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手機終于躍居半導(dǎo)體最大應(yīng)用出海口
- 多年來，個人計算機(PC)一直是半導(dǎo)體最主要的應(yīng)用市場，但由于近年來PC市場出貨量成長乏力，相關(guān)半導(dǎo)體市場的成長速度也跟著牛步化。 據(jù)IC Insights最新報告指出，PC應(yīng)用將在2017年失去半導(dǎo)體最大應(yīng)用出海口的寶座。 手機則可望正式超越PC，成為芯片產(chǎn)品最大的應(yīng)用市場。 整體來說，受惠于DRAM與閃存價格居高不下，不管是PC或智能型手機的半導(dǎo)體市場規(guī)模，未來幾年都將呈現(xiàn)成長格局。 但由于PC出貨量連年緩步下滑，短期間內(nèi)不見轉(zhuǎn)機，因此手機市場雖然也遇到成長高原期，手機芯片銷售額仍可望拉開與
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM
第三季度服務(wù)器DRAM合約價續(xù)揚，預(yù)估季增3%~8%
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示，由于內(nèi)存供應(yīng)吃緊態(tài)勢尚未改變，今年第一季合約價上揚近四成，第二季合約價更進一步上揚約一成水位;放眼第三季，出貨至一線廠的32GB服務(wù)器模組價格將來到260美元大關(guān)，二線廠更會高于此價格水位，使得整體第三季價格將會持續(xù)季增3%~8%的幅度。 DRAMeXchange分析師劉家豪指出，受到服務(wù)器內(nèi)存的傳輸帶寬支持從2133MHz與2400MHz更進一步提升到2666MHz，且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注，下半年單機容量上的提升與
- 關(guān)鍵字： 服務(wù)器 DRAM
超越S參數(shù)測試
- 減緩壓力的方法之一是使用靈活的高度綜合的測試解決方案--如Agilent N5242A PNA-X微波網(wǎng)絡(luò)分析儀。由于PNA-X的先進體系結(jié)構(gòu)，它不僅提供卓越的性能和精度，而且還能針對超越與網(wǎng)絡(luò)分析儀相關(guān)的傳統(tǒng)散射參數(shù)(S參數(shù))的各種測量進行配置。
- 關(guān)鍵字： 矢量網(wǎng)絡(luò)分析 S參數(shù)測試 PNA-X
存儲“芯”動態(tài)：美光擴產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴充西安NAND Flash產(chǎn)能
- 多數(shù)手機以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版，而不同版本之間的差價可達到幾百元，這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。 半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場，其三大主流產(chǎn)品 DRAM，NAND Flash，NOR Flash 更是如此，尤其是前兩者，全球市場基本被前三大公司占據(jù)，且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例，2016年第一季度，DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù)，而NAND Flash市場幾乎全
- 關(guān)鍵字： 美光 DRAM
微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)
- 量子計算機如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。 現(xiàn)在，微軟也要在量子計算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。 半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達成合作，雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng)，為未來的量子計算機服務(wù)。 Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率，并且降低功耗。 同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運行，從而確保整個存儲系統(tǒng)在
- 關(guān)鍵字： 微軟 DRAM
第一季PC DRAM合約價格上漲約三成
- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示，2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看，由于去年第四季嚴(yán)重供不應(yīng)求，多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價以確保供貨穩(wěn)定，使得第一季合約價再度上漲超過三成，亦帶動其他內(nèi)存類別同步上揚，如服務(wù)器內(nèi)存在第一季的價格上揚也相當(dāng)可觀，移動式內(nèi)存價格也有近一成的漲幅。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察，原廠產(chǎn)能增加的效應(yīng)最快在
- 關(guān)鍵字： DRAM
麥格理分析師：DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底
- 據(jù)外媒報道，存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。 據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預(yù)期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。 整體來說，Daniel Kim認(rèn)為芯片價格上漲，即暴露看空論點的瑕疵。 他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
- 關(guān)鍵字： DRAM Flash
傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺/美/日半導(dǎo)體大廠
- 全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重，已成為半導(dǎo)體廠營運成長瓶頸，后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火，半導(dǎo)體業(yè)者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應(yīng)商供貨明顯偏向臺、美、日廠，恐讓大陸半導(dǎo)體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。 硅晶圓已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資，過去10年來硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過于求狀態(tài)，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導(dǎo)體廠生產(chǎn)線運作，尤其是12吋規(guī)
- 關(guān)鍵字： 晶圓 DRAM
高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉(zhuǎn)跌
- 據(jù)外電報道，高盛判斷，DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價格也許會轉(zhuǎn)跌，決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評等。 巴倫周刊8日報導(dǎo)，高盛的Mark Delaney報告表示，過去四個季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經(jīng)驗顯示，DRAM榮景通常持續(xù)四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價格高點，比以往更高。 Delaney強調(diào)，和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn)，DRAM現(xiàn)貨價的成長動能放緩，價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示，NAND價
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
后PC時代 移動型DRAM成市場主力
- 三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起，讓原先并未擴產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域，也使得三星更加壯大。 三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價急速攀升的氣勢，半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機搭載需求倍增，在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴充等因素作用下，帶動存儲器報價上漲。 從DRAM角度來看，存儲器原廠中，有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
- 關(guān)鍵字： 英特爾 DRAM
三星投26億擴展Line 17工廠10nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)能
- 三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。 三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM
新興內(nèi)存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前
- 內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一，目前主要由動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過，由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù)，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制，因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu)，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。 根據(jù)研究機構(gòu)Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存，都已陸續(xù)進入小量生產(chǎn)階段。 不
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM
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