英飛凌日立推出高性能硬盤驅(qū)動器

英飛凌科技股份公司近日宣布推出一款先進的硬盤驅(qū)動器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司共同開發(fā)，是適用于下一代硬盤驅(qū)動器的高集成控制器芯片開發(fā)過程中的一個里程碑。

“第一種采用90納米工藝技術(shù)的讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品的開發(fā)，使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產(chǎn)品，以滿足硬盤驅(qū)動器市場不斷增長的需求，”英飛凌管理董事會成員兼汽車與工業(yè)電子事業(yè)部負責(zé)人Peter Bauer指出，“我們對市場的承諾和立足點基于廣泛的專利組合（IP Portfolio），我們的專利組合包括低能耗和先進的片上系統(tǒng)（SOC）設(shè)計技術(shù)，以及對硬盤驅(qū)動器行業(yè)日益重要的技術(shù)，例如非易失性存儲器和安全芯片卡解決方案等等。”

英飛凌副總裁兼專用集成電路和設(shè)計解決方案事業(yè)部（ADS）總經(jīng)理Sandro Cerato說：“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核，使硬盤驅(qū)動器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求，包括更高的數(shù)據(jù)率、更低的能耗和更小的晶片面積，從而能夠以更具競爭力的成本推出更高級的片上系統(tǒng)（SOC）解決方案。首例經(jīng)過測試的內(nèi)核芯片，鎖相環(huán)路(PLL)能夠達到3.6GHz的速度，而模擬前端信號通道可以實現(xiàn)高達2.7Gb/s的數(shù)據(jù)率。和采用130納米工藝的先進讀取信道相比，性能提高約50%。”

市場分析公司Gartner Dataquest于2005年8月發(fā)表的研究報告表明，在移動和臺式設(shè)置應(yīng)用的推動下，全球硬盤驅(qū)動器產(chǎn)品市場規(guī)模預(yù)計將從2005年的33億美元增長到2009年的45億美元，增幅近30%。

“這種讀取信道技術(shù)的成功開發(fā)，進一步證明了日立存儲和英飛凌科技的創(chuàng)新能力和設(shè)計專長，”日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司高級董事兼明尼蘇達羅徹斯特（Rochester）設(shè)計中心主任Steven Smith指出，“英飛凌展示了其在芯片開發(fā)和集成方面的領(lǐng)先地位，我們對第一種采用90納米工藝制造的讀取信道產(chǎn)品的性能感到非常滿意?！?

新一代讀取信道技術(shù)可以支持一些高級的功能，如垂直錄寫，并利用第二代反向并聯(lián)編碼技術(shù)來大幅提高存儲密度，實現(xiàn)更佳的信噪比（SNR）性能。

英飛凌的90納米讀取信道內(nèi)核立足于一個通用架構(gòu)，適用于所有硬盤驅(qū)動器細分市場（如企業(yè)級、臺式、移動和超低功耗應(yīng)用等）。按照每個細分市場的特定目標(biāo)參數(shù)進行定制化設(shè)計，能夠滿足不同硬盤驅(qū)動器平臺的要求。

目前英飛凌正在開發(fā)另一種讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品，用于電池供電設(shè)備，旨在實現(xiàn)極低的功耗。由于采用了能夠支持手機等便攜產(chǎn)品的英飛凌90納米工藝，這種產(chǎn)品還能實現(xiàn)超長的待機時間和更佳的泄漏電流表現(xiàn)。 

英飛凌采用其90納米CMOS工藝制造的全新讀寫信道內(nèi)核，在單一芯片上融合了高性能、低能耗和模擬器件支持能力，可以滿足不同應(yīng)用的需要。英飛凌先進的工藝和設(shè)計體系，能夠讓設(shè)計商以經(jīng)濟合算的方式對單一芯片上的混合信號和數(shù)字信號處理（DSP）進行針對性優(yōu)化，從而滿足從高性能企業(yè)級服務(wù)器到低功耗便攜式消費電子產(chǎn)品等各種應(yīng)用的需求。90納米CMOS工藝的主要優(yōu)勢是，利用先進的節(jié)能概念，如有源井、時鐘門控（clock-gating）和帶有6-9層銅金屬化的微動開關(guān)等，將多個閾值電壓和多個最小閘極尺寸僅為70納米的閘極氧化層設(shè)備集成于單一芯片上。

英飛凌ADS事業(yè)部的新型硬盤驅(qū)動器控制器可以在全球各地多家芯片工廠生產(chǎn)，從而大大方便客戶的供應(yīng)鏈管理和業(yè)務(wù)拓展，這對硬盤驅(qū)動器行業(yè)尤其有益。目前，英飛凌位于德國德累斯頓的工廠和臺灣聯(lián)華電子公司都已引進英飛凌的90納米生產(chǎn)工藝。