Intel欲將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點

　　在本月21日舉辦的LithoVision2010大會上，Intel公司公布了其未來幾年的光刻技術(shù)發(fā)展計劃，按這份驚人的計劃顯示，Intel計劃將 193nm波長沉浸式光刻技術(shù)延用至11nm制程節(jié)點，這表明他們再次后延了其極紫外光刻(EUV)技術(shù)的啟用日期。

　　Intel實驗室中的EUV曝光設(shè)備

　　根據(jù)會上Intel展示的光刻技術(shù)發(fā)展路線圖顯示，目前Intel 45nm制程工藝中使用的仍是193nm干式光刻技術(shù)，而32nm制程工藝則使用的是193nm沉浸式光刻技術(shù)，沉浸式光刻工具方面，Intel從去年開始便獨家使用尼康公司的193nm沉浸式光刻機制造32nm制程產(chǎn)品。(此前曾有傳言稱臺積電最近也購買了尼康公司的193nm沉浸式光刻設(shè)備,不過雙方后來矢口否認(rèn)了這一傳言.)

　　過去Intel曾計劃在22nm制程節(jié)點轉(zhuǎn)向EUV技術(shù)，并計劃明年開始采用這種技術(shù)。不過據(jù)Intel負責(zé)高級光刻技術(shù)的高管Yan Borodovsky表示，Intel目前還沒有做好在22/15nm制程節(jié)點引入EUV技術(shù)的準(zhǔn)備。他并表示Intel將在22nm制程節(jié)點繼續(xù)使用193nm沉浸式光刻技術(shù)。

　　Intel還在會上表示他們有能力將193nm沉浸式光刻技術(shù)延用至15nm制程節(jié)點，也就是說這項技術(shù)的壽命可望延續(xù)到2013年左右，Borodovsky并認(rèn)為，按照目前的情況看來，193nm沉浸式光刻+pitch division的工藝組合才是實現(xiàn)15nm制程產(chǎn)品量產(chǎn)的“唯一選擇”。

　　不過他表示,在15nm節(jié)點制程處，Intel將“首先采用EUV技術(shù)進行試產(chǎn)，假如屆時無掩模技術(shù)已經(jīng)成熟，那么我們還會采用這種技術(shù)進行試產(chǎn)。”

　　在接下來的11nm制程節(jié)點中，Intel仍有計劃想在五重掩模技術(shù)(five mask)的配合下繼續(xù)延用193nm沉浸式光刻技術(shù)，Borodovsky稱：“193nm沉浸式光刻技術(shù)應(yīng)可在五重掩模技術(shù)的配合下滿足11nm制程的要求。”

　　據(jù)Intel表示，11nm制程節(jié)點上該公司的光刻技術(shù)將采用多種光刻工藝互補混搭的策略，將193nm沉浸式光刻技術(shù)與EUV,無掩模光刻(maskless)等技術(shù)混合在一起來滿足11nm制程的需求。

　　目前還不清楚Intel最終會采用EUV或無掩模光刻技術(shù)中的哪一種，Intel表示留給EUV技術(shù)最終成熟的時間點是在2011/2012年前;而留給無掩模技術(shù)的時間點則是在2012年以前。而其EUV領(lǐng)域的主要競爭對手三星公司將EUV技術(shù)投入實用的時間點也同樣定在了2012年前。