z-nand 文章進(jìn)入z-nand技術(shù)社區(qū)

3D NAND/TLC Flash添力　SSD加速觸及價(jià)格甜蜜點(diǎn)

　　固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點(diǎn)--價(jià)格將有顯著突破。日、韓快閃記憶體(Flash)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲(chǔ)存(TLC)記憶體解決方案，并將于2015～2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)價(jià)格媲美傳統(tǒng)硬碟的產(chǎn)品，驅(qū)動(dòng)SSD在筆電、工控、企業(yè)端及消費(fèi)性儲(chǔ)存市場(chǎng)出貨量翻揚(yáng)。　　慧榮科技產(chǎn)品企畫處副總經(jīng)理段喜亭表示，今年SSD總出貨量將較去年成長(zhǎng)一倍以上，主要因素在于SSD開發(fā)商擴(kuò)大導(dǎo)入低成本的3D NAND和TLC Flash，讓終
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NAND flash市占，三星美光增、東芝獨(dú)垂淚！

　　2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐，IHS報(bào)告稱，前四大業(yè)者中，三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長(zhǎng)，唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因?yàn)楫a(chǎn)品出包遭蘋果召回，市占和業(yè)績(jī)雙雙下滑。　　BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，IHS 13日?qǐng)?bào)告稱，三星電子穩(wěn)居NAND flash老大，去年銷售年增4%至90.84億美元，市占率成長(zhǎng)0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%，銷售也大減將近3億美元。
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Stifel：3D NAND技術(shù)看起來很美好但成本會(huì)持續(xù)多年居高不下

　　近年來，固態(tài)硬盤似乎已經(jīng)成為了計(jì)算機(jī)的標(biāo)配。而隨著SSD的普及，人們對(duì)于速度和容量的渴求也在迅速膨脹。為了能夠在單顆閃存芯片上塞下更大的存儲(chǔ)空間，制造商們正在想著3D NAND技術(shù)前進(jìn)。與傳統(tǒng)的平面式(2D)設(shè)計(jì)相比，垂直(3D)堆疊能夠帶來更顯著的容量提升。但是最近，一家名為Stifel的市場(chǎng)研究公司卻發(fā)現(xiàn)：為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，制造商們正在砸下大筆投資，而這種成本壓力卻無法在多年的生產(chǎn)和銷售后減退多少。　　 ? 　　影響利潤(rùn)的一個(gè)主要原因是，3D NAND芯片的生產(chǎn)，比以往要復(fù)雜得
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閃存容量突破性進(jìn)展！

　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。　　這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。　　　　當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限
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閃存容量突破性進(jìn)展！

　　英特爾公司和鎂光科技股份有限公司于近日宣布推出可以造就全球最高密度閃存的3D NAND技術(shù)。　　這一全新3D NAND技術(shù)由英特爾與鎂光聯(lián)合開發(fā)而成，垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元，具備卓越的精度?；谠摷夹g(shù)，可打造出存儲(chǔ)容量比同類NAND技術(shù)高達(dá)三倍的存儲(chǔ)設(shè)備。該技術(shù)可支持在更小的空間內(nèi)容納更高存儲(chǔ)容量，進(jìn)而帶來很大的成本節(jié)約、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面滿足眾多消費(fèi)類移動(dòng)設(shè)備和要求最嚴(yán)苛的企業(yè)部署的需求。　　 ? 　　當(dāng)前，平面結(jié)構(gòu)的 NAND 閃存已接近其實(shí)際擴(kuò)展極限
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東芝擴(kuò)大符合e ?MMC5.1版標(biāo)準(zhǔn)的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品陣容

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布推出符合JEDEC(電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì)) e?MMC? 版 5.1[1]標(biāo)準(zhǔn)、支持“command queuing”和“secure write protection”的嵌入式NAND閃存產(chǎn)品。新產(chǎn)品集成了采用15nm工藝技術(shù)制造的NAND芯片，廣泛適用于各類數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品，包括智能手機(jī)、平板電腦和可穿戴設(shè)備。16GB和64GB產(chǎn)品樣品即日起出貨，32G
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東芝：智社會(huì) 人為本，我做到了

　　雖然東芝的宣傳口號(hào)是“智社會(huì) 人為本，以科技應(yīng)人之求”，但2015慕尼黑上海電子展上，仔細(xì)觀看東芝強(qiáng)大產(chǎn)品陣容之后，我倒更愿意用“半導(dǎo)體技術(shù)溫暖你的心”來形容它。因?yàn)闁|芝的很多設(shè)計(jì)確實(shí)很貼心，真的可以讓生活更加方便快捷。　　東芝電子亞洲有限公司副董事長(zhǎng)野村尚司說，中國市場(chǎng)大體上有兩種產(chǎn)品需求，一是以量?jī)r(jià)為中心的產(chǎn)品，另一種是以提高附加值為中心的產(chǎn)品。東芝有非常寬廣的產(chǎn)品線來滿足以上兩種市場(chǎng)的需求。　　東芝展位　　存儲(chǔ)產(chǎn)品解決方案　　東
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閃迪發(fā)布48層3D NAND閃存有望在2015年下半年投入試生產(chǎn)

　　全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司近日宣布成功開發(fā)出48層第二代3D NAND閃存(亦稱為BiCS2)。計(jì)劃于2015年下半年在位于日本四日市的合資工廠內(nèi)投入試生產(chǎn)，于2016年進(jìn)行規(guī)模化商業(yè)生產(chǎn)。　　閃迪存儲(chǔ)技術(shù)部執(zhí)行副總裁Siva Sivaram博士表示：“我們非常高興能夠發(fā)布第二代3D NAND，它是一種48層架構(gòu)，與我們的合作伙伴Toshiba共同研發(fā)。我們以第一代3D NAND技術(shù)為基礎(chǔ)，完成了商業(yè)化的第二代3D NAND的開發(fā);我們相信，它將為我們的客戶提供讓人贊
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TLC產(chǎn)品今年將接近NAND整體產(chǎn)出之五成

　　TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 表示，隨著 TLC 產(chǎn)品的主流應(yīng)用開始從記憶卡與隨身碟產(chǎn)品往 eMMC / eMCP 與 SSD 等OEM儲(chǔ)存裝置移動(dòng)，加上 NAND Flash 業(yè)者陸續(xù)推出完整的TLC儲(chǔ)存解決方案，預(yù)估今年TLC產(chǎn)出比重將持續(xù)攀升，將在第四季接近整體 NAND Flash 產(chǎn)出的一半。　　DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆捎诔杀据^具優(yōu)勢(shì)，過去TLC廣泛應(yīng)用在記憶卡與隨身碟等外插式產(chǎn)品中。三星(Samsung)從2013年起積極將
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性價(jià)比優(yōu)勢(shì)更明顯　TLC NAND應(yīng)用版圖急擴(kuò)張

　　三星(Samsung)、美光(Micron)等NAND Flash記憶體制造商制程技術(shù)突破，加上控制晶片與錯(cuò)誤修正韌體效能大幅精進(jìn)，使得三層式儲(chǔ)存(TLC)NAND記憶體性價(jià)比較過去大幅提高，因而激勵(lì)消費(fèi)性固態(tài)硬碟制造商擴(kuò)大采用比例。　　三層式儲(chǔ)存(TLC) NAND快閃記憶體市場(chǎng)滲透率將大幅增加。NAND快閃記憶體成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如固態(tài)硬碟(SSD)與嵌入式多媒體卡(eMMC)等需求則持續(xù)成長(zhǎng)。　　在單層式儲(chǔ)存(SLC)、多層式儲(chǔ)存(MLC)及TLC三種形式的NAND
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EMC：新技術(shù)沖擊導(dǎo)致傳統(tǒng)業(yè)務(wù)節(jié)節(jié)敗退

　　由EMC公司發(fā)布的一份圖表顯示，傳統(tǒng)SAN驅(qū)動(dòng)器陣列銷售衰退的趨勢(shì)已然出現(xiàn)，與此同時(shí)超融合型、軟件定義以及全閃存陣列存儲(chǔ)業(yè)務(wù)則及時(shí)趕上，填補(bǔ)了這部分市場(chǎng)空間。　　William Blair公司分析師Jason Ader在本月十號(hào)出席了EMC戰(zhàn)略論壇大會(huì)，并以郵件的形式向客戶發(fā)布了此次會(huì)議的內(nèi)容總結(jié)。　　EMC公司的管理層引用了一部分IDC研究公司的調(diào)查數(shù)據(jù)，其中顯示從2014年到2018年外部存儲(chǔ)系統(tǒng)市場(chǎng)的復(fù)合年均營(yíng)收(目前為260億美元)將實(shí)現(xiàn)3%增幅。在此期間，“傳統(tǒng)獨(dú)立混合系
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大陸手機(jī)市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升

　　中國大陸智能型手機(jī)的高成長(zhǎng)，使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競(jìng)爭(zhēng)還是手機(jī)整機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)上都倍感壓力。
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3D NAND堆疊競(jìng)爭(zhēng)鳴槍　SK海力士、東芝苦追三星

　　為提升NAND Flash性能而將Cell垂直堆疊的3D堆疊技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)逐漸升溫。目前三星電子(Samsung Electronics)已具備生產(chǎn)系統(tǒng)獨(dú)大市場(chǎng)，SK海力士(SK Hynix)、東芝(Toshiba)、美光(Micron)等半導(dǎo)體大廠也正加速展開相關(guān)技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)作業(yè)。　　據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，NAND Flash的2D平面微細(xì)制程，因Cell間易發(fā)生訊號(hào)干擾現(xiàn)象等問題，已進(jìn)入瓶頸。主要半導(dǎo)體大廠轉(zhuǎn)而致力確保將Cell垂直堆疊的3D技術(shù)。半導(dǎo)體業(yè)界的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)從制程微細(xì)化，轉(zhuǎn)變?yōu)榇怪倍?/li>
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美光開放日：引領(lǐng)互聯(lián)世界存儲(chǔ)潮流

　　近日，美光科技在上海舉行以“存儲(chǔ)及其發(fā)展如何幫助實(shí)現(xiàn)未來互聯(lián)世界”為主題的“美光開放日”活動(dòng)。美光科技高層與業(yè)內(nèi)專家、學(xué)者和媒體共同分享公司在該領(lǐng)域的見解和創(chuàng)新解決方案，探討和展望未來行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。　　美光科技作為僅有的兩家能夠提供提供全存儲(chǔ)類型解決方案的廠商，占據(jù)整個(gè)存儲(chǔ)器22%以上的市場(chǎng)份額，穩(wěn)居第二位。如今美光科技面向網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、機(jī)器對(duì)機(jī)器、移動(dòng)設(shè)備、云和大數(shù)據(jù)五大應(yīng)用領(lǐng)域，提供全球最廣泛的存儲(chǔ)產(chǎn)品組合，包括：DRAM芯片和存儲(chǔ)條、固態(tài)硬盤、NA
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美光與希捷宣布成立策略聯(lián)盟

　　希捷科技(Seagate Technology)與美光科技(Micron Technology, Inc.)宣布簽署策略性協(xié)議，設(shè)立一結(jié)合兩家公司創(chuàng)新與專業(yè)技術(shù)之架構(gòu)。在此協(xié)議的架構(gòu)基礎(chǔ)上，雙方客戶能夠同時(shí)受益于領(lǐng)先業(yè)界的儲(chǔ)存解決方案，進(jìn)而更快速且有效率地實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新。　　盡管在合作初期，美光與希捷將著重于下個(gè)世代的 SAS 固態(tài)硬碟(SSD)與策略性 NAND 型快閃記憶體的供貨，但是雙方皆預(yù)期這項(xiàng)長(zhǎng)達(dá)數(shù)年的結(jié)盟協(xié)議在未來將有機(jī)會(huì)發(fā)展更多合作，甚至推出采用美光 NAND 型快閃記憶體的企業(yè)級(jí)儲(chǔ)存解決
關(guān)鍵字：美光希捷 NAND