z-nand 文章 進(jìn)入z-nand技術(shù)社區(qū)
DRAM樂觀 NAND有隱憂
- 記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。 DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。 臺塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。 NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預(yù)料;去年下半
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東芝擴(kuò)充海外內(nèi)存芯片廠，會是中國嗎
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，東芝首席執(zhí)行官田中久雄(Hisao Tanaka)周五表示，公司將在始于明年4月份的下一財(cái)年決定在何處新建一座內(nèi)存芯片工廠，并且在選擇建廠地址時(shí)會考慮海外地區(qū)。 東芝在不到4個(gè)月前在四日市新開了一座NAND閃存芯片加工廠，田中久雄在接受采訪時(shí)稱，需求超過了產(chǎn)能，公司必須擴(kuò)大產(chǎn)能。NAND閃存芯片主要被用于智能手機(jī)和其他電子產(chǎn)品。 田中久雄稱：“三星已經(jīng)在中國西安市建廠，海力士也在中國建了一座生產(chǎn)廠。”當(dāng)被問及中國是否會是海外建廠的最佳地區(qū)時(shí)，他補(bǔ)充說
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慧榮科技推出業(yè)界首款車載IVI級單封裝SSD解決方案
- 在設(shè)計(jì)及推廣用于固態(tài)存儲設(shè)備的NAND閃存控制器方面處于全球領(lǐng)導(dǎo)地位的慧榮科技(Silicon Motion Technology Corporation)近日宣布推出其專為車載信息娛樂(IVI)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的汽車級PATA及SATA FerriSSD解決方案。 FerriSSD解決方案旨在代替以往被廣泛應(yīng)用在車載IVI系統(tǒng)等嵌入式應(yīng)用中的SATA及PATA硬盤驅(qū)動(dòng)器。由于集成了NAND閃存及慧榮科技業(yè)界領(lǐng)先的控制器并采用小尺寸BGA封裝，F(xiàn)erriSSD解決方案與傳統(tǒng)的硬盤驅(qū)動(dòng)器相比不僅運(yùn)行速度更
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NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放
- 由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲技術(shù)。 日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設(shè)備大會)上就公布了其最新的可變電阻式存儲
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研調(diào)：12月上旬NAND Flash合約價(jià)跌幅2%內(nèi)
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究顯示，美系廠商在第三季季底財(cái)報(bào)結(jié)算壓力過后，不再采取積極價(jià)格戰(zhàn)，使得原廠間戰(zhàn)火稍緩。另一方面，因模組廠預(yù)期此波價(jià)格跌勢將持續(xù)，再加上手中庫存仍充足下，大多傾向12月月底再進(jìn)行采購談判，以爭取更優(yōu)惠的價(jià)格。因此，12月上旬因交易氣氛冷清，NAND Flash合約價(jià)呈持平或僅微幅下跌0-2%。 DRAMeXchange資深研究經(jīng)理陳玠瑋表示，在歐美圣誕節(jié)備貨動(dòng)能正式結(jié)束后，受到季節(jié)性因素影響，預(yù)期明(2015)年第一季全球智慧型手機(jī)
- 關(guān)鍵字： NAND Flash eMMC
三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠
- 韓國時(shí)報(bào)(Korea Times)15 日報(bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。 全球記憶體晶片市場目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計(jì)來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩(wěn)定與市場供需平衡。 據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
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東芝NAND Flash漲勢迅猛 TransferJet高效近場傳輸技術(shù)加速市場化
- 2014年NAND Flash市場在便攜式電子新品持續(xù)、快速更新的帶動(dòng)下表現(xiàn)出價(jià)格穩(wěn)定、需求強(qiáng)勁的發(fā)展態(tài)勢。尤其在下半年蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，三星、東芝這些存儲行業(yè)大牌的表現(xiàn)尤為出色。據(jù)市場調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce最新報(bào)告，2014年第三季度東芝NAND Flash產(chǎn)品營收環(huán)比大增23.7%，穩(wěn)居世界前二位，其中15nm新制程的產(chǎn)出比重持續(xù)增加。 在今年的高交會上，記者也對東芝新制程的存儲
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無NAND之地：閃存無法占領(lǐng)數(shù)據(jù)中心？
- NAND會不會徹底占據(jù)數(shù)據(jù)中心？答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預(yù)測顯示，磁盤的發(fā)展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應(yīng)商利用更多配套解決方案保持現(xiàn)有使用壽命——具體而言，在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
- 關(guān)鍵字： NAND SSD 數(shù)據(jù)中心 閃存
NAND吃緊！花旗：三星、hTC將學(xué)蘋果加大智能機(jī)容量
- Investor.com 3日報(bào)導(dǎo)，花旗發(fā)表研究報(bào)告指出，三星電子、宏達(dá)電 (2498)等智慧型手機(jī)制造商有望跟隨蘋果 ( Apple Inc. )的腳步增加手機(jī)的儲存容量，這會提高市場對SanDisk產(chǎn)品的需求。 費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)成分股SanDisk 3日聞?dòng)嵣蠞q2.02%、收103.36美元;該檔個(gè)股在11月總計(jì)勁揚(yáng)了9.9%、年初迄今大漲46.53%。SanDisk 11月26日收盤(104.26美元)甫創(chuàng)7月16日以來收盤新高。 根據(jù)報(bào)告，花旗分析師Joe Yoo將SanDisk的投
- 關(guān)鍵字： 花旗 三星 NAND Flash
分析師：2015年NAND Flash市況“上冷下熱”
- TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 調(diào)查顯示， NAND Flash 成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如 SSD 與eMMC等需求則持續(xù)成長，估計(jì) 2015年 NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長12%，至276億美元。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三季和第四季，相較之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是
- 關(guān)鍵字： TrendForce NAND Flash SSD
SSD價(jià)格快速下滑 普及化只剩時(shí)間問題
- 固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格正迅速下滑，3D NAND和TLC等SSD新技術(shù)逐漸擴(kuò)散，帶動(dòng)儲存容量擴(kuò)大，并加速SSD大眾化時(shí)代的來臨。 據(jù)ET News報(bào)導(dǎo)，SSD將形成半導(dǎo)體新市場，價(jià)格跌幅相當(dāng)明顯。外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料指出，256GB容量的SSD平均價(jià)格在2014年第3季時(shí)為124美元，與2013年第3季的171美元相比降低27.5%。若與2012年相比則減少45.1%。 南韓業(yè)界認(rèn)為，目前價(jià)格69美元、容量128GB的SSD，在2015年價(jià)格將降低至50美元以下。 南韓Woor
- 關(guān)鍵字： 3D NAND SSD TLC
2015年NAND Flash產(chǎn)業(yè)持續(xù)向上，產(chǎn)值成長超過10%
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示， NAND Flash成本隨著制程演進(jìn)而持續(xù)下滑，各種終端應(yīng)用如SSD與eMMC等需求則持續(xù)成長，2015年NAND Flash產(chǎn)值將較2014年成長12%，達(dá)276億美元。DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于終端產(chǎn)品出貨與新機(jī)上市多半集中在第三和第四季，相比之下上半年缺少新產(chǎn)品刺激市場，受淡季效應(yīng)影響情況將較為顯著，因此DRAMeXchange預(yù)估2015年NAND Flash市況將呈現(xiàn)上冷下熱的格局，也就是上半年
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD
三星半導(dǎo)體份額增長 與Intel差距史上最小
- 韓聯(lián)社首爾11月30日電 市場調(diào)查機(jī)構(gòu)HIS本月30日發(fā)布的一份調(diào)查報(bào)告顯示，預(yù)計(jì)今年三星電子半導(dǎo)體銷售額同比劇增15.6%，將達(dá)382.73億美元，其全球市場份額同比上升0.6個(gè)百分點(diǎn)，將達(dá)10.9%，穩(wěn)居全球第二。 同期，美國半導(dǎo)體巨頭因特爾的半導(dǎo)體銷售額同比增長6.3%，將達(dá)499.64億美元，雖然占據(jù)世界第一的位置，但其全球市場份額逐年下降，預(yù)計(jì)今年的市場份額同比下滑0.4個(gè)百分點(diǎn)，為14.2%。由此，三星電子和因特爾的市場份額相差僅為3.3個(gè)百分點(diǎn)，縮小至歷史最低值。 三星電子和
- 關(guān)鍵字： 三星 Intel NAND
SSD 2年內(nèi)價(jià)格砍半 每GB首度跌破0.5美元
- 次世代資料儲存裝置固態(tài)硬碟(SSD)市場價(jià)格，2年內(nèi)下滑一半。由于NAND Flash產(chǎn)能增加、SK海力士(SK Hynix)也可望加入3D架構(gòu)NAND Flash量產(chǎn)行列，皆讓SSD加速邁向大眾化階段。而最近隨著價(jià)格下滑，SSD應(yīng)用范圍逐漸擴(kuò)大，有加速普及的傾向。 據(jù)韓聯(lián)社引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS資料報(bào)導(dǎo)，256GB的SSD 2014年第3季平均售價(jià)(ASP)為124美元，比2013年同期171美元下跌27.5%，與2012年同期價(jià)格226美元相比，跌幅更達(dá)45.1%，意即最近2年內(nèi)SSD價(jià)格幾乎砍
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