z-nand 文章進(jìn)入z-nand技術(shù)社區(qū)

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT

2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
關(guān)鍵字： SSD 3D NAND

如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

　　被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤，這種錯(cuò)誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器

2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

　　由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　　　2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
關(guān)鍵字： 3D NAND

大陸發(fā)展存儲(chǔ)器大計(jì)三箭齊發(fā)　明年推首顆自制3D NAND芯片

　　大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲(chǔ)器大計(jì)正如火如荼地展開(kāi)，初步分工將由長(zhǎng)江存儲(chǔ)負(fù)責(zé)3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)將興建首座12吋廠，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個(gè)世代，然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。　　盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲(chǔ)器世代，但在存儲(chǔ)器技術(shù)改朝換代之際，大
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

NAND FLASH扇區(qū)管理

首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個(gè)扇區(qū)(sector)組成1個(gè)頁(yè)(page)，64個(gè)頁(yè)(page)組成1個(gè)塊(block)，4096個(gè)塊(block)構(gòu)成整個(gè)Flash存儲(chǔ)器;由于每個(gè)扇區(qū)
關(guān)鍵字： Flash NAND 扇區(qū)管理

西數(shù)超車(chē)三星電子或點(diǎn)燃NAND價(jià)格戰(zhàn)

　　全球硬盤(pán)機(jī)大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車(chē)三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過(guò)外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會(huì)擴(kuò)產(chǎn)淹沒(méi)市場(chǎng)，重創(chuàng)NAND價(jià)格。　　巴倫(Barronˋs)11日?qǐng)?bào)道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計(jì)劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導(dǎo)致三星擴(kuò)產(chǎn)還擊。報(bào)告稱，當(dāng)前三星在業(yè)界握有主導(dǎo)權(quán)，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購(gòu)了
關(guān)鍵字：西數(shù) NAND

第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯價(jià)格續(xù)揚(yáng)

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤(pán)的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢(shì)確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤(rùn)將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來(lái)自于智能手機(jī)需求的成長(zhǎng)。雖然iPhone 7的銷售
關(guān)鍵字： NAND 服務(wù)器

TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價(jià)格續(xù)揚(yáng)

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤(pán)的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢(shì)確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤(rùn)將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆掳肽闚AND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來(lái)自于智能手機(jī)需求的成長(zhǎng)。雖然iPh
關(guān)鍵字： TrendForce NAND

未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入五大轉(zhuǎn)折新興驅(qū)動(dòng)力具獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

未來(lái)半導(dǎo)體進(jìn)入五大轉(zhuǎn)折，包括邏輯芯片制程技術(shù)推進(jìn)到10/7納米;存儲(chǔ)器推進(jìn)到3D NAND Flash;因應(yīng)芯片愈來(lái)愈小，制圖成型依賴愈來(lái)愈高;移動(dòng)設(shè)備導(dǎo)入OLED比重會(huì)愈來(lái)愈高以及大陸積極扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
關(guān)鍵字： NAND AR

打破半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)三強(qiáng)鼎立局面的機(jī)會(huì)何在？

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù)，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

中國(guó)手機(jī)出貨強(qiáng)勁推動(dòng)?xùn)|芝營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期上調(diào)一倍

　　據(jù)外媒報(bào)道，東芝今天將截至9月份的上半財(cái)年?duì)I業(yè)利潤(rùn)預(yù)期上調(diào)一倍以上至700億日元(約合6.95億美元)，此前預(yù)期為300億日元。　　受此消息推動(dòng)，東芝股價(jià)在周三快速上漲，創(chuàng)下自去年10月以來(lái)的最高點(diǎn)。這是東芝第二次上調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期，該公司在今年5月份最初預(yù)計(jì)上半財(cái)年將營(yíng)業(yè)虧損200億日元。　　智能機(jī)存儲(chǔ)芯片的強(qiáng)勁需求推動(dòng)?xùn)|芝上調(diào)營(yíng)業(yè)利潤(rùn)預(yù)期。另外，比東芝保守預(yù)期更為疲軟的日元匯率也發(fā)揮了推動(dòng)作用。　　芯片需求的增長(zhǎng)源于中國(guó)智能機(jī)出貨量的強(qiáng)勁表現(xiàn)。盡管全球智能機(jī)市場(chǎng)表現(xiàn)乏力，但是中國(guó)智能機(jī)出
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NAND閃存需求提升東芝調(diào)高上半年獲利預(yù)測(cè)

　　先前，因?yàn)槭艿竭B續(xù)7年作假帳風(fēng)波，因而導(dǎo)致公司商譽(yù)嚴(yán)重受損，并且沖擊投資人信心的日本電子大廠東芝(Toshiba)，28日宣布上調(diào)2016年上半年度的獲利預(yù)測(cè)，預(yù)估將上調(diào)至850億日元的水準(zhǔn)，較原本預(yù)估的700億日元調(diào)高21.43%，每股EPS也將達(dá)到20.08日元，等于宣告正式擺脫公司作假帳的陰霾。　　東芝于28日發(fā)出的消息表示，由于受惠于智能手機(jī)對(duì)于NAND閃存的提升，尤其在中國(guó)市場(chǎng)，在手機(jī)制造商不斷提升產(chǎn)品的儲(chǔ)存能力，所以需要性能越來(lái)越好的NAND閃存產(chǎn)品，導(dǎo)致相關(guān)價(jià)格的不斷上揚(yáng)，如此以進(jìn)一
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三大變化為日本半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)增添活力

　　日媒稱，日本半導(dǎo)體制造裝置協(xié)會(huì)日前宣布8月份半導(dǎo)體制造設(shè)備的訂貨金額(3個(gè)月移動(dòng)平均值，速報(bào)值)為1348億日元(約合人民幣90億元)，同比增長(zhǎng)30.8%。這是自2014年3月(34.0%)以來(lái)時(shí)隔29個(gè)月增長(zhǎng)率首次超過(guò)30%。中國(guó)半導(dǎo)體制造商興起、半導(dǎo)體的微細(xì)化、立體化這三大變化為整個(gè)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了活力。另一方面，半導(dǎo)體設(shè)備制造商之間的優(yōu)勝劣汰也有可能變得更加明顯。　　據(jù)外媒報(bào)道，“采購(gòu)設(shè)備的時(shí)間提前了”，東電電子社長(zhǎng)河合利樹(shù)無(wú)法掩飾他對(duì)半導(dǎo)體制造商們強(qiáng)烈設(shè)備投資欲的驚訝。
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日媒：中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備市場(chǎng)大幅增長(zhǎng)

　　據(jù)韓聯(lián)社9月19日?qǐng)?bào)道，韓國(guó)市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IHS和半導(dǎo)體業(yè)界19日消息，三星電子在今年第二季度整合元件制造商排名中位列第二，銷售額占有率為11.3%，與英特爾的差距縮小到3.4個(gè)百分點(diǎn)。　　今年第二季度三星電子銷售額達(dá)94.52億美元，排名第一的美國(guó)英特爾半導(dǎo)體銷售額達(dá)122.72億美元，市場(chǎng)份額為14.7%。　　三星與英特爾的市場(chǎng)份額差距在2012年達(dá)5.3個(gè)百分點(diǎn)，2013年為4.2個(gè)百分點(diǎn)，2014年3.4個(gè)百分點(diǎn)，2015年為3.2個(gè)百分點(diǎn)。雖然，今年第一季度差距拉大到4個(gè)百分點(diǎn)以上，但
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 NAND