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美光3D NAND技術(shù)發(fā)威 搶占邊緣存儲商機
- 美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術(shù)逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領(lǐng)域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。 美光的64層3D NAND技術(shù)今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務(wù)器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領(lǐng)域，也積極推動工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。
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IC Insights：全球半導體2017年上調(diào)市場預測提升至22％
- 據(jù)IC Insights預測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。 此外，IC Insights同時調(diào)稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測?？傮w而言，2017年半導體產(chǎn)業(yè)整體預計增長達20%，比年中預期調(diào)高5個百分點。 2017年，IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%，預計今年將推動DRAM
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND
東芝受惡意攻擊導致NAND停產(chǎn)：預估少生產(chǎn)40萬TB容量
- 援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關(guān)閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時間，這將導致近階段公司NAND閃存的供應(yīng)比較緊張。 DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時間才能恢復正常供應(yīng)，預估將減少10萬個wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預估假設(shè)這段停產(chǎn)時間正常生產(chǎn)，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。 近年來由于智能手機和服務(wù)器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
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基于magnum 2 測試系統(tǒng)的NAND FLASH VDNF64G08RS50MS4V25-III的測試技術(shù)研究
- 摘要：NAND FLASH在電子行業(yè)已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，然而在生產(chǎn)過程中出現(xiàn)壞塊和在使用過程中會出現(xiàn)壞塊增長的情況，針對這種情況，本文介紹了一種基于magnum II 測試機的速測試的方法，實驗結(jié)果表明，此方法能夠有效提高FLASH的全空間測試效率。另外，針對NAND FLASH的關(guān)鍵時序參數(shù)，如tREA(讀信號低電平到數(shù)據(jù)輸出時間)和tBERS(塊擦除時間)等，使用測試系統(tǒng)為器件施加適當?shù)目刂萍?，完成NAND FLASH的時序配合，從而達到器件性
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Nand Flash編程應(yīng)用難點淺析
- Nand Flash存儲器是flash存儲器的一種，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。NAND存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等?！ ?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。經(jīng)過十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點：分區(qū)、ECC糾錯、壞塊管理等。只有真正了
- 關(guān)鍵字： Nand Flash 東芝
群聯(lián)潘健成：未來五年 NAND供不應(yīng)求
- 內(nèi)存股王群聯(lián)電子昨(27)日舉行股東臨時會補選一席董事，由日商東芝內(nèi)存株式會社(TMC)當選。在市場供需方面，群聯(lián)董事長潘健成樂觀表示，未來五年，儲存型閃存(NANDFlash)將持續(xù)供不應(yīng)求。 臺灣東芝先進半導體因集團組織調(diào)整，今年8月1日辭去群聯(lián)董事，群聯(lián)昨日召開股東臨時會補選，并順利由東芝內(nèi)存株式會社當選。 潘健成表示，東芝內(nèi)存主導負責東芝的全球半導體事業(yè)，東芝已將群聯(lián)股權(quán)移轉(zhuǎn)給東芝內(nèi)存;而群聯(lián)與東芝間不僅相互投資，也透過合作互補，強化技術(shù)，雙方關(guān)系將比過去15年更加緊密，在產(chǎn)業(yè)的競
- 關(guān)鍵字： NAND
2018年NAND Flash供給年增42.9%，全年度供需由緊俏轉(zhuǎn)為平衡
- 根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，2017年NAND Flash產(chǎn)業(yè)需求受到智能手機搭載容量與服務(wù)器需求的帶動，加上供給面受到制程轉(zhuǎn)進進度不如預期的影響下，供不應(yīng)求的狀況自2016年第三季起已持續(xù)六個季度;展望2018年，NAND Flash供給將增加42.9%，需求端將成長37.7%，明年整體供需狀況將轉(zhuǎn)為供需平衡。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，從NAND Flash的供給面來看，因為NAND制程從2D轉(zhuǎn)進3D不如預期，導致2017年非三星陣營的新
- 關(guān)鍵字： NAND 西數(shù)
2017年全球存儲市場規(guī)模將達950億美元
- 日前，由深圳市閃存市場資訊有限公司主辦的、以“中國存儲 全球格局”為主題的中國閃存市場峰會在深圳圓滿落幕。本次峰會齊聚三星、英特爾、美光、Marvell、谷歌、英偉達、Marvell、江波龍、慧榮、硅格、漢德資本、?？荡鎯Φ绕髽I(yè)重量級嘉賓，一起探討存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展和企業(yè)市場發(fā)展機會。峰會吸引全球近700家企業(yè)參會，其中包括東芝、西部數(shù)據(jù)、SK海力士、長江存儲、華為、聯(lián)想、中興、網(wǎng)易、騰訊、阿里巴巴等企業(yè)參會，涵蓋領(lǐng)域包括存儲企業(yè)、手機、電腦、汽車、工業(yè)、大數(shù)據(jù)應(yīng)用等，參會觀眾超
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存
東芝宣布出售予美日聯(lián)盟，加速提升3D NAND產(chǎn)能追趕三星
- 集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出，東芝公司已正式在9月20日決定將旗下半導體事業(yè)以2兆日圓出售給由美國私募股權(quán)業(yè)者貝恩資本(Bain Capital)代表的美日聯(lián)盟，，由于此出售案較預期延宕，對于NAND Flash市場的產(chǎn)能影響，預期要到明年上半年才會趨于明顯;中長期而言，在資金到位的情況下，將有助東芝在3D-NAND產(chǎn)能與技術(shù)上力拼三星。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋指出，此次出售案的收購對象日美韓聯(lián)盟成員中包括日本政府支持的產(chǎn)業(yè)革新機構(gòu)(INCJ)財團、
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 東芝
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