z-nand 文章 進(jìn)入z-nand技術(shù)社區(qū)
武漢新芯估2018年量產(chǎn)48層NAND
- 紅色供應(yīng)鏈來勢洶洶，外界原本認(rèn)為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預(yù)測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產(chǎn)3D NAND。 巴 倫(Barronˋs)6日報導(dǎo)，美系外資晶片設(shè)備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術(shù)授權(quán)。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權(quán)協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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DRAM和NAND技術(shù)助三星占據(jù)市場主導(dǎo)地位
- 全球大部分半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術(shù)優(yōu)勢可以擴(kuò)大部分關(guān)鍵產(chǎn)品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現(xiàn)優(yōu)于多數(shù)同業(yè)。 全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機(jī)增長放緩，讓半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。 高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達(dá)22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%，這是其三年來的最差業(yè)績。 將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預(yù)計三星芯片獲利將會下降，一些分析師預(yù)測1-
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TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片，相較于2015年增長近7倍。 TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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傳三星邀協(xié)力廠研發(fā)EMI遮蔽制程 意在瞄準(zhǔn)蘋果NAND訂單
- 傳聞三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體暨裝置解決方案事業(yè)部(DS)正與多家業(yè)者共同進(jìn)行EMI遮蔽制程研發(fā)，有意重啟對蘋果(Apple)供應(yīng)NAND Flash存儲器，過去4年來三星電子與蘋果的NAND Flash交易中斷。 據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，日前業(yè)界表示，三星電子正與PROTEC、諾信(Nordon Asymtek)、韓松化學(xué)(Hansol Chemical)、Ntrium等多家點膠機(jī)(Dispense)業(yè)者，共同研發(fā)以噴涂(Spray)方式進(jìn)行EMI遮蔽制程。
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三星NAND Flash 傳四年后重返iPhone
- 韓廠積極打進(jìn)蘋果iPhone供應(yīng)鏈。韓國媒體報導(dǎo)，三星電子計畫提供NAND型快閃記憶體給iPhone，這將是睽違4年后三星電子NAND型快閃記憶體重返iPhone供應(yīng)鏈。 韓國網(wǎng)站媒體ET News報導(dǎo)，蘋果從2012年iPhone 5推出開始，就沒有采用三星電子(Samsung Electronics)的NAND型快閃記憶體，在于三星電子并未接受蘋果要求、在NAND型快閃記憶體封裝技術(shù)上采用電磁干擾屏蔽(EMI shielding;Electro Magnetic Interference s
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武漢新芯發(fā)表240億美元投資計劃 著手3D NAND研發(fā)
- 大陸國營企業(yè)武漢新芯(XMC)最近發(fā)表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。依韓國業(yè)界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術(shù)差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。 據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，大武漢新芯最近發(fā)表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產(chǎn)NAND Flash為主的半導(dǎo)體工廠。地方政府已從投資機(jī)構(gòu)湖北省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金方面取得鉅額資金。 韓聯(lián)社引述EE Times
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DRAM及NAND市場價格下跌 美光營收下滑
- 不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域，韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子，但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了，技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商，偏偏現(xiàn)在又遇到了內(nèi)存、閃存降價，跌跌不休的價格導(dǎo)致美光營收下滑了30%，當(dāng)季凈虧損9700萬美元，對未來季度的預(yù)測同樣悲觀。 美光公司周三發(fā)布了截至今年3月3日的2016財年Q2財報，當(dāng)季營收29.3億美元，上季度為33.5億美元，去年同期為41.66億美元，同比下滑了30%。 美光當(dāng)季毛利只有5.79億美元，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于上季度的8
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中國NAND快閃存儲器產(chǎn)業(yè)邁入新紀(jì)元
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange表示，中國記憶體大廠武漢新芯新建記憶體晶圓廠將從本月底開始進(jìn)行建廠工程，目標(biāo)最快在2018年年初開始生記憶體晶片，初期規(guī)劃將以目前最先進(jìn)的3D-NAND Flash為主要策略產(chǎn)品，代表了近兩年來中國極力發(fā)展記憶體產(chǎn)業(yè)的態(tài)勢下，將開始進(jìn)入新的里程碑。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得指出，現(xiàn)階段武漢新芯主要以生產(chǎn)NOR Flash為主，月產(chǎn)能約為2萬片左右，在NAND Flash產(chǎn)業(yè)也展現(xiàn)強大的企圖心。不同于國際NAND Fla
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投資10nm/3D NAND 晶圓廠設(shè)備支出今年增3.7%
- 國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SEMI)最新報告指出，3D NAND、DRAM與10奈米制程等技術(shù)投資，將驅(qū)動2016年晶圓廠設(shè)備支出攀升，預(yù)估2016年包括新設(shè)備、二手或?qū)?In-house)設(shè)備在內(nèi)的前段晶圓廠設(shè)備支出將增長3.7%，達(dá)372億美元;而2017年則可望再成長13%，達(dá)421億美元。 SEMI指出，2015年晶圓廠設(shè)備支出為359億美元，較前一年微幅減少0.4%;預(yù)測2016年上半年晶圓廠設(shè)備支出可望緩慢提升，下半年則將開始加速，為2017年儲備動能。2017年相關(guān)支出可望回復(fù)兩位數(shù)成
- 關(guān)鍵字： 晶圓 3D NAND
東芝將向NAND投資8600億日元，預(yù)計2016財年銷售不到5萬億日元
- “失去的信任不是一朝一夕可以挽回的。雖然無法預(yù)測需要多長時間，但希望能獲得新生，成為一家能永久發(fā)展下去的企業(yè)”。東芝于2016年3月18日在東京召開了2016年度業(yè)務(wù)計劃說明會，代表執(zhí)行董事社長室町正志在會上這樣說道。 東芝的一系列結(jié)構(gòu)改革都已有了目標(biāo)。在說明會前一天，東芝宣布將把醫(yī)療器械子公司——東芝醫(yī)療系統(tǒng)出售給佳能，將把白色家電業(yè)務(wù)出售給美的集團(tuán)(參閱本站報道1)。關(guān)于個人電腦業(yè)務(wù)與其他公司進(jìn)行業(yè)務(wù)合并一事，室町表示“希望在201
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
2016年迎3D NAND技術(shù)拐點，誰輸在起跑線？
- 為了進(jìn)一步提高NAND Flash生產(chǎn)效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產(chǎn)，但隨著逼近2D NAND工藝可量產(chǎn)的極限，加快向3D技術(shù)導(dǎo)入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術(shù)拐點。 1、積極導(dǎo)入48層3D技術(shù)量產(chǎn)，提高成本競爭力 與2D工藝相比，3D技術(shù)的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術(shù)若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達(dá)128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
- 關(guān)鍵字： 3D NAND 2D
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