xperia 1 v 文章 進入xperia 1 v技術(shù)社區(qū)
使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
- ●? ?介紹隨著技術(shù)推進到1.5nm及更先進節(jié)點,后段器件集成將會遇到新的難題,比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差,并實現(xiàn)具有挑戰(zhàn)性的制造工藝,需要進行工藝調(diào)整。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn),我們嘗試在1.5nm節(jié)點后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版,以對單大馬士革和雙大馬士革進行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm,前兩類是1.5nm節(jié)點后段的最小目標金屬間距
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傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日,據(jù)媒體報道,三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱,三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品,希望明年初可以實現(xiàn)量產(chǎn)。三星正在通過增加堆疊層數(shù)、同時降低高度來實現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)最小的單元尺寸。目前,存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復(fù)蘇階段,大廠們正在追求存儲先進技術(shù)的研發(fā)。從當前進度來看,NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān):SK海力士已至321層,美光232層,三星則計劃2024年推出第九代3D NAND(有望達到280層)。據(jù)悉,三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層)
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蘋果承認部分 iPhone 15 機型存在燒屏問題,iOS 17.1 將修復(fù)
- 10 月 18 日消息,蘋果公司今天發(fā)布了 iOS 17.1 RC 版本更新,特別針對蘋果 iPhone 15、iPhone 15 Pro 系列機型,修復(fù)了“可能導(dǎo)致圖像殘留”的問題。蘋果自推出 iPhone 15 手機以來,陸續(xù)有用戶反饋稱新款機型出現(xiàn)嚴重?zé)羻栴}。有人猜測這可能是 OLED 顯示屏的硬件問題,現(xiàn)在蘋果通過軟件方式修復(fù)了燒屏問題。雖然大多數(shù)顯示問題的報告來自“iPhone 15”用戶,但也有一些使用 iPhone 13 Pro 和 iPhone 12 Pro 設(shè)備的用戶看到了類似的問題,
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兆易創(chuàng)新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布,正式推出基于RISC-V內(nèi)核的GD32VW553系列雙模無線微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無線連接,以先進的射頻集成、強化的安全機制、大容量存儲資源以及豐富的通用接口,結(jié)合成熟的工藝平臺及優(yōu)化的成本控制,為需要高效無線傳輸?shù)氖袌鰬?yīng)用持續(xù)提供解決方案。全新產(chǎn)品組合提供了8個型號、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項,現(xiàn)已開放樣片和開發(fā)板卡申請,并將于12
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大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案
- 致力于亞太地區(qū)市場的國際領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股近日宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1680、NCP13994、NCP4306和FAN65004芯片的PD3.1電源適配器方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案的展示板圖隨著USB PD3.1協(xié)議的頒布,快充技術(shù)也迎來了新的時代。相比于之前主流的PD3.0標準,PD3.1標準不僅新增28V、36V、48V三種拓展輸出電壓,還將最大輸出功率由100W提升至240W,這突破了現(xiàn)有的大功率使用場景,
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SiFive宣布推出針對生成式AI/ML應(yīng)用的差異化解決方案,引領(lǐng)RISC-V進入高性能創(chuàng)新時代
- RISC-V 運算的先驅(qū)和領(lǐng)導(dǎo)廠商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產(chǎn)品,旨在滿足高性能運算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準的低功耗、運算密度和矢量運算能力,三者結(jié)合起來將為日益增長的資料密集型運算提供必要的性能提升。這些新產(chǎn)品共同創(chuàng)建了標量和矢量運算的強大組合,可滿足現(xiàn)今數(shù)據(jù)流和運算密集型人工智能應(yīng)用于消費性、車用和基礎(chǔ)設(shè)施市場的需求。在圣克拉拉舉行的現(xiàn)場新聞和分析師活動上,SiFive 同時也宣布
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中國移動發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 通信模組 ML305M
- IT之家 10 月 12 日消息,近日,業(yè)界首款基于 RISC-V 架構(gòu)的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國移動全球合作伙伴大會上首次亮相。據(jù)介紹,ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開發(fā)。CM8610 是國內(nèi)首顆基于 64 位 RISC-V 內(nèi)核的 LTE Cat.1bis 通信芯片,采用 22nm 工藝,具有高集成度以及外圍極簡 BOM 設(shè)計,edrx 待機電流達到 0.74mA,最小接收靈敏度達到-101dBm,并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示,M
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RISC-V技術(shù)成為中美技術(shù)戰(zhàn)爭新戰(zhàn)場
- 在中美科技戰(zhàn)的新戰(zhàn)線上,拜登政府正面臨一些立法者的施壓,要求限制美國公司開發(fā)在中國廣泛使用的免費芯片技術(shù),此舉可能會顛覆全球科技行業(yè)的跨境合作方式。?爭論的焦點是RISC-V,發(fā)音為“風(fēng)險五”,這是一種開源技術(shù),與英國半導(dǎo)體和軟件設(shè)計公司Arm Holdings(O9Ti.F)的昂貴專有技術(shù)競爭。RISC-V可以用作從智能手機芯片到人工智能高級處理器的任何產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。?一些議員——包括兩位共和黨眾議院委員會主席、共和黨參議員馬爾科·盧比奧和民主黨參議員馬克·華納——以國家安全為由,
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中美科技戰(zhàn)新戰(zhàn)場!RISC-V開源芯片技術(shù)成焦點
- 中美科技競爭又有新動向。美國政府正面臨國會壓力,要求限制美國企業(yè)投入RISC-V的開源芯片技術(shù)發(fā)展,目前RISC-V的開源性使得這項技術(shù)在中國大陸獲得廣泛的應(yīng)用以及發(fā)展,但如果禁止的話,可能對全球科技業(yè)的跨國合作造成沖擊。據(jù)《路透社》6日報導(dǎo), 這一次的爭議焦點主要集中在RISC-V上,這是一種開放原始碼架構(gòu),與英國的安謀國際科技公司(Arm Holdings)的競爭激烈。RISC-V可應(yīng)用于智能手機芯片到先進人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國會議員以國家安全為由,敦促拜登政府針對RISC-V問題采取行動,
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英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯:每瓦性能翻倍
- 9 月 20 日消息,在今天舉辦的英特爾 ON 技術(shù)創(chuàng)新峰會上,英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代(代號:Meteor Lake)的核顯升級。據(jù)介紹,英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級到 Xe LPG,相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外,新一代核顯有更高的頻率,同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對 DX12U 進行了優(yōu)化,支持倍幀功能,支持新特性“Out of Order Sampling”。此外,英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎,支持最
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這家RISC-V快充協(xié)議芯片原廠宣布開源!
- 隨著PD3.1協(xié)議的市場應(yīng)用越來越多,市場對PD3.1協(xié)議控制器也提出了更多的要求,如何更好地確保協(xié)議的穩(wěn)定性的同時增加更多系統(tǒng)級功能,這對傳統(tǒng)PD協(xié)議控制器提出了更大的挑戰(zhàn)。廣芯微電子宣布開源基于RISC-V內(nèi)核的PD控制器,以支持客戶更好地部署快充系統(tǒng)和差異化功能。芯片框圖UM3506 SoC 芯片創(chuàng)新性地集成了基于 RISC-V ISA 的 32 位微處理器內(nèi)核作為通用的集中式 TCPM 管理器。優(yōu)化后的 RISC-V 內(nèi)核配合片上 FLASH 閃存/SRAM 存儲器、增強的外設(shè)和廣泛的系統(tǒng)資源,在
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蘋果與Arm達成長期協(xié)議,加強合作的同時不忘布局RISC-V
- 9月6日,軟銀旗下芯片設(shè)計公司Arm提交給美國證券交易委員會(SEC)的首次公開募股(IPO)文件顯示,蘋果已與Arm就芯片技術(shù)授權(quán)達成了一項“延續(xù)至2040年以后”的新合作協(xié)議。目前,Arm拒絕就其提交文件以外的內(nèi)容發(fā)表評論,蘋果也沒有立即回復(fù)置評請求。Arm IPO吸引各路巨頭Arm在科技行業(yè)扮演著不可或缺的角色,它將其芯片設(shè)計授權(quán)給包括蘋果在內(nèi)的500多家公司,已經(jīng)占據(jù)了智能手機芯片領(lǐng)域95%以上的市場份額,包括平板電腦等,實際上已經(jīng)完全控制了整個移動芯片領(lǐng)域。從Apple Watch到iPhone
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Milk-V 推出 Meles SBC:配 2GHz 平頭哥 TH1520 四核 RISC-V 處理器
- IT之家 9 月 6 日消息,Milk-V 近日推出了名為 Meles 的單板計算機(SBC),其外觀接近于樹莓派 Model B。Meles 的大小和端口均和樹莓派 Model B 類似,只是并沒有使用基于 ARM 的處理器,而是使用基于 RISC-V 架構(gòu)的 2GHz 平頭哥曳影 T-Head TH1520 四核處理器。IT之家在此附上 Meles 單板計算機端口如下:1 個 HDMI 2.0 端口1 個千兆端口4 個 USB 3.0 主機端口1 個 USB 2.0 Type-C 端口1 個
- 關(guān)鍵字: RISC-V
RISC-V邁入高性能,量產(chǎn)落地是關(guān)鍵!
- 這是最好的一屆RISC-V中國峰會,雖已落幕一周,但它流傳的故事依舊激昂人心,它引發(fā)的話題仍未褪色,它帶來的啟發(fā)依舊值得我們細細品味。 后摩爾時代,芯片制造工藝遭遇瓶頸,在產(chǎn)業(yè)從技術(shù)到商業(yè)不斷循環(huán)的“Tick-Tock”式迭代規(guī)律下,RISC-V開源指令集橫空出世,開辟了芯片商業(yè)模式更迭的嶄新篇章。如今,萬物互聯(lián)已成必然,計算場景復(fù)雜多變,RISC-V設(shè)計的初衷便是覆蓋各種計算場景,這與時代需求完美契合。無論從商業(yè)還是技術(shù)角度, RISC-V進入高性能應(yīng)用場景已成必然。 在2
- 關(guān)鍵字: RISC-V 賽昉科技
xperia 1 v介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條xperia 1 v!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對xperia 1 v的理解,并與今后在此搜索xperia 1 v的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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