z-nand 文章進(jìn)入z-nand技術(shù)社區(qū)

引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲(chǔ)未來(lái)

近日，以“數(shù)智·未來(lái)”為主題的2019中國(guó)數(shù)據(jù)與存儲(chǔ)峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲(chǔ)領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平，推動(dòng)全球存儲(chǔ)與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲(chǔ)層級(jí)中的巨大鴻溝，還通過(guò)諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內(nèi)存與存儲(chǔ)的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲(chǔ)新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部
關(guān)鍵字： QLC NAND 內(nèi)存

SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據(jù)guru3D的報(bào)道，隨著NAND閃存技術(shù)的創(chuàng)新發(fā)展，固態(tài)硬盤TB內(nèi)存時(shí)代即將到來(lái)，SK海力士現(xiàn)已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
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中國(guó)首款！長(zhǎng)江存儲(chǔ)啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場(chǎng)應(yīng)用需求。
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NAND Flash 2020年新戰(zhàn)場(chǎng)暗潮洶涌　各家布局蓄勢(shì)待發(fā)

受到東芝工廠停產(chǎn)及日韓貿(mào)易戰(zhàn)導(dǎo)致存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)契機(jī)出現(xiàn)，NAND Flash價(jià)格調(diào)漲從7月開(kāi)始顯現(xiàn)，而國(guó)際大廠之間的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)更是暗潮洶涌。
關(guān)鍵字：三星電子東芝存儲(chǔ)器 NAND Flash 3D XPoint Z-NAND

日韓貿(mào)易戰(zhàn)與東芝跳電影響DRAM/NAND短期價(jià)格走勢(shì)，長(zhǎng)期須關(guān)注原廠庫(kù)存水位

Jul. 16, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出，繼6月中旬東芝斷電事件后，日本政府近日宣布從7月4日起，開(kāi)始管控向南韓出口3種生產(chǎn)半導(dǎo)體、智能手機(jī)與面板所需的關(guān)鍵材料，造成存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)下游模組廠出現(xiàn)提高報(bào)價(jià)狀況，然而，由于目前DRAM和NAND Flash庫(kù)存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出貨，僅是申請(qǐng)流程延長(zhǎng)，短期結(jié)構(gòu)性供需反轉(zhuǎn)的可能性低。日韓貿(mào)易戰(zhàn)的爆發(fā)使得業(yè)界盛傳存儲(chǔ)器價(jià)格將反轉(zhuǎn)，集邦咨詢分析指出，因DRAM價(jià)格已歷經(jīng)連續(xù)三個(gè)季度快速下滑，下游
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SK海力士宣布：全球首款128層4D NAND下半年開(kāi)賣

SK海力士于26日宣布，將量產(chǎn)全球首款128層的1Tb（Terabit） TLC 4D NAND閃存，并計(jì)劃下半年開(kāi)始銷售。
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停電余威沖擊NAND Flash出貨　價(jià)格維持小跌

日本三重縣四日市日前發(fā)生停電意外，市場(chǎng)傳出存儲(chǔ)器大廠東芝存儲(chǔ)器(TMC)當(dāng)?shù)貭I(yíng)運(yùn)的5座 NAND Flash工廠的營(yíng)運(yùn)中斷，盡管東芝存儲(chǔ)器尚未對(duì)外說(shuō)明影響，但據(jù)傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無(wú)法按照原定時(shí)程出貨。
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NAND閃存連跌一年半減產(chǎn)也阻止不了跌價(jià)

NAND閃存價(jià)格已經(jīng)連跌了6個(gè)季度，這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重，紛紛削減NAND產(chǎn)能。在群聯(lián)臺(tái)北電腦展上，群聯(lián)公司董事長(zhǎng)潘建成也預(yù)測(cè)NAND閃存價(jià)格已經(jīng)跌破了成本，未來(lái)跌幅會(huì)收窄，需求則會(huì)升溫。
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)64層NAND量產(chǎn)在即　與紫光集團(tuán)角力戰(zhàn)漸起

市場(chǎng)傳出，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有意改變策略，越過(guò)大股東紫光集團(tuán)的銷售管道，采取自產(chǎn)自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰(zhàn)儼然成形。
關(guān)鍵字：紫光集團(tuán) 長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

為物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)發(fā)展做出突出貢獻(xiàn)，Entegris用了哪些方法？

當(dāng)前，我們正在經(jīng)歷第四次工業(yè)革命的歷史進(jìn)程，在這里催生了很多新技術(shù)和新市場(chǎng)，比如物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、新能源、3D打印、納米技術(shù)等等。這么多新的技術(shù)和產(chǎn)品相互激勵(lì)、互相融合，共同推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)不斷發(fā)展，從而改變?nèi)祟惖纳罘绞健?/li>
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NAND價(jià)格走跌，2019年P(guān)CIe SSD市場(chǎng)發(fā)展?jié)摿薮?/a>

　　Admin 固態(tài)硬盤今天由于NVMe的價(jià)格溢價(jià)下降，預(yù)計(jì)今年P(guān)CIe連接驅(qū)動(dòng)器的銷售量將與SATA固態(tài)硬盤達(dá)到同等水平?！　?jù)報(bào)道，固態(tài)硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價(jià)正在推動(dòng)市場(chǎng)兩端的銷售。制造商正在為相對(duì)有利可圖的企業(yè)和數(shù)據(jù)中心用例定制新的解決方案，而客戶端SSD的低成本正在推動(dòng)OEM廠商的采用率，以包含在PC中?！　「鶕?jù)該報(bào)告，最引人注目的是，512 GB固態(tài)硬盤的單價(jià)與2018年同期的256 GB固態(tài)硬盤相匹配，預(yù)計(jì)到2019年剩余時(shí)間內(nèi)固態(tài)硬盤的價(jià)格將從512 GB降

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集邦咨詢：受惠需求回溫及產(chǎn)能調(diào)節(jié)，第二季NAND Flash合約價(jià)跌幅略有收斂

　　Mar. 20, 2019 ---- 集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查指出，受到服務(wù)器需求疲弱、智能手機(jī)換機(jī)周期延長(zhǎng)、蘋果新機(jī)銷售不如預(yù)期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉(zhuǎn)為供過(guò)于求以來(lái)跌幅最劇的一季?！　≌雇诙荆珼RAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經(jīng)第一季的需求低谷之后，智能手機(jī)、筆記本電腦及服務(wù)器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND Flash供應(yīng)商
關(guān)鍵字： NAND UFS SSD

東芝和西數(shù)正研發(fā)128層3D NAND閃存：最早2020年上市

　　根據(jù)外媒的報(bào)道，東芝及其戰(zhàn)略盟友西部數(shù)據(jù)準(zhǔn)備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5。　　　　據(jù)介紹，芯片將實(shí)現(xiàn)TLC，而不是更新的QLC。這可能是因?yàn)镹AND閃存制造商仍然對(duì)QLC芯片的低產(chǎn)量有擔(dān)心。該芯片的數(shù)據(jù)密度為512 Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實(shí)現(xiàn)商業(yè)化生產(chǎn)。　　據(jù)報(bào)道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB / s。據(jù)報(bào)道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
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存儲(chǔ)市場(chǎng)寡頭競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)能否突出重圍

事實(shí)上中國(guó)巨額的投入也間接促進(jìn)了韓、美兩國(guó)大廠資本開(kāi)支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開(kāi)支就達(dá)到200億美金，因此，我國(guó)廠商的數(shù)字分?jǐn)偟矫磕辏€難以和龍頭廠商相比。雖然在量產(chǎn)初期，如此巨大的資本開(kāi)支也會(huì)給中國(guó)企業(yè)帶來(lái)不小的折舊壓力，下行周期中技術(shù)、管理略遜的中國(guó)企業(yè)可能必須經(jīng)歷幾年內(nèi)虧損，但若想實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器的國(guó)產(chǎn)替代，這種投入十分必要。
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中國(guó)將增加在美半導(dǎo)體采購(gòu)量？韓媒：不太容易

　　據(jù)businesskorea報(bào)道，中國(guó)計(jì)劃在未來(lái)六年內(nèi)將在美國(guó)的半導(dǎo)體采購(gòu)增加到2000億美元(約合225.9萬(wàn)億韓元)，大約是目前水平的五倍。　　然而，許多專家表示，美國(guó)急于遏制中國(guó)的半導(dǎo)體野心，不太可能接受中國(guó)的提議，因?yàn)樗鼘⒃黾訉?duì)中國(guó)的半導(dǎo)體依賴。　　韓國(guó)企業(yè)對(duì)該計(jì)劃持謹(jǐn)慎態(tài)度，主要有兩個(gè)原因?！　∈紫龋袊?guó)沒(méi)有提及將購(gòu)買哪一種半導(dǎo)體。一家韓國(guó)半導(dǎo)體公司的高級(jí)官員表示:“中國(guó)沒(méi)有說(shuō)明將進(jìn)口何種半導(dǎo)體芯片，無(wú)論是內(nèi)存、中央處理器(CPU)還是系統(tǒng)半導(dǎo)體芯片。在這種情況下，很難預(yù)測(cè)對(duì)韓國(guó)企業(yè)的影響。
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