三星發(fā)布全球首顆30nm級工藝DDR3內(nèi)存芯片

　　三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過客戶認證。注意這里說的是30nm級別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級別的。

　　三星這種30nm工藝級DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標 準電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Green DRAM)，另外相比40nm級別工藝量產(chǎn)效率可提高60%，相比50-60nm級別工藝更是可達兩倍之多。

　　三星將在今年下半年量產(chǎn)這種芯片，并以此各種低功耗內(nèi)存條，比如4GB DDR3 SO-DIMM，用在筆記本 內(nèi)的時候每小時只消耗3W，僅占筆記本總功耗的3%。

　　當然在臺式機、服務器、上網(wǎng)本和各種移動設備里，這種新工藝內(nèi)存也都有廣泛的用途。