晶圓雙雄2010年資本支出大手筆擴(kuò)增

　　2010年一開春臺積電、聯(lián)電法說成外界關(guān)注焦點，晶圓雙雄對于2010年景氣的論調(diào)與資本支出將會是外界解讀景氣的重要指標(biāo)之一。半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者表示，盡管2009年景氣波動劇烈，但以臺積電為例，過去景氣不錯的數(shù)年，臺積電采買設(shè)備都不手軟，目前已知2010年臺積電資本支出將高達(dá)約45 億美元，聯(lián)電資本支出則約10億美元，都大幅超前2009年。

　　臺積電2009年可說已算是砸大錢在資本支出上，臺積電總共約采買新臺幣1,450億元，相當(dāng)于45億美元添購設(shè)備，預(yù)料將使原本已經(jīng)產(chǎn)能稍許吃緊的設(shè)備業(yè)者，在因應(yīng)急單時更捉襟見肘。

　　據(jù)了解，甚至部分大外商已經(jīng)在銅制程蝕刻設(shè)備方面無法因應(yīng)客戶急單，因為有許多半導(dǎo)體晶圓廠如臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)及大型整合元件廠、存儲器廠訂單都集中在第1季。

　　這樣晶圓廠僅及擴(kuò)充產(chǎn)能、急拉設(shè)備的情況在2010年將會延續(xù)，這意味著對半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者的大多頭市場來臨。

　　據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者估計，臺積電2010年資本支出約計45億美元，較2009年28億~29億美元至少成長6成;值得注意的是，臺積電不僅擴(kuò)充一般性制程，也會積極采買前段微顯影設(shè)備。

　　業(yè)者分析，這可能與臺積電之前的40奈米良率問題有關(guān)，臺積電若未能有效克服良率拉高的挑戰(zhàn)，短期內(nèi)將以擴(kuò)充機(jī)臺做為解決客戶產(chǎn)能不足的權(quán)變方案。因此在技術(shù)方面，40奈米良率仍將是本季臺積電法說外界關(guān)切焦點，其次則是臺積電的資本支出額度。

　　在聯(lián)電方面，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者預(yù)估，聯(lián)電2010年資本支出成長幅度較臺積電高，主要是聯(lián)電2009年資本支出基期較低，但2010年聯(lián)電在12寸廠先進(jìn)制程將會較積極，因此2010年資本支出則上看10億美元，較2009年的5億美元達(dá)到倍增的程度。聯(lián)電的擴(kuò)充重點據(jù)點則將會是新加坡的UMCi及12B的先進(jìn)制程產(chǎn)能。