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          Microsemi發(fā)布全新65nm嵌入式快閃平臺

          —— 新平臺器件密度更高,功耗更低
          作者: 時(shí)間:2010-11-25 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            致力實(shí)現(xiàn)智能化的安全互連世界的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商─美高森美公司( Corporation)宣布,旗下SoC產(chǎn)品部門(原為愛特公司Actel Corporation)發(fā)布全新嵌入式快閃平臺,以用于構(gòu)建公司下一代基于快閃的可定制系統(tǒng)級芯片(system-on-chip, SoC)。美高森美的低功耗智能混合信號和系統(tǒng)關(guān)鍵系列SoC具有四輸入查找表(look up table, LUT)架構(gòu),將會集中使用現(xiàn)代化的嵌入式快閃工藝。相比前一代產(chǎn)品,器件密度能夠提高一個(gè)數(shù)量級,性能則提升一倍。新平臺能夠降低動(dòng)態(tài)功耗65%,并提升Flash*Freeze特性以降低靜態(tài)電流,從而維持企業(yè)在低功耗領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位。未來的器件將備有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)總線接口,并集成增強(qiáng)的知識產(chǎn)權(quán)部件如嵌入式微處理器內(nèi)核、DSP模塊、高速收發(fā)器、存儲器接口、非易失性閃存和可編程模擬部件。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/114932.htm

            美高森美SoC產(chǎn)品部市場推廣及銷售高級副總裁Jay Legenhausen稱:“在現(xiàn)今的設(shè)計(jì)中,對低功耗、固件錯(cuò)誤免疫力、安全性和高集成度需求是絕對不能妥協(xié)的。通過轉(zhuǎn)向工藝,我們能夠提高產(chǎn)品密度并改善功耗特性和性能,從而瞄準(zhǔn)范圍大幅擴(kuò)大的工業(yè)、醫(yī)療、軍事/航天、航空、通信和消費(fèi)產(chǎn)品市場。”

            美高森美和臺灣聯(lián)華電子公司(UMC)是首批推出65nm嵌入式快閃工藝的企業(yè),公司內(nèi)部業(yè)已完成首個(gè)商業(yè)化硅器件。美高森美系統(tǒng)級芯片產(chǎn)品部門正針對商業(yè)和工業(yè)市場的先期采納廠商推出客戶導(dǎo)引計(jì)劃,使這些廠商能夠及早將新興技術(shù)用于其下一代設(shè)計(jì)。

            快閃技術(shù)在太空領(lǐng)域的應(yīng)用

            美高森美SoC產(chǎn)品部門的前身愛特公司,在過去20多年來致力于太空和航空工業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新,在衛(wèi)星控制系統(tǒng)領(lǐng)域擁有的強(qiáng)大實(shí)力。Legenhausen續(xù)稱:“我們計(jì)劃擴(kuò)展在市場的領(lǐng)導(dǎo)地位,瞄準(zhǔn)性能、密度和信號處理能力均有關(guān)鍵要求的有效載荷應(yīng)用。我們的非易失性快閃技術(shù)具備可重編程性和無與倫比的可靠性,是擁有強(qiáng)大的吸引力的解決方案。”

            美高森美還宣布下一代基于快閃技術(shù)的耐輻射(RT) SoC的先期快報(bào):第四代RT 具有多達(dá)2000萬個(gè)系統(tǒng)門,提供更大的觸發(fā)器、存儲器和增強(qiáng)的嵌入式IP內(nèi)核陣列。這些器件將包括數(shù)字信號處理(DSP)模塊、PLL和高速接口(如SpaceWire、DDR2/3、PCI Express),以便快速、有效地在片上和片外獲取數(shù)據(jù)。全新的基于快閃技術(shù)的架構(gòu)能夠緩減總體輻射劑量和單事件效應(yīng)(SEE)。相比SRAM ,美高森美基于快閃技術(shù)的耐輻射FPGA由于固有單事件翻轉(zhuǎn)(SEU)免疫能力,因而無需電路板級別的緩減方案。

            由于太空應(yīng)用領(lǐng)域的設(shè)計(jì)周期通常較長,美高森美在一年多前已經(jīng)就下一代太空飛行FPGA與客戶接洽,而第五期全球Actel Space Forum講座系列將于2010年12月2日在美國洛杉磯開展。



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