現(xiàn)恢復(fù)?!?   他最大的擔(dān)憂在DRAM行業(yè),預(yù)計(jì)“整
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          美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì):近期半導(dǎo)體市場(chǎng)不會(huì)衰退

          •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)表示,近期內(nèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)不大可能出現(xiàn)衰退。它認(rèn)為今年全球芯片的銷售額將增長(zhǎng)3%,在隨后三年中的增長(zhǎng)速度會(huì)更高一些。   SIA表示,它預(yù)計(jì)全球的芯片銷售額將由去年的2477億美元增長(zhǎng)至2571億美元,增長(zhǎng)速度低于今年年初時(shí)預(yù)期的10%。   6月份,SIA將今年芯片銷售額的增長(zhǎng)速度預(yù)期下調(diào)到了1.8%,主要原因是幾種關(guān)鍵市場(chǎng)的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后,微處理器的銷售出現(xiàn)了強(qiáng)勁增長(zhǎng),迫使SIA提高了對(duì)芯片銷售額增長(zhǎng)速度的預(yù)期。   S
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導(dǎo)體  芯片  DRAM  模擬IC  電源  

          三星DRAM銷售穩(wěn)居冠軍,但市場(chǎng)份額不保

          •   據(jù)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)iSuppli公布的調(diào)查報(bào)告顯示,韓國(guó)三星電子在今年第三季度全球DRAM儲(chǔ)存芯片市場(chǎng)的銷售收入仍穩(wěn)坐冠軍寶座,但其部分市場(chǎng)份額卻被位居第二的Hynix奪走。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,iSuppli在上周四發(fā)布的報(bào)告中表示,在第三季度中Hynix有非常受矚目的表現(xiàn),它的成長(zhǎng)速度相當(dāng)迅猛,并在逐步縮小與三星的差距。據(jù)悉,第三季度三星的市場(chǎng)份額為27.7%,位居全球第一,其銷售收入比第二季度下降了2.9%為19.33億美元;排在第二位的是Hynix,其第三季度收入比第二季度增長(zhǎng)了15.4%達(dá)到1
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          晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內(nèi)存

          •   研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示,閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過DRAM內(nèi)存。   根據(jù)SMA報(bào)告,閃存產(chǎn)能從2000年以來已經(jīng)增長(zhǎng)了四倍,達(dá)到相當(dāng)于290萬片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下,DRAM產(chǎn)能自那時(shí)起僅增長(zhǎng)225%。   報(bào)告表示,從2005年到2008年底的三年間,閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。   預(yù)計(jì)2008年和2009年,將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預(yù)計(jì),當(dāng)設(shè)備裝機(jī)完成時(shí),將帶來每月相當(dāng)于150萬片2
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          第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進(jìn)制程受益

          •   對(duì)全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財(cái)報(bào)進(jìn)行分析可以發(fā)現(xiàn),在該季度,代工業(yè)整體需求旺盛,一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢(shì)。不過,雖然需求旺盛,但是由于代工產(chǎn)品種類及技術(shù)水平的差別,各代工廠在凈利潤(rùn)方面卻是冷暖自知,中芯國(guó)際(SMIC)成為DRAM價(jià)格嚴(yán)重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損,但是通過與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動(dòng)下,不久中芯國(guó)際有望走出低迷。   第三季度代工需求旺盛   綜合各家代工廠第三季度的財(cái)報(bào),可以發(fā)現(xiàn)(見表“全球前
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          IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增

          •   IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》中預(yù)測(cè),2007年全球芯片銷售收入增長(zhǎng)速度放慢將為2008年的大增長(zhǎng)奠定基礎(chǔ)。   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,2007年全球芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度將只有4.8%,2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測(cè),2008年的增長(zhǎng)速度將達(dá)到8.1%。   報(bào)告指出,如果產(chǎn)能增長(zhǎng)速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢,芯片市場(chǎng)的增長(zhǎng)速度會(huì)更快。市場(chǎng)潮流是合并和收購(gòu),這可能會(huì)改變業(yè)界的競(jìng)爭(zhēng)格局。   IDC負(fù)責(zé)《全球半導(dǎo)體市場(chǎng)預(yù)測(cè)》的項(xiàng)目經(jīng)理戈帕爾說,今年上半年芯片市場(chǎng)的供過于求降低了對(duì)各
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  芯片  DRAM  NAND  EDA  IC設(shè)計(jì)  
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