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          爾必達(dá)開(kāi)發(fā)出新款65nm XS制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2009-12-18
				來(lái)源：tcmagazine
				
				
				
				
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          　　爾必達(dá)公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作，并稱使用這種新制程技術(shù)制作出的內(nèi)存芯片在制作成本方面要比現(xiàn)有的50nm制程內(nèi)存芯片更低。當(dāng)應(yīng)用在300mm尺寸晶 圓上時(shí)，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開(kāi)發(fā)完成)的產(chǎn)出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進(jìn)一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著減小廠方在制造設(shè)備上的費(fèi)用投資。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/101584.htm

          　　這種65nm XS制程技術(shù)的1Gb DDR3內(nèi)存芯片面向的主要是PC/服務(wù)器市場(chǎng)，預(yù)計(jì)明年一季度可投入量產(chǎn)。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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            			            爾必達(dá)
                        65nm
                        DDR3
                        
            
          
            
			
          
		
          	
		

	

          
	
	
          
		
          
			
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