x-gan 文章 進入x-gan技術(shù)社區(qū)
松下：力推阻容元件與開發(fā)工具，開關(guān)器件X-GaN效率更高
- 松下被動元件展區(qū)，松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團隊產(chǎn)品市場經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流。 ZK和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合?！ ∷上录瘓F汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator，可加速
- 關(guān)鍵字： 松下 X-GaN
最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動器
- 實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對先進的通信、雷達(dá)和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。 該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz，支持芯片級設(shè)計，通過K頻段應(yīng)用提供頻率更
- 關(guān)鍵字： Qorvo GaN
基于單片機的X-γ射線檢測報警系統(tǒng)的研究
- 核技術(shù)在給社會帶來巨大利益的同時，也影響著我們的健康與我們的生存環(huán)境，經(jīng)常帶來人員傷亡與環(huán)境污染等事故。在工業(yè)生產(chǎn)、醫(yī)療檢測及科學(xué)試驗過程中同位素與射線裝置輻射屏蔽的不完全，使工作人員或多或少地會受到
- 關(guān)鍵字： X-γ射線 檢測報警系統(tǒng) 單片機 便攜 經(jīng)濟
X-Fab將收購已進入破產(chǎn)程序法國專業(yè)晶圓代工廠Altis
- 模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布，將收購日前已進入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產(chǎn)程序。實際收購價格方面，X-Fab未進一步對外透露。 根據(jù)外媒報導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semiconductor將有助增
- 關(guān)鍵字： X-Fab 晶圓
X-Fab將收購法國Altis資產(chǎn)
- 模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布，將收購日前已進入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產(chǎn)程序。實際收購價格方面，X-Fab未進一步對外透露。 根據(jù)EETimes等外媒報導(dǎo)，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semicondu
- 關(guān)鍵字： X-Fab Altis
中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞
- 中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生，市委副書記、市長梁維東，國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。 副市長楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。 為廣東實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 GaN
以GaN打造的功率放大器為5G鋪路
- 德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 下一代行動無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
- 關(guān)鍵字： GaN 5G
諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個技術(shù)研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都是
- 關(guān)鍵字： GaN LED
諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個技術(shù)研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL)，都
- 關(guān)鍵字： GaN 藍(lán)光LED
x-gan介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條x-gan!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對x-gan的理解，并與今后在此搜索x-gan的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對x-gan的理解，并與今后在此搜索x-gan的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
x-gan電路
x-gan相關(guān)帖子
x-gan資料下載
x-gan專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473