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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
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CISSOID與國(guó)芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議

各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國(guó)IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國(guó)際學(xué)術(shù)論壇上，公司與湖南國(guó)芯半導(dǎo)體科技有限公司（簡(jiǎn)稱“國(guó)芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開(kāi)展寬禁帶功率技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢(shì)，并推動(dòng)其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。近年來(lái)，寬禁帶半導(dǎo)體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢(shì)，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車(chē)、智能家電、通信等領(lǐng)域開(kāi)始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應(yīng)用中
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Intel花式“揶揄”對(duì)手：新酷睿X可以達(dá)到標(biāo)稱加速頻率

近日，Intel發(fā)布新一代酷睿X桌面發(fā)燒級(jí)處理器，覆蓋10~18核，采用14nm Cascade Lake-X架構(gòu)，定價(jià)590~978美元。
關(guān)鍵字： AMD 英特爾 Core X

Intel新發(fā)燒12核酷睿i9-10920X現(xiàn)身跑分：接口不變

隨著發(fā)布日期的臨近，Intel下一代發(fā)燒級(jí)桌面平臺(tái)Cascade Lake-X開(kāi)始頻頻出現(xiàn)在測(cè)試數(shù)據(jù)庫(kù)中。GeekBench上已經(jīng)先后出現(xiàn)了10核心20線程酷睿i9-10900X、旗艦級(jí)酷睿i9-10980XE的身影，如今輪到12核的Core i9-10920X了?；鶞?zhǔn)識(shí)別出的頻率為2.77/3.80GHz，顯然不對(duì)，畢竟現(xiàn)款12核i9-9920X是3.5/4.4GHz。跑分方面，單核5339，多核44046。成績(jī)算得上正常，正好卡在Core i9-10900X (5204 / 39717)和Core i
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國(guó)內(nèi)市場(chǎng)巨大分析機(jī)構(gòu)看好華為5G手機(jī)：明年出貨量全球第一

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、芯片、基站、手機(jī)……華為在5G方面的布局可謂又深又廣，非常契合其全球通信一哥的身份。
關(guān)鍵字：華為三星 5G Mate 20 X 5G

華為Mate X發(fā)售時(shí)間曝光最快9月份出貨

今日有媒體報(bào)道，華為或?qū)⒃诒局芘e辦的開(kāi)發(fā)者大會(huì)上公布華為Mate X的先關(guān)發(fā)售信息，最快該機(jī)會(huì)在9月份出貨。華為Mate X（5G版全網(wǎng)通）電商報(bào)價(jià)京東商城預(yù)約搶購(gòu)華為Mate X發(fā)售時(shí)間曝光 9月份出貨媒體援引自產(chǎn)業(yè)鏈消息人士說(shuō)法，華為Mate X上市準(zhǔn)備已經(jīng)做好，相關(guān)發(fā)售信息預(yù)計(jì)會(huì)在8月9日的華為開(kāi)發(fā)者大會(huì)上公布，最快出貨時(shí)間或在9月份。據(jù)了解，華為Mate X是在今年的MWC2019大展上正式對(duì)外公布。該機(jī)最大亮點(diǎn)是采用內(nèi)折屏設(shè)計(jì)，正面是一塊6.6英寸大屏，背面屏幕尺寸6.38
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Cree積極擴(kuò)廠開(kāi)發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術(shù)發(fā)展待觀察

全球SiC晶圓市場(chǎng)規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術(shù)大廠Cree為求強(qiáng)化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國(guó)總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴(kuò)建1座先進(jìn)自動(dòng)化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級(jí)工廠(Mega Factory)，期望借此擴(kuò)建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進(jìn)磊晶技術(shù)進(jìn)一步應(yīng)用于功率及射頻元件中。
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史上最輕無(wú)人機(jī)：比回形針還輕

RoboBee X-Wing，這個(gè)來(lái)自哈佛的微型飛行機(jī)器人，為光能供電，可攜帶最多6塊太陽(yáng)能電池板。
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中國(guó)首張5G終端電信設(shè)備進(jìn)網(wǎng)許可證華為Mate 20 X 5G版入網(wǎng)

6月25日消息，華為終端官方微博宣布，華為5G雙模手機(jī)Mate 20 X 5G版獲得中國(guó)首張5G終端電信設(shè)備進(jìn)網(wǎng)許可證，這意味著華為Mate 20 X 5G版距離上市越來(lái)越近了。
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支持瓦特到千瓦級(jí)應(yīng)用的氮化鎵技術(shù)

兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設(shè)計(jì)，帶集成柵極驅(qū)動(dòng)和穩(wěn)健的器件保護(hù)。從那時(shí)起，我們就致力于利用這項(xiàng)尖端技術(shù)將功率級(jí)盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級(jí)別都很關(guān)鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時(shí)減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來(lái)經(jīng)驗(yàn)來(lái)看，您必須至少對(duì)其中的部分因素進(jìn)行權(quán)衡，但德州儀器正通過(guò)所有這些優(yōu)勢(shì)實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)，同時(shí)通過(guò)在一個(gè)封裝中進(jìn)行復(fù)雜集成來(lái)節(jié)省系統(tǒng)級(jí)成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
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MACOM和意法半導(dǎo)體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)建設(shè)

　　MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達(dá)克股票代碼:MTSI) (以下簡(jiǎn)稱“MACOM”)和意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡(jiǎn)稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴(kuò)大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴(kuò)產(chǎn)。該擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設(shè)，基于2018年初 MACOM和ST宣布達(dá)成的廣泛的硅基GaN協(xié)議?！　‰S著全球推出5G網(wǎng)絡(luò)并轉(zhuǎn)向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預(yù)計(jì)
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MACOM推出寬帶多級(jí)硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 模塊具備靈活安裝性能，實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先的設(shè)計(jì)敏捷性

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM Technology Solutions Inc. (“MACOM”) 宣布推出全新MAMG-100227-010寬帶功率放大器 (PA) 模塊，擴(kuò)展其硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率放大器 (PA) 產(chǎn)品組合。該寬帶PA模塊經(jīng)過(guò)優(yōu)化改良，適用于陸地移動(dòng)無(wú)線電系統(tǒng)(LMR)、無(wú)線公共安全通信以及軍事戰(zhàn)術(shù)通信和電子對(duì)抗 (ECM) 領(lǐng)域。MAMG-100227-010 PA模塊兼具50Ω 全匹配、兩級(jí)PA架構(gòu)的高效設(shè)計(jì)，以及頂端和底端安
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GaN逐步向RF領(lǐng)域的發(fā)展之路

目前，氮化鎵(GaN)技術(shù)已經(jīng)不再局限于功率應(yīng)用，其優(yōu)勢(shì)也在向射頻/微波行業(yè)應(yīng)用的各個(gè)角落滲透，而且對(duì)射頻/微波行業(yè)的影響越來(lái)越大，不容小覷。因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)從太空、軍用雷達(dá)到蜂窩通信的應(yīng)用。雖然GaN通常與功率放大器(PA)相關(guān)度很高，但它也有其他用例。自推出以來(lái)，GaN的發(fā)展歷程令人矚目，隨著5G時(shí)代的到來(lái)，它可能會(huì)更加引人關(guān)注。
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射頻前端市場(chǎng)潛力巨大 GaN發(fā)展優(yōu)勢(shì)明顯

目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機(jī)端的功率放大器(PA)和低噪聲放大器(LNA)主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻(RF)開(kāi)關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs和GaN材料，從目前的材料工藝角度來(lái)看，主要針對(duì)5G的Sub-6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，GaN技術(shù)的運(yùn)用將能為PA帶來(lái)高效低功耗的優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：射頻 GaN