z7-f 文章 進(jìn)入z7-f技術(shù)社區(qū)
基于FPGA的高精度頻率電壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計實現(xiàn)
- 摘要 設(shè)計了一種線性F/V轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。傳感器輸出的脈沖頻率信號經(jīng)信號調(diào)理電路調(diào)理后輸入FPGA，F(xiàn)PGA測量脈沖信號的頻率，根據(jù)系統(tǒng)精度要求，需設(shè)計Q格式定點運算，測得的頻率經(jīng)FPGA定點運算后得到與頻率大小成線性關(guān)系
- 關(guān)鍵字： F／V轉(zhuǎn)換 精度 FPGA Q8定點運算 DAC7551
利用F-RAM打造汽車安全氣囊應(yīng)用
- 鐵電RAM(F-RAM)存儲器被用在一系列廣泛的應(yīng)用中，其中包括工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動化、任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用和汽車系統(tǒng)等。未來幾年，汽車的安全系統(tǒng)將會變得更加復(fù)雜。推動該趨勢的一個主要動力是預(yù)期的監(jiān)管措施，它們將對汽車安全氣囊和穩(wěn)定控制系統(tǒng)的配售率和成熟度產(chǎn)生影響。本文探討在這些系統(tǒng)中使用F-RAM非易失性存儲技術(shù)的主要技術(shù)優(yōu)勢。 “安全氣囊系統(tǒng)”正在發(fā)生兩大變化。首先，所有新型安全氣囊都配有一個智能傳感器，用于檢測車內(nèi)是否有乘客。安全氣囊的每一次誤彈出都會導(dǎo)致極高的更換成本
- 關(guān)鍵字： 賽普拉斯 F-RAM
Ramtron推出飛思卡爾Tower System一起使用的F-RAM
- 通過在基于飛思卡爾系統(tǒng)的解決方案中采用F-RAM存儲器快速構(gòu)建原型，新增模塊化平臺可加快開發(fā)速度世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM)和
- 關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM存儲器模塊
賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售支持
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票交易代碼：CY)宣布其領(lǐng)先業(yè)界的非易失性隨機(jī)存取存儲器((NVRAM)產(chǎn)品組合新增晶圓產(chǎn)品。賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合包括鐵電RAM(F-RAM™)和非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)，可在斷電時為重要數(shù)據(jù)提供可靠保護(hù)。很多關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨特優(yōu)勢之外，還需要能夠?qū)崿F(xiàn)小巧、獨特封裝選項的裸片。有關(guān)賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合的更多信息，敬請訪問：http://www.cypress.com/nonvolatile。 賽普
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電源控制芯片廠F-矽力展開并購
- 電源控制芯片廠F-矽力去年營收直逼47億元，再創(chuàng)歷史新高，加上去年底已向美商Maxim Integrated(美信)購買智慧電表與能源監(jiān)控業(yè)務(wù)部門，預(yù)期對第2季業(yè)績貢獻(xiàn)顯著，營運可望再上層樓，今年開春以來股價上漲逾14%，上周五(8 日)漲7.5元，收388元，受全球股災(zāi)影響不大。 F-矽力是一家陸資企業(yè)，產(chǎn)品以電源控制芯片為主，終端應(yīng)用包括LED照明、消費性電子及網(wǎng)路 通訊產(chǎn)品等，公司董事長兼總經(jīng)理陳偉為中國大陸海歸派精英之一，他的第一份工作是在美國太空總署(NASA)從事研發(fā)，后來轉(zhuǎn)到美國民
- 關(guān)鍵字： F-矽力 美信
首屆5G算法創(chuàng)新大賽：F-OFDM賽事評述
- 萬物互聯(lián)的5G定位，如圖1所示的5G總體愿景，帶來了一系列需要解決的重大技術(shù)難題。比如，如何支持擁有大量連接數(shù)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，如何支持對時延和可靠性要求極高的車聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)，如何支持內(nèi)容越來越多樣速率越來越高的智能手機(jī)業(yè)務(wù)。為了全面實現(xiàn)5G預(yù)期的各項指標(biāo)和功能，5G關(guān)鍵技術(shù)的研究正如火如荼的開展著。 圖表 1：5G總體愿景(IMT2020) 就在這時，由Altera、西安電子科技大學(xué)、友晶科技主辦，華為、英特爾、展訊通信贊助的第一屆5G算法創(chuàng)新大賽應(yīng)運而生了。我有幸作為三大算法的評委之一參與
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朗科Z7 按鍵加密便攜式SSD移動固態(tài)硬盤 榮耀上市
- 數(shù)據(jù)安全向來備受關(guān)注，隨著移動辦公漸成趨勢，數(shù)據(jù)安全更為關(guān)鍵。如果你是商務(wù)人士或者銷售人員，信息保護(hù)不慎有可能會給自己或公司直接帶來利益損失;如果你是工程師或者軟件高手，你的勞動成果，比如方案、代碼，缺少了安全保護(hù)，就隨時有泄漏的可能;如果你是自拍達(dá)人或網(wǎng)絡(luò)紅人，一定非常在意個人隱私，私密內(nèi)容設(shè)防是必不可少的，若因沒設(shè)保護(hù)而被惡意傳播，相信后果將是不堪設(shè)想的。 用技術(shù)武裝自己，用科技保護(hù)數(shù)據(jù)，移動存儲專家朗科再推力作：朗科Z7按鍵加密移動固態(tài)硬盤，刷新你們的數(shù)據(jù)安全級別。 &nbs
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電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）
- 1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路 電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。 由圖1可見，電路中的主要元件為一運算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負(fù)載電阻。其中運算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進(jìn)行比較，經(jīng)運算放大器放大后再經(jīng)三極管放
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中興nubia Z7 Max智能手機(jī)采用賽普拉斯TrueTouch觸摸屏控制器
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，全球領(lǐng)先的電信設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)解決方案及手機(jī)供應(yīng)商中興公司在其旗艦產(chǎn)品 nubia Z7 Max智能手機(jī)中，選用了賽普拉斯的TrueTouch® 電容式觸摸屏控制器。 該機(jī)采用的是TrueTouch TMA568控制器，具有一種便捷喚醒功能，用戶僅需用手指雙擊屏幕即可將手機(jī)從睡眠狀態(tài)中喚醒。 nubia Z7 Max 的5.5英寸全高清觸摸屏因采用TMA568控制器而具有強(qiáng)大的耐水性。這款控制器還為該手機(jī)帶來領(lǐng)先市場的戴手套手指跟蹤性能。這一功能無需用戶進(jìn)
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賽普拉斯推出業(yè)界首款4Mb 串行F-RAM
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，推出一系列4Mb串行鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM™)，這是業(yè)界容量最大的串行F-RAM。該款4Mb串行F-RAM擁有40-Mhz串行外設(shè)接口(SPI)，工作電壓范圍是2.0至3.6V，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝方式。賽普拉斯所有的F-RAM均可提供100萬億次的讀寫壽命，85?C溫度下的數(shù)據(jù)保存時間可達(dá)十年，65?C下則長達(dá)151年。 對于需要連續(xù)頻繁高速數(shù)據(jù)讀寫，并要求保證數(shù)據(jù)的絕對安全性的應(yīng)用而言，賽普拉斯的F-RAM是理想選擇。這一4
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意法半導(dǎo)體（ST）向美國證券交易委員會提交2014年度Form 20-F報告
- 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布已于2015年3月3日向美國證券交易委員會(SEC, Securities and Exchange Commission)提交了截至2014年12月31日的公司年度Form 20-F報告。投資者可在意法半導(dǎo)體官方網(wǎng)站www.st.com 查看2014年度Form 20-F報告和審計完成后的完整財務(wù)報告，也可以訪問美國證券交易委員會網(wǎng)站www.sec.gov查看相關(guān)信息。 意法半導(dǎo)體為投資
- 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體 Form 20-F
賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的高容量F-RAM產(chǎn)品線增添新的封裝方式和溫度范圍選項
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其鐵電隨機(jī)存取存儲器(F-RAM™)產(chǎn)品系列中的1Mb并行異步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封裝方式，其2 Mb串行外設(shè)接口(SPI)F-RAM的溫度范圍擴(kuò)展為-40?C 至 +105?C。 新封裝方式可在替代標(biāo)準(zhǔn)的電池供電的SRAM時實現(xiàn)管腳兼容，應(yīng)用于工業(yè)自動化、計算、網(wǎng)絡(luò)和汽車電子應(yīng)用中的關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)中。F-RAM與生俱來的非易失性可以實現(xiàn)瞬間數(shù)據(jù)捕獲，無需電池即可實現(xiàn)長達(dá)百年的保存時間。棄用電池可以降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。2 Mb SP
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