TSMC推出高整合度LED驅動集成電路工藝

　　TSMC昨日推出模組化 BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產高電壓之整合LED驅動集成電路產品。

　　此一新的BCD工藝特色在于提供12伏特至60伏特的工作電壓范圍，可支持多種LED的應用，包括： LCD平面顯示器的背光源、LED顯示器、一般照明與車用照明等，且工藝橫跨0.6微米至0.18微米等多個世代，并有數(shù)個數(shù)字核心模組可供選擇，適合不同的數(shù)字控制電路閘密度。此外，也提供CyberShuttleTM共乘試制服務，支援0.25微米與0.18微米工藝的初步功能驗證。

　　借著新工藝所提供的多項整合特色，可減少系統(tǒng)產品的物料清單。不只強固的高電壓DMOS提供MOSFET開關整合，降低零組件數(shù)目外，其他可被整合的零組件還包括：高電壓雙載子電晶體、高電壓/高精密電容器、高電阻多晶硅齊納二極體(Zener diode)等，也可降低外部零組件數(shù)，并顯著地縮小電路板的面積。

　　DMOS工藝支援專業(yè)集成電路制造中領先的汲極至源極導通電阻(Rdson)效能(例如： 對一特定的60V NLDMOS 元件，當BV>80V 時，其Rdson 為 72 mohm- mm2 )以及其高電流驅動能力，可藉由元件尺寸的最佳化來提升功率效能;強固的安全操作區(qū)域(SOA)也能讓功率開關與驅動電路更為理想;更多詳細的特性分析亦可作為有用的參考，使 IC 設計能達到最佳的芯片尺寸及設計預算。

　　在COMS方面，5伏特工作電壓能支持類比脈沖寬度調變器(Pulse Width Modulation controller)的設計，而2.5伏特及1.8伏特的邏輯核心，則通用于較高層次的數(shù)字整合。除此之外，與邏輯線路相容、單次寫入及多次寫入均可的記憶體選項，亦可提供強化的數(shù)字程式設計使用。

　　TSMC工業(yè)電子開發(fā)處劉信生處長指出，就驅動元件整合來說，新的LED驅動IC之BCD工藝是非常尖端的技術，其相關的工藝設計套件(PDKs)強調高度精準的SPICE模型，提供單芯片設計更多的方便性。除此之外，Mismatching Model可協(xié)助提升目前在多通道 LED驅動器設計上的精準度。