x-gan 文章進(jìn)入x-gan技術(shù)社區(qū)

X-FAB增強(qiáng)其180納米車(chē)規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺(tái)作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊，支持-40°C
關(guān)鍵字： X-FAB 180納米高壓CMOS 代工

Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)

深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議，收購(gòu)垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開(kāi)發(fā)商O(píng)dyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成，屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門(mén)。此次收購(gòu)將為該公司專(zhuān)有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開(kāi)發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列，包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
關(guān)鍵字： Power Integrations Odyssey 氮化鎵 GaN

美國(guó)周二表示，已經(jīng)撤銷(xiāo)了許可證，禁止公司向被制裁的華為等公司運(yùn)輸芯片

據(jù)一名知情人士透露，一些公司在周二收到通知，稱(chēng)他們的許可證立即被撤銷(xiāo)。此舉是在上個(gè)月華為發(fā)布了首款A(yù)I功能筆記本電腦MateBook X Pro之后采取的。該電腦由英特爾（INTC.O）新推出的Core Ultra 9處理器提供動(dòng)力。筆記本電腦的推出引發(fā)了共和黨議員的抨擊，他們稱(chēng)這表明美國(guó)商務(wù)部已經(jīng)向英特爾發(fā)出了向華為出售芯片的許可證。商務(wù)部在一份聲明中表示：“我們已經(jīng)撤銷(xiāo)了一些出口至華為的許可證。”該部門(mén)拒絕具體說(shuō)明已撤銷(xiāo)了哪些許可證。此舉首次由路透社報(bào)道，此前，共和黨的中國(guó)鷹派議員一直在施加壓力，敦促
關(guān)鍵字： MateBook X Pro 華為 AI

Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件

近日，Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵（GaN）器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起，組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C，集成了偉詮電子的高頻多模（準(zhǔn)諧振/谷底開(kāi)關(guān)）反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件（WT7162RHUG24A）相同，兩
關(guān)鍵字：功率半導(dǎo)體氮化鎵 GaN

GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類(lèi)音頻放大器

D類(lèi)音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效，從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類(lèi)音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì)，在4Ω負(fù)載時(shí)，每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì)，其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板，實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高，使
關(guān)鍵字： GaN FET D類(lèi)音頻放大器

X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強(qiáng)CMOS傳感器性能

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學(xué)傳感器產(chǎn)品平臺(tái)再添新成員——為滿(mǎn)足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺(tái)XS018（180納米）上開(kāi)放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過(guò)BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強(qiáng)。這一技術(shù)使得每個(gè)像素點(diǎn)接收到的入射光不會(huì)再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達(dá)100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
關(guān)鍵字： X-FAB 圖像傳感器背照技術(shù) CMOS傳感器

高通驍龍 X Elite 芯片初上手：跑分亮眼、功耗優(yōu)異、AI 性能出色

4 月 8 日消息，國(guó)外科技媒體 Windows Latest 幾周前受邀前往高通位于圣迭戈的總部，親身體驗(yàn)了驍龍 X Elite 平臺(tái)產(chǎn)品，在最新博文中分享了跑分、游戲?qū)崪y(cè)和 NPU 性能等相關(guān)信息。跑分該媒體使用 3D Mark、Jetstream 等軟件進(jìn)行了相關(guān)測(cè)試，IT之家基于該媒體報(bào)道，附上 23W 驍龍 X Elite 處理器（系統(tǒng)瓦數(shù)，而非封裝瓦數(shù)）和英特爾酷睿 Ultra 7 155H 處理器的跑分對(duì)比：跑分 Snapdragon X Elite 23w Intel Core Ultra
關(guān)鍵字：高通驍龍 X Elite 芯片 AI

氮化鎵器件讓您實(shí)現(xiàn)具成本效益的電動(dòng)自行車(chē)、無(wú)人機(jī)和機(jī)器人

基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9193)讓您實(shí)現(xiàn)具有更高性能的電機(jī)系統(tǒng)，其續(xù)航里程更長(zhǎng)、精度更高、扭矩更大，而且同時(shí)降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）近日宣布推出EPC9193，它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置，分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本：●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計(jì)，在每個(gè)開(kāi)關(guān)位置使用單個(gè)FET，可提供高達(dá)30ARMS 的最大輸出電流?！? ?EPC91
關(guān)鍵字：氮化鎵器件電動(dòng)自行車(chē) 無(wú)人機(jī) 機(jī)器人 EPC GaN 宜普

將達(dá)100億美元，SiC功率器件市場(chǎng)急速擴(kuò)張

SiC 市場(chǎng)的快速擴(kuò)張主要得益于電動(dòng)汽車(chē)的需求，預(yù)計(jì) 2023 年市場(chǎng)將比上年增長(zhǎng) 60%。
關(guān)鍵字： GaN SiC

GaN引領(lǐng)未來(lái)寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962

Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著影響力的美國(guó)公司。它通過(guò)提供創(chuàng)新的射頻技術(shù)，為移動(dòng)、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防/航空航天市場(chǎng)提供核心技術(shù)及解決方案，致力于實(shí)現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開(kāi)關(guān)、調(diào)諧器等領(lǐng)域都展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產(chǎn)品在市場(chǎng)上具有較高的認(rèn)可度和廣泛的應(yīng)用。這使得Qorvo在推動(dòng)5G網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長(zhǎng)的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中，GaN材料展露出了重要的應(yīng)用潛力。由于
關(guān)鍵字： Qorvo GaN 寬帶功率放大器

納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)

唯一全面專(zhuān)注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展，邀請(qǐng)觀(guān)眾造訪(fǎng)由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
關(guān)鍵字：納微半導(dǎo)體亞洲充電展 GaN+SiC 快充

IBM + X-POWER + 源卓微納：以AI會(huì)友，共創(chuàng)制造業(yè)智能化故事2.0

"極致數(shù)字化"的時(shí)代已然拉開(kāi)帷幕，全新水平的復(fù)雜數(shù)據(jù)和生成式 AI 的"化學(xué)效應(yīng)"，正在加速提升自動(dòng)化工作流的智能水平，幫助企業(yè)擁有更廣泛且有競(jìng)爭(zhēng)力的業(yè)務(wù)影響，同時(shí)通過(guò)實(shí)時(shí)洞察和決策來(lái)加速和擴(kuò)展企業(yè)內(nèi)部數(shù)字化轉(zhuǎn)型的議程。據(jù)IBM 商業(yè)價(jià)值研究院近期針對(duì)全球范圍內(nèi)2,000 多名首席級(jí)高管開(kāi)展的一項(xiàng)AI和自動(dòng)化調(diào)研的洞察報(bào)告顯示，在生成式 AI 采用和數(shù)據(jù)主導(dǎo)式創(chuàng)新領(lǐng)域處于前沿的企業(yè)已經(jīng)收獲了巨大的回報(bào)，其年凈利潤(rùn)要比其他組織高出 72%，年收入增長(zhǎng)率要高出
關(guān)鍵字： IBM X-POWER 源卓微納 AI 制造業(yè)智能化

英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì)，進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
關(guān)鍵字：英飛凌 Worksport 氮化鎵 GaN 便攜式發(fā)電站

EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
關(guān)鍵字： EPC 1mΩ 導(dǎo)通電阻 GaN FET

適用于自主駕駛車(chē)輛LiDAR的GaN FET快速指南

激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車(chē)輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類(lèi)參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類(lèi)傷害，汽車(chē) LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類(lèi)安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
關(guān)鍵字：自主駕駛 LiDAR GaN FET