據國外媒體報道，美國知識產權公司BTG International Inc.(以下簡稱“BTG”)今天向美國國際貿易委員會提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項專利，要求禁止進口侵權芯片及相關產品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。
BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲單元”(MLC)技術的閃存芯片的編程和讀取方法有關。MLC技術能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲密度。
申訴材料指出，包括手機、攝像機、筆記本和
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三星 NAND 閃存芯片 MLC
海力士(Hynix)NAND Flash產業(yè)之路命運多舛，之前48納米制程量產不順，加上減產之故，幾乎是半退出NAND Flash產業(yè)，直到近期新制程41納米制程量產順利，才開始活躍起來，日前更打入蘋果(Apple)iPhone 3G S供應鏈，獲得認證通過，可以一起和東芝(Toshiba)、美光(Micron)等NAND Flash大廠一起「吃蘋果」!
海力士2008年下半開始，NAND Flash出貨量變得相當少，一方面是48納米制程量產不順，另一方面是NAND Flash價格崩盤，導致虧損
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Hynix NAND 48納米 41納米 34納米 存儲器
7月下旬NAND Flash合約價在一片淡季聲中，仍是穩(wěn)住陣腳，除了32Gb和64Gb容量的芯片，小幅下跌1~3%外，其它容量呈現持平。模塊廠表示，三星電子(Samsung Electronics)釋出數量不多，因此即使市場的買氣平平，NAND Flash價格下跌壓力有限，而英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營則是維持低價搶單的策略;市調機構英鼎(inSpectrum)預估，全球第3季的NAND Flash產出仍會較第2季成長25%，估計約16.26億顆(以8Gb容量計算)。
根據英鼎
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三星 NAND 記憶卡
臺塑集團布局DRAM產業(yè)更趨積極，除集團挹注資金、爭取國發(fā)基金投資，近期傳出華亞科有意讓英特爾(Intel)投資入股，打算藉由辦理海外存托憑證(GDR)或私募時進行，目前整起投資案正由外資機構評估中。存儲器業(yè)者透露，華亞科擬引進英特爾投資，主要關鍵系說服英特爾藉由這次支持DRAM產業(yè)動作，阻止三星電子(Samsung Electronics)在全球存儲器市場坐大，甚至威脅英特爾在半導體產業(yè)地位。
存儲器業(yè)者透露，華亞科擬以GDR或私募方式引進英特爾資金，除爭取資金挹注，另一個重要原因，就是希望藉
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TMC DRAM NAND
蘋果高管近日在財報分析師電話會議上表示，該公司已與東芝達成閃存芯片長期供貨協(xié)議，并向后者預付5億美元貨款。
這一交易對于東芝而言可謂“及時雨”。東芝是全球第二大NAND閃存芯片廠商，面臨閃存芯片價格滑坡和來自三星電子的激烈競爭等問題。
消息人士表示，5億美元相當于蘋果一個季度NAND閃存芯片需求量的價值。
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蘋果 閃存芯片 NAND
英特爾公司已經開始采用更為先進的34納米生產流程制造其領先的NAND閃存固態(tài)硬盤(SSD)。SSD是電腦硬盤的替代品。憑借更小的芯片尺寸和先進的工程設計，34 納米產品將使SSD的價格(與一年前推出產品時的價格相比)降低60%，為PC和筆記本電腦制造商及消費者帶來實惠。
多層單元(MLC)英特爾® X25-M Mainstream SATA SSD適用于筆記本電腦和臺式機，有80GB和160GB兩個版本可供選擇。SSD是電腦中的數據存儲設備。由于SSD不包括任何移動部件，因此與傳統(tǒng)硬盤(
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英特爾 34納米 NAND 固態(tài)硬盤
隨著英特爾(Intel)和美光(Micron)所合資成立IM Flash搶頭香推出34納米制程NAND Flash產品，應戰(zhàn)三星電子(Samsung Electronics)42納米制程，不但制程技術領先，近期英特爾和美光在價格策略上，更是上演絕地大反攻計畫，以超低價策略搶食三星地盤。下游廠商透露，近期英特爾和美光32Gb芯片價格硬是比其它品牌便宜1美元，相較于三星更是便宜將近3美元，價差相當驚人，而此策略亦讓英特爾陣營近期NAND Flash產品詢問度大增，三星在現貨市場活絡度則降低。
英特爾
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Intel 34納米 NAND 42納米
電子行業(yè)報紙ETnews周五報導稱，預計韓國三星電子下半年在一個半導體生產設施上投資至少1萬億韓元(合7.9億美元)。
該報未指明消息來源稱，三星下半年在芯片業(yè)務方面的資本支出料為8,000億韓元左右。
三星半導體事業(yè)群總裁勸五鉉周四在一次業(yè)內活動上稱，三星預計下半年投資“略高于”上半年。
該公司多次拒絕透露今年的資本投資計劃規(guī)模，或是迄今的已投資額。
ETnews報稱，芯片業(yè)務下半年的投資將側重于引進更先進的生產技術，比如采用40納米制程生產DRAM和
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三星 DRAM 30納米 NAND
周一消息 研究機構iSuppli指出，NAND閃存價格大幅波動的現象，大幅削弱了之前對2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場普及的預期。
iSuppli專研行動和新興內存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價格上漲，對閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因為SSD的價格約有90%由NAND閃存決定。所以當NAND閃存價格上漲，SSD在個人和企業(yè)市場的銷量就會減緩。
多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價格大幅上漲12
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NAND 閃存 MLC
全球NAND閃存的尺寸縮小競賽再次打響。無論英特爾與美光的聯(lián)合體,IMFlash,三星及東芝都欲爭得NAND縮小的領導地位而互相較勁。但是實際上在目前存儲器下降周期時尺寸縮小競賽并無實際的意義。
按分析師報告,IMFlash正討論2x nm,而三星己悄悄地作出3xnm樣品及美光計劃利用每單元3位技術于今年第四季度開始量產。
在DRAM領域,三星一直是技術領導者,目前已作出46nm DRAM樣品。
究竟誰是NAND尺寸縮小的領導者,據今年早些時候報道,東芝與新帝合資公司己走在前列,尺寸
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三星 DRAM NAND 存儲器
市調機構InSpectrum認為,盡管降低報價但是仍很難促進存儲器的銷售,本周6月22-26日期間,無論DRAM或者是NAND的零售價繼續(xù)因市場需求疲軟而下降。
原因是目前正是傳統(tǒng)的淡季,所以存儲器模塊的銷售仍很弱,但己看到DRAM的零售價開始利潤有所好轉。
由于供應商擔心是持久力問題,加上英特爾美光聯(lián)盟推出34納米芯片,貿易中間商為了促銷給出更大的折扣,導致同樣在零售市場也看到與DRAM相似情況，近期DRAM合同價格趨勢在零售價基礎上有點小的波動。雖然6月下半月無論DDR2及DDR3的價
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英特爾 DRAM NAND 34納米
Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術的NAND閃存芯片實現量產。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。
Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術做準備，計劃于第四季度推出樣品。
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Micron 納米 NAND USB閃盤
雖然固態(tài)硬盤迅速成為了各大媒體主要的宣傳內容,但是由于價格過高的原因今年固態(tài)硬盤的市場份額將不會太高.根據DRAMeXchange的最新調查報告表明,固態(tài)硬盤在標準筆記本電腦的市場份額2009年將維持在1%-1.5%,同時由于眾多廠商在主流存儲設備上依然選擇的是機械式硬盤,因此在低端PC上的市場份額將不到10%,這里應該主要指的是上網本產品.
較高的價格明顯妨礙了固態(tài)硬盤向更深市場的侵入,根據市場調研公司的分析,考慮到16Gb和32Gb內存芯片的價格走勢,SSD產品的市場接受度將會下降.
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固態(tài)硬盤 NAND 內存芯片
近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤的價格將大大降低，容量也將達到320GB左右。
固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
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英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
雖然蘋果iPhone有著驚人的利潤已經是婦孺皆知的事情，但新款iPhone 3GS的成本究竟是多少還是引起了不少人的好奇。日前，以經常拆卸廣受歡迎的消費電子產品而聞名的iSuppli，通過初步拆解和分析首次向大家披露了iPhone3GS的關鍵部件的供應商及評估產品成本。據悉，第三代蘋果手機iPhone3GS的成本為178.96美元，比iPhone 3G增加了4.63美元。但仍低于第一代iPhone220美元的成本估價。
通常而言，最新一代產品的成本要低于上一代，尤其對于iPh
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蘋果 NAND GPS 處理芯片
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