英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米

　　英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。

　　Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。

　　在Nikon的年會(huì)上許多其它的專家似乎對(duì)于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機(jī)設(shè)計(jì)部總經(jīng)理Masato Hamatani認(rèn)為,當(dāng)EUV達(dá)到所有的預(yù)定目標(biāo)時(shí),進(jìn)入量產(chǎn)可能要到2019年,即16nm以下水平。因此EUV對(duì)于22nm半間距己經(jīng)太遲了,所以只能讓16nm及以下的客戶使用。從兩次曝光和EUV光刻的成本看到EUV與其它技術(shù)相比缺乏競(jìng)爭性。

　　Hamatani談到對(duì)于EUV技術(shù)存在不少其它的替代方法,如通過掩模源程序的最佳化和定制照明來延伸單個(gè)圖形技術(shù)。Hamatani說在可供選擇之中有可供32nm半間距及以下的所謂間距兩次曝光,pitch splitting兩次曝光,如稱之為LELE,LFLE及l(fā)ine cutting 光刻技術(shù)。能夠精確和穩(wěn)定的圖形測(cè)量是關(guān)鍵,包括使用為了減少誤差的帶干涉儀的編碼系統(tǒng),和EUV相比較兩次圖形曝光比較省錢。

　　三星電子的首席技術(shù)官Jeong Ho Yeo表示希望采用兩次圖形曝光和EUV能繼續(xù)的把存儲(chǔ)器的尺寸縮小。Yeo又說它的觀點(diǎn)是由于成本及圖形的復(fù)雜性,采用多束形成圖形作為一種解決方案可能不現(xiàn)實(shí)。為了降低存儲(chǔ)器生產(chǎn)中的成本,低成本的兩次圖形曝光技術(shù)是有前途的。

　　在兩次圖形曝光技術(shù)中CD控制是個(gè)挑戰(zhàn),需要從技術(shù)上去突破。通過平臺(tái)功能或者某些自對(duì)準(zhǔn)方法可以達(dá)到所需的套準(zhǔn)精度。

　　Yeo認(rèn)為EUV光刻被證明可達(dá)到小於20nm的分辨率,包括4XDRAM的接觸層。雖然如此,Yeo說對(duì)于EUV技術(shù)尚還有三個(gè)挑戰(zhàn)。即無缺陷的EUV掩模;高功率EUV光源及相應(yīng)的光刻膠。在大量制造時(shí)空白掩模的缺陷密度在25nm時(shí)要求<0,003/cm2。而目前狀態(tài)仍有比較大的差距,在18nm時(shí)為1/cm2水平。關(guān)于光刻膠方面,在形成22m半間距 pitch 圖形時(shí)尚存在差距,如膠的倒塌,分辨率,LWR,放氣和靈敏度。

　　Nikon的總經(jīng)理 Takaharu Miura認(rèn)為EUV作為未來的光刻技術(shù)尚未就緒,表示目前非常可能是采用延伸ArFi 193nm的兩次圖形曝光技術(shù)。他認(rèn)為作為一項(xiàng)大生產(chǎn)要求的設(shè)備必須要能夠具備多代使用的技術(shù)能力。在22nm及16nm半間距時(shí),鏡頭的NA要>0,3,而在16nm及11nm半間距時(shí)NA要>0,4。關(guān)于EUV的光源問題,Miura指出系統(tǒng)必須能提供長時(shí)間運(yùn)行的考驗(yàn)。在掩模方面尚有大量問題需要解決,需要提供光化學(xué)的檢驗(yàn)與驗(yàn)證設(shè)備。

　　Nikon的院士Soichi Owa,它希望浸入式光刻技術(shù),再加上四倍間距和line cutting光刻能延伸到SRAM的10nm半間距能力。目前的挑戰(zhàn)是適合于EUV的光刻膠和因?yàn)樾枰啻纹毓?所以必須減少掩模成本。同時(shí)在工藝過程中的檢測(cè)十分關(guān)鍵。

　　Synopsys公司光刻部經(jīng)理Kevin Lucas認(rèn)為目前的工藝和設(shè)備己經(jīng)為間距分離的兩次圖形曝光技術(shù)作好了準(zhǔn)備,無論邏輯或者存儲(chǔ)器產(chǎn)品,尤其是接觸及互連層中使用。然而,為了取得成功需要增加設(shè)計(jì)與掩模制造的綜合。它認(rèn)為從設(shè)計(jì)規(guī)則對(duì)于邏輯和存儲(chǔ)器采用兩次圖形曝光都是可能的。當(dāng)把整個(gè)芯片進(jìn)行復(fù)雜度和尺寸分解處理之后,Lucas認(rèn)為接著OPC和驗(yàn)證對(duì)于兩次圖形曝光的成品率十分重要。采用適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)限制多次曝光圖形能進(jìn)一步縮小尺寸。