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          HB-LED封裝:后段設(shè)備材料供應(yīng)商的巨大商機(jī)

          作者: 時(shí)間:2010-01-28 來(lái)源:SEMI 收藏

            什麼樣的新興市場(chǎng)會(huì)在2010年帶給后段設(shè)備材料供應(yīng)商高達(dá)數(shù)十億美元的商機(jī)?根據(jù)法國(guó)市調(diào)公司Yole Développement研究,高亮度(HB) LED的將是未來(lái)年成長(zhǎng)率上看25%的大商機(jī);并且,市場(chǎng)將在2015年突破三十億美元。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/105594.htm

            耐高熱而且容許強(qiáng)光輸出的特殊材料將是主要商機(jī)所在。2009年的產(chǎn)業(yè)整體營(yíng)收約十四億美元,其中封裝市場(chǎng)即貢獻(xiàn)八億五千萬(wàn)美元,也就是說(shuō)有60%落入了相關(guān)供應(yīng)商的口袋。從產(chǎn)業(yè)現(xiàn)階段的需求來(lái)看,后段切割、連接導(dǎo)線、雷射剝離等設(shè)備的需求仍然平緩,不過(guò)預(yù)期至2015年,市場(chǎng)平均年成長(zhǎng)率將有34%,如下圖所示。

           

            資料來(lái)源:Yole Développement公司2009年HB LED 封裝報(bào)告

            Yole公司對(duì)于HB LED的定義較其他市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)為窄,僅限于每瓦功率能夠輸出30 流明以上,如應(yīng)用在汽車(chē)和電視背光的元件,但是大部分的LCD背光應(yīng)用都在這個(gè)分類(lèi)以外。每一封裝單位能輸出100流明以上的超高亮度LED,包括汽車(chē)大燈和一般照明使用,目前擁有兩億八千萬(wàn)美元的利基市場(chǎng);隨著成本逐漸改善,成長(zhǎng)力道可以預(yù)期。

            封裝基板的熱管理為關(guān)鍵所在

            目前所謂的高亮度LED,其典型的光能轉(zhuǎn)換效率也還不到25%,輸入功率的大部分都轉(zhuǎn)變成無(wú)用的熱能,因此封裝的熱管理技術(shù)擁有最大的改善空間,也是各家公司競(jìng)爭(zhēng)勝出之所在。而且,這個(gè)領(lǐng)域也是最能夠降低成本的地方。Yole Développement分析師Philippe Roussel解釋說(shuō),經(jīng)由逆向還原工程研究業(yè)界知名產(chǎn)品,發(fā)現(xiàn)各家的晶片技術(shù)都採(cǎi)用相同的智財(cái)(IP),然而在封裝上面卻完全不同。分析顯示這完全是基于成本結(jié)構(gòu)的考慮,據(jù)其推測(cè),封裝部分占總成本比率可能超過(guò)70%。最近以來(lái),不少公司推出每瓦輸出達(dá)150流明以上的晶片,主要也是由于在封裝技術(shù)上有所進(jìn)展。

            改善熱管理有一個(gè)關(guān)鍵,也就是占封裝總成本一半的封裝基板。模造樹(shù)脂基板(Molded resin substrates)搭配熱插槽設(shè)計(jì)和金屬芯的印刷電路板,都是廣為採(cǎi)用的解決方桉;不過(guò)對(duì)更高功率的元件,供應(yīng)商紛紛將注意力轉(zhuǎn)向鋁或AlN的陶瓷基板,以及晶片與封裝基板間陶瓷或硅材質(zhì)承載版的技術(shù)。。

            采鈺使用硅基板改善熱阻抗

            但是最吸引人的潛力還是在新的替代材料。臺(tái)積電的關(guān)係企業(yè)采鈺科技利用八吋晶圓級(jí)封裝製程,已經(jīng)開(kāi)始商業(yè)量產(chǎn)以硅封裝基板的高功率(350mA)LED。事業(yè)發(fā)展組織副總?cè)职刂彝嘎叮禄宓臒嶙杩共怀^(guò)3°/W,產(chǎn)品效能會(huì)是使用陶瓷技術(shù)的二到三倍,輸出流明數(shù)可以增加10-15%。

            采鈺從LED製造商取得切割好的晶粒,使用晶圓級(jí)封裝製程以簡(jiǎn)化晶粒處理;但并非指元件晶圓的封裝。製程首先做好晶圓上的硅穿孔,然后是金屬化和介電質(zhì)保護(hù)層,接著就可以置入LED晶粒,再製做接腳。晶片上面以黃光剝離(mask and lift-off)技術(shù)均勻覆蓋磷介電層,然后透鏡成形于晶圓上,最后切割晶圓。製程技術(shù)的關(guān)鍵就在控制的導(dǎo)線架矩陣的平整度,另外也必須自行開(kāi)發(fā)透鏡成形技術(shù)。晶圓級(jí)製程將有助于降低量產(chǎn)時(shí)的組裝成本,只是現(xiàn)階段的采鈺不作成本領(lǐng)導(dǎo),卻要更專(zhuān)注于要求熱效能與可靠性的應(yīng)用領(lǐng)域。


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