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          Nand Flash編程應(yīng)用難點淺析

          •   Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點,適用于大量數(shù)據(jù)的存儲,如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?! ?989年,東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu),強調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展,NAND應(yīng)用越來越廣泛,但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點:分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
          • 關(guān)鍵字: Nand Flash  東芝  

          3D NAND微縮極限近了嗎?

          • 隨著平面的2D NAND Flash制程逐漸面臨微縮極限,3D NAND的平均生命周期也可能比大多數(shù)人所想象的更短許多...
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  摩爾定律  

          群聯(lián)潘健成:未來五年 NAND供不應(yīng)求

          •   內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事,由日商東芝內(nèi)存株式會社(TMC)當選。在市場供需方面,群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示,未來五年,儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。   臺灣東芝先進半導(dǎo)體因集團組織調(diào)整,今年8月1日辭去群聯(lián)董事,群聯(lián)昨日召開股東臨時會補選,并順利由東芝內(nèi)存株式會社當選。   潘健成表示,東芝內(nèi)存主導(dǎo)負責東芝的全球半導(dǎo)體事業(yè),東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資,也透過合作互補,強化技術(shù),雙方關(guān)系將比過去15年更加緊密,在產(chǎn)業(yè)的競
          • 關(guān)鍵字: NAND  

          2018年NAND Flash供給年增42.9%,全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡

          •   根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務(wù)器需求的帶動,加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進進度不如預(yù)期的影響下,供不應(yīng)求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個季度;展望2018年,NAND Flash供給將增加42.9%,需求端將成長37.7%,明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。   DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,從NAND Flash的供給面來看,因為NAND制程從2D轉(zhuǎn)進3D不如預(yù)期,導(dǎo)致2017年非三星陣營的新
          • 關(guān)鍵字: NAND  西數(shù)  

          NAND閃存市場持續(xù)高漲,NAND閃存市場持續(xù)高漲,2020年將超DRAM

          • 9月6日,深圳市閃存市場資訊有限公司(ChinaFlashMarket)在深圳主辦了“中國存儲·全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017),本文根據(jù)部分會議內(nèi)容整理了國內(nèi)外NAND閃存及部分非易失存儲器市場信息。
          • 關(guān)鍵字: 閃存  NAND  3D Xpoint  201710  

          2017年全球存儲市場規(guī)模將達950億美元

          •   日前,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、??荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓,一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機會。峰會吸引全球近700家企業(yè)參會,其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會,涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等,參會觀眾超
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

          東芝宣布出售予美日聯(lián)盟,加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星

          •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導(dǎo)體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟,,由于此出售案較預(yù)期延宕,對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響,預(yù)期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言,在資金到位的情況下,將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。   DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)(INCJ)財團、
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  東芝  

          東芝半導(dǎo)體如此多嬌,引無數(shù)科技大佬競折腰

          • 到底為什么東芝半導(dǎo)體可以引起如此大的波瀾?產(chǎn)品和技術(shù)有什么過人之處?鴻海為首的“不差錢”軍團又希望從東芝半導(dǎo)體得到什么?小編給你一一說明。
          • 關(guān)鍵字: 東芝  NAND  

          CFM:原廠加碼投資擴產(chǎn)64層3D NAND,然部分市場仍缺貨到年底

          •   9月6日,由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦以“中國存儲?全球格局”為主題的中國閃存市場峰會(China Flash Market Summit 2017)在深圳華僑城洲際酒店圓滿落幕。本次峰會除了齊聚國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)鏈重要企業(yè)嘉賓演講,其中包括三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、江波龍、慧榮、硅格、大基金、漢德資本等業(yè)界知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)?! ‘斕煳蚪?00家企業(yè)參會,其中包括西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、金士頓、華為、聯(lián)想、中興、百度、阿里巴巴等企業(yè)參會,涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

          莫大康:中國半導(dǎo)體業(yè)要奮力突圍

          •   與美國在半導(dǎo)體先進工藝制程等方面的差距,不僅表現(xiàn)在人材,技術(shù)等方面,可能更大的差距在于綜合的國力,以及產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善,所以此次奮力突圍一定要取得更大的進步。   01引言   近期華爾街日報撰文“中國的下一個目標奪下美國的芯片霸主地位”。明眼人看得很清楚,它是站在美方的立場,歪曲事實。   此次中國半導(dǎo)體業(yè)的“奮力突圍”,有兩層意義:   一個是差距大,希望迅速的成長,至多是擴大芯片的自給率。   另一個是西方千方百計的阻礙中國半導(dǎo)體業(yè)的進步
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  

          狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能 三星3D NAND、DRAM、7納米制程大擴產(chǎn)

          •   2017年三星電子(SamsungElectronics)同步啟動DRAM、3DNAND及晶圓代工擴產(chǎn)計劃,預(yù)計資本支出上看150億~220億美元,遠超過臺積電100億美元和英特爾(Intel)120億美元規(guī)模,三星為確保新產(chǎn)能如期開出,近期傳出已與多家硅晶圓供應(yīng)商洽談簽長約,狂掃全球硅晶圓產(chǎn)能,并傳出環(huán)球晶已通知客戶自2018年起硅晶圓供應(yīng)量將減少30%,主要便是為支持三星產(chǎn)能需求做準備。   三星為因應(yīng)DRAM和3DNAND市場強勁需求,加上在邏輯事業(yè)全力投入7納米制程,企圖與臺積電一較長短,搶
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          三星電子波瀾再起 NAND芯片市場風云變幻

          •   8月28日,三星電子宣布,未來將投資70億美元用于擴大西安三星電子NAND芯片的生產(chǎn)。不過,三星稱,“此筆投資意在滿足NAND芯片市場的需求。”可是,三星的投資真的只為滿足NAND芯片市場需求嗎?   波瀾的背后   據(jù)2017年第二季度財報顯示,三星電子營收額高達554.1億美元,同比增長19%,并且,三星電子以銷售額14億美元的成績拿下45.9%的NAND Flash市占有率。   有業(yè)者分析稱,三星第二季度如此強勁的主要原因是蘋果等其他電子類產(chǎn)品生產(chǎn)需求旺盛,同時其
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

          第二季NAND Flash品牌廠營收季成長8%,第三季價格續(xù)揚

          •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)指出,今年第二季整體NAND Flash市況持續(xù)受到供貨吃緊的影響,即便處于傳統(tǒng)NAND Flash的淡季,各產(chǎn)品線合約價平均仍有3-10%的季增水平。由于第三季智能手機與平板計算機內(nèi)的eMMC/UFS以及SSD合約價仍持續(xù)小漲,2017年將是NAND Flash廠商營收表現(xiàn)成果豐碩的一年。   DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出,由于NAND在平面制程(2D/Planar NAND)面臨微縮限制,NAND Flash原廠紛紛轉(zhuǎn)進垂直堆棧
          • 關(guān)鍵字: NAND  東芝  

          DIGITIMES:聲光暫掩的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展近況

          •   開年以來大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展似乎進入沉潛期。首先是年初長江存儲CEO楊士寧鄭重發(fā)布新聞稿澄清,表示從未發(fā)表過32層3DNANDFlash今年量產(chǎn)的消息。接下來是中芯國際董事長周子學表達的大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展“三步走”(注1),指出要花至少15年的時間,大陸才能發(fā)展出比較有市場競爭力的企業(yè)主體。再來是最近紫光集團表示,由于長江存儲的存儲器芯片工廠專案投資規(guī)模過大,目前尚處于建設(shè)初期,短期無法產(chǎn)生銷售收入,時機不成熟,停止收購長江存儲的股份。雖然似乎大陸整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)持續(xù)其發(fā)展動能,但
          • 關(guān)鍵字: 摩爾定律  NAND  

          三大內(nèi)存創(chuàng)最缺且漲勢最久紀錄,手機品牌包產(chǎn)能

          •   DRAM、NAND Flash及NOR Flash三大內(nèi)存會一直缺貨到明年,許多客戶搶貨,已包下南亞科、旺宏和華邦電全部產(chǎn)能。 業(yè)界指出,未簽訂長約的客戶,內(nèi)存供貨將短缺,沖擊產(chǎn)品上市或出貨時程。   集邦、IC Insight等研究機構(gòu)最近紛紛出具報告,強調(diào)DRAM、NAND Flash到年底都處于缺貨狀態(tài);NOR Flash更因美系二大供貨商淡出效應(yīng)在下半年顯現(xiàn),缺貨問題更嚴重。   業(yè)界表示,三大內(nèi)存應(yīng)用范圍廣,尤其NOR Flash幾乎是各電子產(chǎn)品儲存程序代碼關(guān)鍵組件,雖然單價遠比DRAM
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  
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