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存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次
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- 按IC Insight報(bào)告,在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下,導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠,它們的排名至少前進(jìn)了一位,其中 Elpida前進(jìn)了6位,列于第10。 同時(shí)列于第2的三星電子,估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙,IC銷售額增長(zhǎng)達(dá)50%以上。 三星在本月初時(shí),它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元, 也即表示
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND 半導(dǎo)體制造
金士頓創(chuàng)辦人稱:看好DRAM下半年銷售
- 6月3日消息,據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道,全球DRAM模組龍頭美國(guó)金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺(tái)表示,DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門檻不低,再加上智能手機(jī)等新的應(yīng)用產(chǎn)品,帶動(dòng)DRAM需求,他認(rèn)為下半年的DRAM市況應(yīng)該會(huì)好。 孫大衛(wèi)表示,DRAM制造廠越來(lái)越少,各大廠多進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換的階段,總產(chǎn)出量恐比實(shí)際預(yù)期要低。而在智能手機(jī)、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下,下半年的DRAM供需不僅趨于平衡,甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。 南韓三星電子大舉提高資本支出的計(jì)劃,讓臺(tái)系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認(rèn)為,目前全球的
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND 智能手機(jī)
NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)
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- NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型,其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成,每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè),塊是擦
- 關(guān)鍵字: 閃存 設(shè)計(jì) 映射 適應(yīng) NAND
存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變
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- 按IC Insight報(bào)告,在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下,導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。 IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示,Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠,它們的排名至少前進(jìn)了一位,其中 Elpida前進(jìn)了6位,列于第10。 同時(shí)列于第2的三星電子,估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙,IC銷售額增長(zhǎng)達(dá)50%以上。 三星在本月初時(shí),它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元, 也即表示
- 關(guān)鍵字: Hynix 存儲(chǔ)器 DRAM NAND
南北韓戰(zhàn)事升溫 三星命懸一線
- 才剛對(duì)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投下史上最高資本支出震撼彈的三星電子(Samsung Electronics),再度因南北韓政治對(duì)立情勢(shì)升溫,戰(zhàn)事恐一觸即發(fā),而成為科技產(chǎn)業(yè)關(guān)心的焦點(diǎn)。業(yè)界聚焦重點(diǎn)放在DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè),三星在此兩大產(chǎn)業(yè)中,DRAM市占率分別超過(guò)30%,NAND Flash市占率逼近40%,未來(lái)南北韓關(guān)系若持續(xù)緊繃,甚至有戰(zhàn)事發(fā)生,將使得全球個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品供應(yīng)鏈造成巨大變化。 全球DRAM和NAND Flash生產(chǎn)大廠:三星 根據(jù)DIGITIMES
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM NAND
三星的行動(dòng)讓業(yè)界生畏
- 三星在DRAM及NAND中稱霸,年產(chǎn)值達(dá)200億美元。然而近期的幾件事讓人聯(lián)想泛泛,三星擬再奪全球代工的寶座。 南韓半導(dǎo)體大廠三星電子(Samsung Electronics)日前提高資本支出,其中在系統(tǒng)LSI(System LSI)部門,資本支出亦增加逾50%,達(dá)2兆韓元(約18億美元),以滿足手機(jī)等系統(tǒng)單芯片(SoC)需求,顯示三星有意加強(qiáng)晶圓代工業(yè)務(wù)。業(yè)界對(duì)此解讀,三星主要系著眼于最大客戶高通(Qualcomm)手機(jī)芯片訂單,未來(lái)是否會(huì)擴(kuò)大分食高通在臺(tái)積電訂單,高通訂單版圖移轉(zhuǎn)變化有待觀察
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM NAND
迎戰(zhàn)三星 臺(tái)塑集團(tuán)準(zhǔn)備好了
- 南韓三星電子大張旗鼓擴(kuò)充DRAM產(chǎn)能,引發(fā)各方關(guān)注。臺(tái)塑集團(tuán)總裁王文淵日前于內(nèi)部會(huì)議表示,原先預(yù)期三星明年下半年啟動(dòng)擴(kuò)產(chǎn),其進(jìn)度比預(yù)期快得多,惟集團(tuán)與美光合作的30納米制程已完成開發(fā),今年將切入50、42納米制程,技術(shù)超越臺(tái)系廠商;對(duì)照先前65納米,生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)將提升約40%至50%,臺(tái)塑集團(tuán)已積極審慎應(yīng)戰(zhàn)。 三星大張旗鼓擴(kuò)充DRAM、NAND產(chǎn)能,由于比原先預(yù)期將在明年下半年啟動(dòng)快的多,也使臺(tái)灣廠商將被迫提前面臨新產(chǎn)業(yè)淘汰賽,但也突顯三星對(duì)DRAM后續(xù)產(chǎn)業(yè)前景,有偏多的立場(chǎng)。 南亞科董事
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM NAND 50納米
NAND閃存銷售Q1微增 三星東芝主宰市場(chǎng)
- 據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli發(fā)表的按美元統(tǒng)計(jì)的第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷售收入數(shù)字顯示,三星和東芝主宰了NAND閃存市場(chǎng),僅給其它所有的公司留下了較少的市場(chǎng)份額。三星今年第一季度的市場(chǎng)份額是38.5%,緊隨其后的東芝的市場(chǎng)份額是33.8%。其它每一個(gè)廠商爭(zhēng)奪的市場(chǎng)份額只有27.7%。 按美元統(tǒng)計(jì),今年第一季度全球NAND閃存市場(chǎng)的銷售收入是43.6億美元,比 2009年第四季度的43.3億美元增長(zhǎng)了0.6%。因此,你可以計(jì)算出供應(yīng)商的實(shí)際銷售收入。iSuppli稱,這是一個(gè)好消息,因?yàn)闅v史
- 關(guān)鍵字: Numonyx NAND 閃存
Intel鎂光宣布開始量產(chǎn)銷售25nm制程N(yùn)AND閃存芯片
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- 繼今年二月份宣布成功試制出25nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品之后,Intel與鎂光的合資公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布開始正式對(duì)外銷售量產(chǎn)的25nm制程N(yùn)AND閃存芯片,這種新制程的芯片產(chǎn)品容量將比34nm制程產(chǎn)品提升一倍。 這次采用25nm制程技術(shù)制作的NAND閃存芯片產(chǎn)品主要是8GB容量的芯片產(chǎn)品,這種8GB芯片的面積僅為167平方毫米,其容量可容納2000首歌曲,7000張照片或8小時(shí)時(shí)長(zhǎng)的視頻片段。 目前還不清楚首款配置這
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今年 Q1 NAND閃存市調(diào)報(bào)告出爐 三星東芝占據(jù)大半江山
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- 據(jù)iSuppli市調(diào)公司2010年第一季度的NAND閃存市場(chǎng)調(diào)查報(bào)告顯示,三星與東芝公司兩家占據(jù)了NAND閃存市場(chǎng)的絕大部分份額,其中三星的營(yíng)收 份額最高,達(dá)到了38.5%,東芝則位居第二為33.8%,兩者合在一起占據(jù)了72.3%的NAND閃存市場(chǎng)營(yíng)收份額。按美元計(jì)算,今年第一季度NAND 閃存的市場(chǎng)總值達(dá)到43.6億美元,比去年第四季度NAND閃存市場(chǎng)總值43.3億美元提升了0.6%。由于季節(jié)性因素的影響,每年的第一季度閃存市場(chǎng)一 般都會(huì)比上一年最后一季度有所萎縮,而今年則反其道而行,iSuppli
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三星第一季度NAND Flash市占逼近40%大關(guān)
- 2010年第1季全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)市占率中,仍以三星電子(Samsung Electronics)位居龍頭,根據(jù)集邦統(tǒng)計(jì),三星的市占率高達(dá)39.2%,東芝(Toshiba)以34.4%市占率緊追在后,第1季位元成長(zhǎng)率較上季增加15%,但平均單價(jià)(ASP)小跌5%,全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值規(guī)模約43.63億美元,較上季39.1億元成長(zhǎng)11.6%。 NAND Flash產(chǎn)業(yè)2009年率先落底反彈,但2010年表現(xiàn)空間不多,在DRAM、NOR Flash、SDRAM和Mobile
- 關(guān)鍵字: Samsung NAND DRAM
美光12億美元并恒憶 坐擁DRAM、NAND、NOR三大技術(shù)
- 美光科技(Micron Technology Inc.)7日宣布完成收購(gòu)NOR Flash大廠恒憶(Numonyx B.V.)的所有程序。依據(jù)協(xié)議,美光已發(fā)行大約1.38億股普通股(大約相當(dāng)于12億美元)給恒憶股東(英特爾、意法半導(dǎo)體、私募股權(quán)基金Francisco Partners)。 完成收購(gòu)恒憶后美光成為同時(shí)擁有DRAM、NAND以及NOR技術(shù)的記憶體晶片大廠。恒憶去年第4季營(yíng)收約5.50億美元,自由現(xiàn)金流量達(dá)4,200萬(wàn)美元。交易完成后美光/恒憶將與意法共享位于義大利Agrate的&ld
- 關(guān)鍵字: 美光 DRAM NAND NOR
海力士:一季度DRAM芯片平均售價(jià)季漲3%
- 以收入計(jì)全球第二大電腦記憶芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(Hynix Semiconductor Inc.)22日公布,一季度公司動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)平均售價(jià)季比上升3%,09年四季度漲幅為26%。 然而,海力士半導(dǎo)體公司在一份聲明中稱,一季度NAND快閃記憶芯片售價(jià)季比下降8%,09年四季度降幅為5%。 該公司補(bǔ)充道,一季度DRAM芯片發(fā)貨量季比上升6%,NAND芯片發(fā)貨量季比持平。 海力士半導(dǎo)體公布,該公司一季度營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為28%,09年四季度該公司營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為25%。
- 關(guān)鍵字: 海力士 NAND DRAM
z-nand介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條z-nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)z-nand的理解,并與今后在此搜索z-nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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